| НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ «МИСиС» Институт новых материалов и нанотехнологий |
Программа
вступительных испытаний при приеме в магистратуру на направленияя «Электроника и наноэлектроника» и «Техническая физика»
1. Элементы симметрии, преобразования симметрии.
2. Сингонии
3. Индексы Миллера
4. Закон Вульфа-Брегга.
5. Рентгеновские методы исследования структуры кристаллов.
6. Тензор деформации и тензор напряжений.
7. Теплоемкость кристаллов.
8. Зонная структура полупроводников.
9. Электроны и дырки.
10. Энергетический спектр носителей заряда в постоянном и однородном магнитном поле (квантовая теория).
11. Распределение квантовых состояний в зонах.
12. Взаимная компенсация доноров и акцепторов.
13. Кинетическое уравнение Больцмана.
14. Фотопроводимость.
15. Электронно-дырочные переходы.
16. Туннельный эффект в n-p переходах.
17. Явления в контактах. Потенциальные барьеры.
18. Термоэлектронная работа выхода.
19. Контактная разность потенциалов.
20. Поверхностные состояния.
21. Фотоэлектродвижущие силы.
22. Ионная проводимость кристаллов.
23. Пробои как нарушение стационарного режима электропроводимости.
24. Особенности сильно легированных полупроводников.
25. Пироэлектричество в кристаллах.
26. Поглощение, отражение и испускание света полупроводниками и диэлектриками.
27. Люминесценция кристаллов.
28. Магнитооптические явления, эффекты Фарадея, Фохта.
29. Политипизм и полиморфизм.
30. Температурная зависимость равновесных концентраций дефектов.
31. Дефекты, вызванные инородными примесями.
32. Механизмы диффузии.
33. Кинетика гетерогенных процессов и её методы в технологии получения кристаллов с дефектами.
34. Элементарные процессы зародышеобразования и роста кристаллов.
35. Теоретические основы кристаллизационных методов очистки монокристаллов.
36. Гетерогенные равновесия.
37. Понятие о фазах переменного состава.
38. Современные методы исследования концентрации и распределения дефектов, вызванных нарушением стехиометрии кристалла.
39. Основные принципы термодинамики неравновесных процессов.
40. Полупроводниковые диоды на основе p-n переходов и барьера Шоттки.
41. Физика работы солнечных батарей.
42. Инжекционные лазеры.
43. Современные методы выращивания монокристаллов.
44. Методы эпитаксии кремния из газовой фазы.
45. Принцип эпитаксии из молекулярных пучков и области применения.
46. Магнитные материалы.
47. Магнитные плёнки.
48. Способы получения тонких плёнок.
49. Использование металлоорганических соединений для получения плёнок металлов, диэлектриков и полупроводниковых структур.
50. Методы измерения электрических параметров полупроводников.
