Томский политехнический университет | Экзаменационный билет № 1 | |
по дисциплине: Физика конденсированного состояния | ||
Факультет: ЕНМФ | ||
Курс: | ||
1. Электронная структура атомов. Химическая связь и валентность. Типы сил связи в твердых телах. 2. Пластические свойства вещества. 3. Классификация веществ по величине проводимости. Модельные представления о проводимости полупроводников. 4. Методы измерения физических величин в исследуемой области физики. | ||
Составил: ________________ | ||
УТВЕРЖДАЮ: | Зав. каф. общей физики _____________ | |
« » __________ 200_ г. | ||
Томский политехнический университет | Экзаменационный билет № 2 | |
по дисциплине: Физика конденсированного состояния | ||
Факультет: ЕНМФ | ||
Курс: | ||
1. Электроотрицательность атомов. 2. Электронные свойства твердых тел: основные экспериментальные факты. 3. Дефекты кристаллической решетки. Классификация дефектов. 4. Использование моделей физических процессов. | ||
Составил: ________________ | ||
УТВЕРЖДАЮ: | Зав. каф. общей физики _____________ | |
« » __________ 200_ г. | ||
Томский политехнический университет | Экзаменационный билет № 3 | |
по дисциплине: Физика конденсированного состояния | ||
Факультет: ЕНМФ | ||
Курс: | ||
1. Связи в твердых телах. Ионная связь. Энергия Маделунга. 2. Уравнение Шредингера. Атомные орбитали, молекулярные орбитали. 3. Точечные дефекты в состоянии теплового равновесия: дефекты Шоттки. 4. Основные принципы построения приборов для измерений физических величин в заданной области физики. | ||
Составил: ________________ | ||
УТВЕРЖДАЮ: | Зав. каф. общей физики _____________ | |
« » __________ 200_ г. | ||
Томский политехнический университет | Экзаменационный билет № 4 | |
по дисциплине: Физика конденсированного состояния | ||
Факультет: ЕНМФ | ||
Курс: | ||
1. Электронные конфигурации атомов и периодическая система элементов. 2. Связи в твердых телах. Ковалентная связь. Основные свойства ковалентной связи. Структура веществ с ковалентными связями. 3. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Элементарная теория примесных состояний. Методы измерения физических величин в исследуемой области физики. | ||
Составил: ________________ | ||
УТВЕРЖДАЮ: | Зав. каф. общей физики _____________ | |
« » __________ 200_ г. | ||
Томский политехнический университет | Экзаменационный билет № 5 | |
по дисциплине: Физика конденсированного состояния | ||
Факультет: ЕНМФ | ||
Курс: | ||
1. Кристаллические и аморфные твердые тела. Трансляционная симметрия. Базис и кристаллическая структура. Элементарная ячейка. Ячейка Вигнера – Зейтца. 2. Контактные явления в металлах и полупроводниках. Работа выхода. Контактная разность потенциалов. 3. Методом, в котором металлический образец получал механическое ускорение было экспериментально определено отношение e/m для электронов. Предполагая электроны в металле свободными, объяснить, как это можно сделать. 4. Использование моделей физических процессов. | ||
Составил: ________________ | ||
УТВЕРЖДАЮ: | Зав. каф. общей физики _____________ | |
« » __________ 200_ г. | ||
Томский политехнический университет | Экзаменационный билет № 6 | |
по дисциплине: Физика конденсированного состояния | ||
Факультет: ЕНМФ | ||
Курс: 1 | ||
1. Кристаллографические плоскости и направления. Индексы Миллера. 2. Упругие свойства твердых тел. Диаграмма деформации. 3. Адиабатическое и одноэлектронное приближения при решении уравнения Шредингера для электрона в кристалле? Вид волновой функции и энергии в рамках этих приближений. 4. Основные принципы построения приборов для измерений физических величин в заданной области дисциплин. | ||
Составил: ________________ | ||
УТВЕРЖДАЮ: | Зав. каф. общей физики _____________ | |
« » __________ 200_ г. | ||
Томский политехнический университет | Экзаменационный билет № 7 | |
по дисциплине: Физика конденсированного состояния | ||
Факультет: ЕНМФ | ||
Курс: | ||
1. Обратная решетка, ее свойства. Зоны Бриллюэна. 2. Электроны в металлах. Типичные свойства металлов. 3. Дислокации. Напряжения, необходимые для образования дислокации в совершенном кристалле. 4. Методы измерения физических величин в исследуемой области физики. | ||
Составил: ________________ | ||
УТВЕРЖДАЮ: | Зав. каф. общей физики _____________ | |
« » __________ 200_ г. | ||
Томский политехнический университет | Экзаменационный билет № 8 | |
по дисциплине: Физика конденсированного состояния | ||
Факультет: ЕНМФ | ||
Курс: | ||
1. Пространственные и точечные группы (кристаллические классы). Классификация решеток Браве. 2. Модель Друде – Лоренца для электропроводности твердых тел. 3. При плавлении льда объем образующейся воды становится меньше и уменьшается при дальнейшем ее нагревании от 0 до 4°С. Как объяснить это явление на основании изменения связей молекул? 4. Использование моделей физических процессов. | ||
Составил: ________________ | ||
УТВЕРЖДАЮ: | Зав. каф. общей физики _____________ | |
« » __________ 200_ г. | ||
Томский политехнический университет | Экзаменационный билет № 9 | |
по дисциплине: Физика конденсированного состояния | ||
Факультет: ЕНМФ | ||
Курс: | ||
1. Примеры кристаллических структур: простая кубическая, ОЦК, ГЦК, ГПУ, структура типа CsCl, типа NaCl, структура типа перовскита CaTiO3. 2. Квантовая теория свободных электронов в металле 3. Начертите зонную схему, соответствующую контакту металл - полупроводник n-типа для случая, когда термодинамическая работа выхода электрона из полупроводника больше, чем из металла. Объясните. 4. Основные принципы построения приборов для измерений физических величин в заданной области физики. | ||
Составил: ________________ | ||
УТВЕРЖДАЮ: | Зав. каф. общей физики _____________ | |
« » __________ 200_ г. | ||
Томский политехнический университет | Экзаменационный билет № 10 | |
по дисциплине: Физика конденсированного состояния | ||
Факультет: ЕНМФ | ||
Курс: | ||
1. Дифракция как метод исследования. Использование трех типов излучения. Условие дифракции Брэгга. 2. Статистика Ферми-Дирака. 3. Дислокации. Вектор Бюргерса. 4. Методы измерения физических величин в исследуемой области физики. | ||
Составил: ________________ | ||
УТВЕРЖДАЮ: | Зав. каф. общей физики _____________ | |
« » __________ 200_ г. | ||
Томский политехнический университет | Экзаменационный билет № 11 | |
по дисциплине: Физика конденсированного состояния | ||
Факультет: ЕНМФ | ||
Курс: | ||
1.Свойства микрочастиц. Волны и частицы. Плотность состояний. 2. Электронно-дырочный переход в полупроводниках. Выпрямляющие свойства p-n перехода. 3. Объясните, как используя график, связывающий удельную проводимость примесного полупроводника и температуру, можно определить: а) ширину запрещенной зоны полупроводника; б) глубину залегания примесных уровней. 4.Использование моделей физических процессов. | ||
Составил: ________________ | ||
УТВЕРЖДАЮ: | Зав. каф. общей физики _____________ | |
« » __________ 200_ г. | ||
Томский политехнический университет | Экзаменационный билет № 12 | |
по дисциплине: Физика конденсированного состояния | ||
Факультет: ЕНМФ | ||
Курс: | ||
1.Двумерные кристаллические решетки Бравэ. 2.Энергетические зоны в кристаллах. Заполнение энергетических зон: проводники, полупроводники, диэлектрики. 3.Точечные дефекты в состоянии теплового равновесия: дефекты Френкеля. 4.Основные принципы построения приборов для измерений физических величин в заданной области физики. | ||
Составил: ________________ | ||
УТВЕРЖДАЮ: | Зав. каф. общей физики _____________ | |
« » __________ 200_ г. | ||
