Приложение к Информационной карте
Требования, установленные заказчиком, к качеству, техническим характеристикам товара, требования к их безопасности, требования к функциональным характеристикам (потребительским свойствам) товара и иные показатели
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
на поставку комплекта учебно-лабораторного оборудования для оснащения
лаборатории исследования наноструктур
№ п/п | Наименование | Функциональные характеристики (потребительские свойства), качественные характеристики товара | Кол-во. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1 | Настольный программно-аппаратный нанотехнологический комплекс на основе сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) в составе: | Предназначен для исследования в атмосферных условиях проводящих и слабопроводящих образцов | 1 компл | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1.1 | Сканирующий туннельный микроскоп | Предназначен для: - определения топологии поверхности образцов в виде чётких 2D - и 3D-изображений с атомарным разрешением; - определения работы выхода и импеданса - определения примесей в исследуемом материале; измерения вольт-амперных и дифференциальных характеристик материала (определение типа проводимости материала, анализ структур проводящих и магнитных образцов) на атомно-молекулярном уровне; - определения примесей в исследуемом материале; - измерения параметров профиля (шероховатость, размер включений и наночастиц); - измерения всех типов дифференциальных спектров: dI/dU, dI/dH, dH/dU, определения амплитуды и сдвига фаз между измеряемыми каналами. Изучения коррозии, в том числе и гетерогенных материалов, с четким определением структуры «зёрен» разного состава, исследования композитных материалов, различия зон с разным типом проводимости и уровнем легирования в полупроводниках. - осуществления оценки длительного внешнего воздействия на образцы в режиме реального времени (определение коррозионной устойчивости, радиационного воздействия.). Также позволяет выполнять работы, требующие определение характеристик материалов и сред на атомно-молекулярном уровне и проводить их анализ (в т. ч. анализ состояния покрытий и поверхностей обработанных деталей; исследование электропроводящих поверхностей, коррозии ). Характеристики:
Комплект СТМ должен включать:- блок пьезоманипуляторов, с системой виброизоляции - 1 шт;- блок управления - 1шт;- программное обеспечение блока управления -1шт;- комплект наборов тестовых образцов для проведениялабораторных работ (не менее 3) -1компл.- руководство по эксплуатации- паспортМасса комплекса – не более 10 кг. | – 1 шт. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1.2 | Автоматическая установка для заточки зондов туннельных микроскопов (УЗЗ) | Осуществляет заточку острых вольфрамовых зондов (игл) для туннельных микроскопов электрохимическим способом с автоматическим контролем прерывания процесса. Устройство работает на базе микроконтроллера.. Процесс травления осуществляется в растворе KOH. Характеристики:
Комплектация - устройство для заточки зондов 1 шт.; - цифровой микроскоп (увеличение не менеераз; возможность подключения к компьютеру) – 1 шт.; - цифровая камера разрешением не менее 300К пикселов – 1 шт.; - руководство пользователя – 1 шт.; – паспорт – 1 шт.; Масса (без вспомогательных устройств) – не более 2,5 кг. | 1 шт. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1.3 | Комплект методических материалов для подготовки лабораторных работ | Включает методические материалы по темам: 1. Исследование топографии поверхности методом сканирующей туннельной микроскопии. Принципы сканирующей туннельной микроскопии, оборудование для исследования поверхности неразрушающим методом. 2. Исследование коррозии поверхности методом сканирующей туннельной микроскопии. Виды и причины коррозии металлов, современные методы защиты от коррозии, Методы определения показателей коррозии и коррозионной стойкости, Изучение ГОСТов определение показателей коррозии. 3. Определение вольт-амперных характеристик металлов и полупроводников с помощью сканирующего туннельного микроскопа. Приобретение практических навыков по снятию вольт-амперных характеристик с помощью сканирующего туннельного микроскопа; ознакомление с особенностями вольт-амперных характеристик для контактов металл-металл, металл-полупроводник. Понятие уровня Ферми, прямое и обратное смещение, p-n переход, диод Шоттки. 4. Изучение формирования тонких пленок золота до и после отжига методом сканирующей туннельной спектроскопии. Свойства тонких пленок, явлениями и процессы, протекающие на поверхности пленки и на границе раздела пленка–подложка, теория об образовании металлического покрытия в вакууме. | 1 шт. |


