2
Переход на пластины увеличенного диаметра позволит получать в 2,3 раза больше кристаллов
Немецкая компания Infineon Technologies впервые разработала работоспособные силовые полупроводниковые устройства на основе карбида кремния (SiC) с использованием кремниевых пластин диаметром 300 мм.
Опытное производство было организовано на заводе компании в австрийском Филлахе. Для этого удалось задействовать уже имеющееся оборудование, используемое для производства стандартных кремниевых чипов. Переход на пластины большего диаметра позволит получать в 2,3 раза больше кристаллов с одной заготовки по сравнению с ранее применяемым форматом 200 мм.
Это достижение стало значительным шагом к массовому производству компонентов SiC нового поколения. Infineon планирует согласовывать сроки внедрения технологии с клиентами и партнерами, одновременно продолжая развивать производство на 200-мм пластинах. Такие полупроводники востребованы в электромобилях, зарядных станциях, системах накопления энергии, промышленном оборудовании и источниках бесперебойного питания. Также увеличивается спрос со стороны центров обработки данных для искусственного интеллекта, где SiC-компоненты могут использоваться в трансформаторах, выключателях и системах электропитания.
Кроме того, завод Infineon в Дрездене подтвердил возможность применения технологии Cold Split для разделения 300-мм пластин карбида кремния. Эта технология позволяет получать больше заготовок из одного кристалла с меньшими потерями материала и сокращением времени обработки по сравнению с традиционной резкой проволокой. Компания развивает производство трех типов полупроводников — кремниевых, карбид-кремниевых и на основе нитрида галлия. В конце октября Infineon также объявила об инвестициях порядка 1,1 млрд евро в массовое производство силовых GaN-компонентов на 300-мм пластинах в Филлахе.
Источник