Модификация эпитаксиальных слоев нитрида галлия

Образование и науки | Эта статья также находится в списках: , , , , , , , , , , , , , , , , , , , | Постоянная ссылка

БЕСПАЛОВ Алексей Викторович

Модификация эпитаксиальных слоев нитрида галлия

в области дефектов роста

методом периодического ионно-лучевого

осаждения-распыления

Специальность 05.27.06 – Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени

кандидата технических наук

Москва 2010

Работа выполнена в Московском государственном институте радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)

Научный руководитель:

доктор химических наук, профессор

Евдокимов Анатолий Аркадьевич

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук,

профессор

Иванов Сергей Викторович

доктор технических наук, профессор

Кузнецов Геннадий Дмитриевич

Ведущая организация:

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»

Защита состоится « 26 » октября 2010 г. в 16 часов на заседании диссертационного совета Д212.131.02 при ГОУ ВПО «Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики

(технический университет)» по адресу: 119454 г. Москва, проспект Вернадского, дом 78.

С диссертацией можно ознакомиться в научно-технической библиотеке

ГОУ ВПО «Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)»

Автореферат разослан « » сентября 2010 г.

Ученый секретарь

диссертационного совета Вальднер В. О.

Общая характеристика работы

Актуальность темы

В настоящее время нитрид галлия (GaN) и другие родственные соединения типа AIIIN (АIII – галлий, индий или алюминий) представляют собой группу полупроводниковых материалов, которые по промышленной значимости среди материалов электронной техники, уступают только кремнию и арсениду галлия.

Основным стимулом для постановки научных исследований, посвящённых проблеме AIIIN материалов, является существенное отставание необходимого уровня понимания процессов, протекающих при получении эпитаксиальных структур GaN, от их применения для приборов различного функционального назначения, включая приборы опто-, СВЧ – электроники, а также при использовании твёрдых растворов на основе AIIIN с магнитными катионами в качестве подложек при синтезе спинтронных структур.

В процессе применения пленок GaN в приборных структурах возникает ряд проблем, например, при создании оптически прозрачного высокостабильного омического контакта к плёнкам р-типа из-за высокой работы выхода у нитрида галлия и большой концентрации ростовых дефектов в эпитаксиальных слоях. Для решения проблемы влияния дефектности структуры эпитаксиальных плёнок GaN на характеристики приборов необходим поиск методов постростовой обработки пленок, направленный на уменьшение степени этого влияния. Ранее использовались процессы осаждения-распыления металл-оксидных слоев химически активными ионами. В результате было установлено, что облучение ионами кислорода с энергией до 400 эВ в процессе постростовой обработки не ухудшает исходной структуры GaN и позволяет заращивать мелкие ростовые дефекты. Однако указанный подход не позволял полностью избавиться от утечек тока в вертикальных приборных структурах в связи с тем, что отсутствовал детальный анализ поверхностных и объемных дефектов в эпитаксиальных структурах GaN.

Достигнутый уровень современных экспериментальных исследований позволяет на основе комплексного применения сканирующей электронной и ионной микроскопии высокого разрешения, атомно-силовой микроскопии и ионно-лучевого распыления поставить задачу проведения детального анализа распределения дефектов в эпитаксиальных слоях GaN по толщине, классифицировать дефекты по размерам, определить области их повышенной концентрации и особенности формирования в отдельных зонах роста, а также предложить методы нейтрализации ростовых дефектов при постростовой обработке как в активных областях приборов (например, областях i-типа), так и в слое р-типа проводимости, к которому формируется омический контакт.

Указанные проблемы определяют актуальность настоящей диссертационной работы и являются предметом ее исследования.

Цель работы

Исследование морфологии эпитаксиальных плёнок GaN в области дефектов роста и разработка метода целенаправленного модифицирования поверхности эпитаксиальных пленок нитрида галлия, содержащих различные типы ростовых дефектов, периодическим ионно-лучевым осаждением-распылением для их заращивания.

Задачи исследования

Исследовать особенности распределения ростовых дефектов в эпитаксиальных плёнках GaN.

Исследовать процесс заращивания дефектных областей эпитаксиальных плёнок GaN ионно-лучевым осаждением-распылением.

Разработать и реализовать метод модифицирования дефектных эпитаксиальных пленок нитрида галлия периодическим ионно-лучевым осаждением-распылением с использованием металл-оксидных слоёв.

Использованная аппаратура и методы исследования

Исследования эпитаксиальных плёнок проводились методами оптической, растровой электронной (SEM) и атомно-силовой микроскопии (AFM) в сочетании с фотолюминесценцией. Электропроводность слоёв контролировалась двух– и четырёх-зондовым методами.

Реализация процессов обработки плёнок GaN в режиме «осаждения-распыления» проводилась на установке, оснащенной широкоапертурными источниками ионов с холодным полым катодом на основе двухкаскадного самостоятельного разряда низкого давления.

Для исследования структуры дефектов и механизмов их заращивания при постростовой обработке дополнительно использовался метод получения вертикальных сечений эпитаксиальной плёнки GaN в области дефекта сфокусированным ионным пучком (FIB: focused ion beam) с последующим анализом с помощью растровой электронной микроскопии высокого разрешения. Методика реализована на двухлучевом комплексе DualBeam (FIB/SEM) systems, Helios NanoLab (FEI Company).

Использованные современные средства и методики обеспечивают высокую достоверность полученных результатов и создают предпосылки к объяснению совокупности экспериментальных данных и формированию обоснованных выводов.

Научная новизна работы

Впервые разработан комплексный метод качественного и количественного анализа дефектов роста в эпитаксиальных слоях GaN, включающий контроль их распределения по поверхности и объему и сочетающий ионно-лучевое распыление материала кислородом, наноразмерное локальное препарирование плёнки сфокусированным ионным пучком и растровую электронную микроскопию высокого разрешения.

Определены основные механизмы протекания процесса комбинированного ионно-лучевого «бездефектного» осаждения-распыления металл-оксидных слоёв в среде кислорода и показано, что выравнивание микрорельефа поверхности пленки GaN заращивающим слоем достигается за счёт практически двукратного превышения скорости осаждения металл-оксидов во впадинах по сравнению с нарастанием слоя на плоских участках.

Предложен и реализован метод заращивания ростовых дефектов в пленках GaN, распространяющихся до границы раздела «плёнка-подложка», многократным периодическим осаждением-распылением толстого, сравнимого с толщиной эпитаксиальной пленки, слоя оксида алюминия (AlOx) с последующим осаждением-распылением слоя оксида бериллия (ВеО) толщиной менее 5 нм.

Положения, выносимые на защиту

Сочетание низкоэнергетичного ионно-лучевого распыления эпитаксиальных слоев GaN кислородом, их локального препарирования сфокусированным ионным пучком и электронной микроскопии высокого разрешения обеспечивает выявление, локализацию и позволяет осуществлять классификацию комплекса типовых, для различных методик роста GaN, дефектов по глубине и поверхности слоя.

Реализация процесса последовательного многократного ионно-лучевого осаждения-распыления слоёв AlOx на поверхности эпитаксиальных пленок GaN, сравнимой с ними толщины, обеспечивает заращивание поверхностных мелких и объёмных глубоких дефектов роста, выходящих на поверхность эпитаксиальной пленки GaN.

Механизм преимущественного заполнения наносимым диэлектриком микрорельефа поверхности эпитаксиальной пленки GaN при заращивании поверхностных мелких и объёмных глубоких дефектов роста состоит в повышении скорости его осаждения в области дефекта по сравнению с планарной поверхностью плёнки, что обусловлено комбинацией трёх факторов:

геометрией потока распыляемого материала (определяемой угловой зависимостью коэффициента распыления);

массопереносом осаждаемого материала в зоне ростового дефекта (стимулированного энергетической неоднородностью зоны дефекта);

продольным массопереносом материала по поверхности эпитаксиального слоя (стимулированного воздействием ионного пучка на материал).

Практическая значимость работы состоит в следующем:

Разработан и реализован метод модифицирования дефектных эпитаксиальных пленок нитрида галлия периодическим ионно-лучевым осаждением-распылением с использованием металл-оксидных слоёв, являющийся базой для ряда технологических операций в процессе изготовления приборов на основе GaN, включая:

– изготовление контактных систем BeO/Au/BeO к p-GaN для оптоэлектронных приборов, работающих вплоть до ультрафиолетовой области спектра (Заявка на выдачу патента на изобретение РФ № 2009101266, приоритет от 16.01.2009).

– формирование планарной поверхности постростовой обработкой эпитаксиальных плёнок GaN, являющихся подложками большой площади для структур спинтроники на основе наноразмерных слоевых композиций Co/TiO2.

Результаты работы использованы в Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете «ЛЭТИ» при выполнении НИР, направленной на разработку и исследование оптоэлектронных структур на основе нитрида галлия для высокоэффективных источников излучения.

Результаты внедрены в учебный процесс в Московском государственном институте радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) начиная с 2008/2009 учебного года в качестве дополнения к курсу лекций по дисциплинам «Технология материалов и изделий электронной техники», «Физика и технология квантово-размерных структур и приборов на их основе» и при проведении практических занятий со студентами 5 курса.

Апробация результатов работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и симпозиумах:

6-я и 7-я Всероссийских конференциях «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (С-Пб., 2008 и 2009 гг.)

XIII и XIV Международных симпозиумах «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 2009 и 2010 гг.),

на конференции X Юбилейного Международного форума и выставке «Высокие технологии XXI века (М., 2009 г.),

XXIII Российской конференции по электронной микроскопии (Черноголовка, 2010 г.).

Публикации.

По материалам диссертационной работы опубликовано: 3 статьи в журналах, рекомендованных в действующем перечне ВАК, 10 тезисов докладов на конференциях и симпозиумах.

Все экспериментальные результаты, включая вошедшие в совместные с соавторами публикации, получены при непосредственном участии автора настоящей диссертационной работы.

Структура и объем работы

Диссертационная работа состоит из введения, 4 глав и заключения, списка литературы, включающего 120 наименований. Работа изложена на 123 страницах, содержит 32 рисунка и 8 таблиц.

Содержание работы

Во введении обоснована актуальность темы, определены цель и задачи исследований, сформулированы научная новизна и практическая значимость полученных результатов, представлены научные положения, выносимые на защиту.

В первой главе диссертации дано краткое описание современного состояния работ по получению эпитаксиальных пленок GaN и соединений на их основе с ориентацией на проблемы совершенствования структуры материала с целью достижения минимальной степени его дефектности. Наибольшее внимание уделено трем проблемам в технологии данного материала и приборов на его основе, которым в основном посвящена диссертационная работа: созданию условий для получения низкоомного высокостабильного оптически прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою GaN р-типа; подавление процесса сквозного прорастания дефектов и каналирования низкоэнергетичных частиц вдоль этих дефектов в активную область прибора в процессе постростовой обработки пленки, получению плёнок GaN с наноразмерной степенью шероховатости поверхности для их применения в качестве подложек при формировании структур спинтроники.

Известно, что для температур плавления GaN (~2800°С) характерны высокие равновесные давления азота, что препятствует выращиванию совершенных кристаллов GaN из расплава. Обычная плотность дислокаций в кристаллах нитридов металлов IIIа группы достигает 107÷1010 см–2. Вследствие этого базовые структуры для создания приборов на основе GaN получают при помощи гетероэпитаксиального осаждения из газовой фазы или молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках таких материалов, как: сапфир, карбид кремния или буферные слои нитрида алюминия (AlN), а в последнее время и на кремнии. Наиболее совершенные плёнки GaN имеют плотность ростовых дефектов 105 см–2. На основании обобщения результатов проведенного анализа сделан вывод о необходимости постановки исследований, посвящённых проблеме нейтрализации ростовых дефектов в эпитаксиальных пленках GaN постростовой обработкой.

В связи с этим, определена необходимость разработки новых методов и подходов к постростовому совершенствованию структуры поверхности эпитаксиальных плёнок GaN и дано обоснование одной из базовых технологий, направленной на решение данной задачи – методу периодического последовательного ионно-лучевого осаждения-распыления.

Во второй главе диссертации проанализированы современные методы получения достоверной информации о состоянии структуры пленок GaN по поверхности и по толщине. Показано, что сочетание ионно-лучевого распыления с методами FIB, SEM, AFM, а также фотолюминесценции и контроля электрофизических параметров двух – и четырёх-зондовыми методами позволяет получить информацию о типе дефектов роста, их размерах, местах локализации как по толщине, так и по поверхности пленки. Для обеспечения анализа использовалось математическое моделирование процессов воздействия пучков ионов широкого диапазона энергий с пленкой GaN, выполненное на основе пакета программ SRIM 2008 (www. srim. org). Проведены расчеты профилей концентрации внедренных частиц, а также распределение создаваемых дефектов по глубине.

Для обеспечения требуемого качества высокоразрешающего микроскопического анализа дефектов разработана методика, позволяющая устранять известный эффект образования капель галлия на поверхности GaN при воздействии на GaN сфокусированного наноразмерного ионного пучка с высокой плотностью ионного тока. В основе данной методики лежит предварительное осаждение на исследуемую GaN поверхность, непосредственно в камере установки FIB, слоя платины толщиной до 0,5 мкм с последующим препарированием эпитаксиальной пленки для создания её локального поперечного сечения при пониженных значениях тока ионного пучка и его энергии. Данная методика позволила получать изображения сечений дефектов в эпитаксиальной плёнке GaN с наноразмерным разрешением, провести их анализ и классификацию.

В третьей главе диссертации с использованием разработанных методик анализа дефектов роста, основанных на сочетании низкоэнергетичного ионно-лучевого распыления эпитаксиальных слоев GaN кислородом, их локальном препарировании сфокусированным ионным пучком и электронной микроскопии высокого разрешения для эпитаксиальных композиций на основе GaN (рис.1, табл.1) проведена классификация ростовых дефектов, оценка их геометрических размеров, глубины расположения и концентрации.

Описание: F:\Диссертация\Before_005_1.tif

Рис. 1. Сечение эпитаксиальной структуры GaN с характерными типами дефектов.

Таблица1

Классификация ростовых дефектов

Тип дефекта

Характеристика дефекта

Плотность дефектов

Электронно-микроскопическое изображение

I

Мелкие дефекты (не более 10 нм) в приповерхностных эпитаксиальных слоях p-GaN

108÷109 см–2

Описание: F:\Диссертация\before_003_1.tif

II

Протяжённые дефекты (до 200 нм) на всю глубину эпитаксиального слоя p-GaN

107÷108 см–2

Описание: F:\Диссертация\Before_006_1.tif

III

Сквозные дефекты, распространяющиеся на всю глубину многослойной эпитаксиальной структуры GaN (3,5 мкм)

106÷107 см–2

Описание: F:\Диссертация\before_021_1.tif



С учетом особенностей проявления ранее указанных видов дефектов в реальных приборных структурах на GaN предложен и исследован метод их заращивания методом многократного осаждения-распыления толстого слоя оксида алюминия. Установлено, что оксид алюминия в процессе периодического осаждения-распыления преимущественно заполняет дефек-ты субмикронных и микронных размеров, ликвидируя каналы возможных утечек и пробоев в приборных структурах, при этом, как показали исследования морфологии поверхности, выполненные с помощью AFM, поверхность становится менее развитой и ее шероховатость уменьшается практически на порядок (рис. 2), что наглядно видно по изменению масштабов на профилограммах.

а б

Рис. 2 Шероховатость поверхности вдоль направлений 1 и 2: а) исходного образца, б) после обработки по предложенной методике

Таким образом, реализация процесса последовательного многократного ионно-лучевого осаждения-распыления слоёв AlOx на поверхности эпитаксиальных пленок GaN, сравнимой с ними толщины, обеспечивает заращивание мелких и глубоких дефектов роста, выходящих на поверхность эпитаксиальной пленки GaN.

Описание: fig6b

Рис. 3. Общий вид поперечного сечения глубокого ростового дефекта плёнки GaN с нанесённым слоем AlOx.

Рисунок 3 иллюстрируют эффект заполнения диэлектриком глубокого сквозного дефекта в многослойной эпитаксиальной структуре GaN. Установлено также, что наблюдается дополнительное латеральное перераспределение материала в окрестности дефектов роста при ионно-лучевой обработке GaN и сделано предположение, что заращивание идёт не только за счёт заполнения микрорельефа поверхности оксидом алюминия, но и путем «стока» во впадины собственно GaN.

На основании экспериментальных исследований сделано предположение о возможном механизме заращивания дефектов в GaN при реализации метода многократного осаждения-распыления и показано, что при заращивании мелких и глубоких дефектов роста повышение скорости осаждения материала в области дефекта по сравнению с планарной поверхностью плёнки, обусловлено комбинацией трёх факторов:

- геометрией потока распыляемого материала, определяемой угловой зависимостью коэффициента распыления;

- массопереносом осаждаемого материала в зоне ростового дефекта, стимулированного энергетической неоднородностью зоны дефекта;

- продольным массопереносом материала по поверхности эпитаксиального слоя, стимулированного воздействием ионного пучка на материал.

Указанные факторы сложным образом связаны между собой, а интегральное действие позволяет объяснить процесс преимущественного заполнения дефектов более чем вдвое быстрым осаждением материала во впадинах по сравнению с плоскими участками.

В четвертой главе диссертации рассмотрены вопросы практического использования разработанного метода модификации поверхности плёнки GaN для заращивания дефектов ростового происхождения с помощью периодического ионно-лучевого осаждения-распыления.

Предложен способ минимизации влияния ростовых дефектов на поверхности эпитаксиальной пленки p-GaN при формировании к ней низкоомного оптически прозрачного омического контакта повышенной термической стабильности. Результат достигается тем, что после ионно-плазменной очистки поверхности эпитаксиального слоя p-GaN структура нагревается до температуры 350÷370ºС и на неё многократно наносится и удаляется слой оксида алюминия толщиной не менее 30 % от толщины эпитаксиального слоя.

Рисунок 4 иллюстрирует данный процесс. После заращивания дефектов поверхности на ней формируется омический контакт к p-GaN в виде композиции BeO/Au/BeO/p-GaN

в

 

б

 

а

 

г

 

Рис. 4. Постростовое заращивание дефектов в эпитаксиальных слоях GaN: а) исходное состояние, б) осаждение AlOx, в) распыление AlOx, г) нанесение подслоя BeO для омического контакта. Стадии б и в повторяются многократно.

Омический контакт состоит из подслоя BeO p-типа проводимости толщиной от 2,8 до 3,2 нм, слоя золота толщиной от 3,8 до 4,2 нм и второго верхнего слоя BeO толщиной от 3,0 до 4,0 нм. Верхний слой BeO защищает полученную контактную структуру от воздействия атмосферы при термообработке и компенсирует избыточные деформации, возникающие на нижележащих интерфейсных границах. Слои BeO наносятся методом ионно-лучевого осаждения-распыления Be мишени ионами кислорода. Невысокая скорость распыления порядка 1 нм/с позволяет контролировать толщину осаждённых слоев по времени нанесения с нанометровой точностью. Полученные в работе результаты использованы при создании омических контактов к слоям GaN р-типа проводимости, полученных за счет легирования магнием до уровня концентрации 1018 см–3. Таким образом, реализована оригинальная технология формирования контактных слоёв к нитриду галлия р-типа проводимости.

Описание: F:\Диссертация\CoTiO2_5.tif

Рис. 5. Поперечное сечение многослойной наноразмерной структуры[Co(4 нм)/TiO2 (4 нм)]12 для спинтроники, сформированной на эпитаксиальном слое-подложке p-GaN после модификации ростовых дефектов поверхности

Разработанный метод заращивания дефектов металл-оксидами был также использован для получения на «сглаженной» поверхности GaN наноразмерных спинтронных структур Co/TiOx. Формирование сплошных многослойных плёночных структур Со/TiO2 большой площади с суммарной толщиной до 100 нм и четкими плоскопараллельными границами (рис. 5) было достигнуто за счет планаризации поверхности подложки в виде пленки GaN до субнаноразмерного уровня шероховатости методом многократного ионно-лучевого распыления-осаждения слоя AlOx.

Основные результаты и выводы.

Разработан комплексный метод качественного и количественного анализа ростовых дефектов в эпитаксиальных слоях GaN, включающий оценку их размеров, а также распределение по поверхности и объему слоя, основанный на сочетании ионно-лучевого распыления материала кислородом, наноразмерного локального препарирования плёнки сфокусированным ионным пучком и растровой электронной микроскопии высокого разрешения.

Предложен и исследован метод заращивания ростовых дефектов в пленках GaN, распространяющихся до границы раздела «плёнка-подложка», многократным периодическим осаждением-распылением толстого, сравнимого с толщиной эпитаксиальной пленки, слоя оксида алюминия (AlOx).

Предложен механизм преимущественного заполнения диэлектриком микрорельефа поверхности эпитаксиальной пленки GaN при заращивании поверхностных мелких и объёмных глубоких дефектов роста, основанный на повышении скорости осаждения материала в области дефекта по сравнению с планарной поверхностью плёнки, что обусловлено комбинацией трёх факторов: геометрией потока распыляемого материала, определяемого угловой зависимостью коэффициента распыления; массопереносом осаждаемого материала в зоне ростового дефекта, стимулированным энергетической неоднородностью зоны дефекта; продольным массопереносом материала по поверхности эпитаксиального слоя, стимулированным воздействием ионного пучка на материал.

На основе разработанного метода заращивания дефектов роста в эпитаксиальных пленках GaN последовательным многократным осаждением-распылением предложен и реализован способ изготовления оптически прозрачного омического контакта BeO/Au/BeO к слою p-GaN для оптоэлектронных приборов, работающих вплоть до ультрафиолетовой области спектра (Заявка на выдачу патента на изобретение РФ № 2009101266, приоритет от 16.01.2009).

На основе разработанного метода постростовой обработки эпитаксиальных плёнок GaN предложен и технически реализован процесс планаризации поверхности эпитаксиальных слоев – подложек GaN большой площади для структур спинтроники на базе наноразмерных слоевых композиций Co/TiO2.

Публикации

Патент

А. В. Беспалов, А. И. Стогний, А. А. Евдокимов, В. А. Кецко. Способ изготовления прозрачной омической контактной структуры BeO/Au/BeO/p-GaN // Заявка на выдачу патента РФ на изобретение № 2009101266, приоритет от 16.01.2009.

Публикации в центральных изданиях, включенных в перечень периодических изданий ВАК РФ

А. И. Стогний, М. В. Пашкевич, Н. Н. Новицкий, А. В. Беспалов, В. А. Кецко, F. Fettar, H. Garad. Послойное формирование наноструктур с объёмоподобными свойствами парциальных слоёв на примере Co/TiO2. // Неорганические материалы, 2010, т.46, №7, с. 1-7.

А. В. Беспалов, О. Л. Голикова, А. А. Евдокимов. Подложки для структур спинтроники на основе эпитаксиальных плёнок нитридных полупроводников. // Химическая технология, 2010, № 7 с.404-406.

А. И. Стогний, М. В. Пашкевич, Н. Н. Новицкий, А. В. Беспалов. Ионно-лучевая инженерия многослойной наноструктуры Co/TiO2. // Письма в «Журнал технической физики», 2010, т.36, вып.9, с.73-81.

Публикации в других изданиях

А. В. Беспалов, А. А. Евдокимов, Н. Н. Новицкий, В. И. Свитов, А. И. Стогний. Технология изготовления контактов из благородных металлов к p-GaN слоям. // Драгоценные металлы и камни, 2008, №4(172), с.167-171.

А. В. Беспалов, А. И. Стогний, Н. Н. Новицкий, А. С. Шуленков. Заращивание поверхностных дефектов в плёнках GaN методом многоразового ионно-лучевого осаждения-переосаждения наноразмерного оксидного слоя. // Тез. докл. 6 Всероссийской конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы». С-Пб., 2008, с.55-56.

А. И. Стогний, Н. Н. Новицкий, Е. В. Луценко, А. С. Шуленков, А. В. Беспалов, А. А. Евдокимов. Ионно-лучевое формирование прозрачного омического контакта Au/BeO на p-GaN. // Тез. докл. 6 Всероссийской конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы». С-Пб., 2008, с.121-122..

А. В. Беспалов, А. И. Стогний, Н. Н. Новицкий, А. С. Шуленков. Заращивание поверхностных дефектов в плёнках GaN методом многоразового ионно-лучевого осаждения-переосаждения наноразмерного оксидного слоя. // Труды XIII Междунар. симп. «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 2009, с.437.

А. В. Беспалов, Е. Ю. Усачев, А. С. Сигов. Комплексный подход к решению задач анализа отказов изделий микроэлектроники с субмикронными размерами. // Матер. конф. X юбилейного Международного форума и выставки «Высокие технологии XXI века». М., 2009, с.7-9.

А. В. Беспалов, О. Л. Голикова, Н. Н. Новицкий, А. И. Стогний. О нелокальном перераспределении материала в окрестности дефектов роста в GaN при ионно-лучевой обработке. // Тез. докл. 7 Всероссийской конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», С-Пб., 2010, с. 234-235.

А. В. Беспалов, О. Л. Голикова. Постростовая обработка пленок GaN в областях контактной металлизации. // Тез. докл. 7 Всероссийской конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», С-Пб., 2010, с. 195-196.

А. В. Беспалов. Применение сфокусированных ионных пучков для анализа поперечных сечений и дефектов роста методами СПЭМ и РЭМ в GaN. Труды XIV Междунар. симп. «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 2010, с.535-536.

А. И. Стогний, М. В. Пашкевич, Н. Н. Новицкий, А. В. Беспалов, F. Fettar. Ионно-лучевое конструирование многослойных наноструктур Co/TiO2 с объёмоподобными свойствами парциальных слоев. // Труды XIV Междунар. симп. «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 2010, с.405-406.

О. Л. Голикова, А. В. Беспалов, В. Я. Шкловер, П. Р. Казанский. 3D реконструкция микро – и наноразмерных объектов с использованием систем Dual Beam FIB/SEM, Тез. докл. XXIII Российская конференция по электронной микроскопии. Черноголовка, 2010, с.94.



Архивы pandia.ru
Алфавит: АБВГДЕЗИКЛМНОПРСТУФЦЧШЭ Я

Новости и разделы


Авто
История · Термины
Бытовая техника
Климатическая · Кухонная
Бизнес и финансы
Инвестиции · Недвижимость
Все для дома и дачи
Дача, сад, огород · Интерьер · Кулинария
Дети
Беременность · Прочие материалы
Животные и растения
Компьютеры
Интернет · IP-телефония · Webmasters
Красота и здоровье
Народные рецепты
Новости и события
Общество · Политика · Финансы
Образование и науки
Право · Математика · Экономика
Техника и технологии
Авиация · Военное дело · Металлургия
Производство и промышленность
Cвязь · Машиностроение · Транспорт
Страны мира
Азия · Америка · Африка · Европа
Религия и духовные практики
Секты · Сонники
Словари и справочники
Бизнес · БСЕ · Этимологические · Языковые
Строительство и ремонт
Материалы · Ремонт · Сантехника