Физические основы электронной техники

« 01 » сентября 2009 г.

Фонд контролирующих материалов для рубежного контроля учебной деятельности студентов

Томский политехнический университет

Электрофизический факультет

Физические основы электронной техники

Контрольная работа №1

Электрический ток в вакууме и газах. Электронная эмиссия.

1.  Явление фотоэффекта.

2.  Вторичная электронная эмиссия.

3.  Явление газового усиления.

4.  Эффект Шоттки.

5.  Закон Пашена.

6.  Уравнение термоэлектронной эмиссии.

7.  Фотоэлектронная эмиссия.

8.  Электростатическая эмиссия.

9.  Автоэмиссионные катоды.

10.  Параметры, характеризующие электрическое и магнитное поле.

11.  Классификация электронных приборов.

12.  Фотоэлектронная эмиссия.

13.  Вторичная электронная эмиссия.

14.  Получение плазмы.

15.  Плазма.

16.  Несамостоятельный дуговой разряд.

17.  Самостоятельный дуговой разряд.

18.  ВАХ разрядов.

19.  Тлеющий разряд.

20.  История развития электронной техники.

21.  Применение плазмы.

22.  Движение заряженной частицы в электрическом поле.

23.  Движение электрона в магнитном поле.

24.  Движение электрона в электрическом и магнитном полях.

25.  Термоэлектронная эмиссия.

26.  Оксидный катод.

27.  Электростатическая (автоэлектронная, катодная) эмиссия.

28.  Влияние внешнего ускоряющего электрического поля на термоэлектронную эмиссию.

Контрольная работа №2

Основы физики полупроводников и электронно-дырочных переходов.

Полупроводниковые диоды.

1.  Кристаллическая структура твёрдых тел.

2.  Виды связей между структурными элементами в кристаллах.

3.  Равновесное расположение частиц в кристалле.

4.  Энергетическое состояние электронов в атоме в равновесии.

5.  Законы распределения носителей заряда в зонах полупроводника.

6.  Подвижность носителей и удельная проводимость полупроводника.

7.  Рекомбинация и время жизни носителей в полупроводниках.

8.  Токи в полупроводниках.

9.  Энергетическое состояние электронов в атоме при приложении внешнего электрического поля.

10.  Собственный полупроводник.

11.  Примесные полупроводники (рассмотреть на примере донорной примеси).

12.  Примесные полупроводники (рассмотреть на примере акцепторной примеси).

13.  Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия.

14.  Прямое включение p-n-перехода.

15.  Обратное включение p-n-перехода.

16.  Теоретическая ВАХ p-n-перехода.

17.  Реальная ВАХ p-n-перехода.

18.  Емкости p-n-перехода.

19.  Выпрямительные диоды (привести осциллограммы).

20.  Стабилитроны и стабисторы.

21.  Варикапы.

22.  Контакт металла с полупроводником.

23.  Виды пробоев p-n-перехода.

Контрольная работа №3

Биполярные транзисторы и тиристоры. Полевые приборы.

1.  Принцип действия биполярного транзистора.

2.  Схема с общей базой у биполярного транзистора.

3.  Схема с общим эмиттером у биполярного транзистора.

4.  Влияние температуры на статические характеристики биполярных и полевых транзисторов.

5.  Дифференциальные параметры биполярного транзистора.

6.  Модель биполярного транзистора.

7.  Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов.

8.  Работа транзистора в усилительном режиме.

9.  Полевой транзистор с p-n переходом.

10.  Входные и выходные характеристики полевого транзистора.

11.  МДП-транзистор с индуцированным каналом.

12.  МДП-транзистор со встроенным каналом.

13.  Эквивалентные схемы включения биполярных транзисторов.

14.  Полевые транзисторы с изолированным затвором.

15.  Режимы работы биполярного транзистора.

16.  Физические процессы в биполярном транзисторе.

17.  Схемы включения биполярных транзисторов.

18.  Работа биполярного транзистора в активном режиме.

19.  Статические характеристики биполярного транзистора.

20.  Работа динистора.

21.  Работа триодного тиристора.

22.  Управляемые тиристоры.

Заведующий кафедрой ПМЭ _____________