Высоковольтная радиационностойкая компонентная база на основе SiC для работы в экстремальных условиях

Высоковольтная радиационностойкая компонентная база на основе SiC для работы в экстремальных условиях.

Условные обозначения макетных

образцов на основе SiC.

I Условные обозначения макетных образцов SiC JFET и MOSFET транзисторов.

№ п/п	Условное обозначение	Назначение	Основные эл. параметры	Корпус
VDS, В	ID, А	RDS, Om
1	2	3	4	5	6	7
1	КП12К085	JFET транзистор с нормально открытым каналом	1200	27	0,085	типа КТ-43А-1 без медного осн.
2	КП12МК085	JFET транзистор с нормально открытым каналом	1200	27	0,085	МК типа КТ-43А-2 с медным осн.
3	КМ12К08	MOSFET n-канальный транзистор	1200	35	0,08	типа КТ-43А-1 без медного осн.
4	КМ12МК08	MOSFET n-канальный транзистор	1200	35	0,08	МК типа КТ-43А-2 с медным осн.

Примечания:

1.  КП – JFET транзистор, КМ – MOSFET транзистор;

2.  12 – VDS по классу;

3.  К – керамический корпус, МК – металлокерамический корпус;

4.  08, 085 – сопротивление канала.

II Условные обозначения макетных образцов SiC диодов и диодных сборок Шоттки.

№ п/п	Условное обозначение	Назначение	Основные эл. параметры	Корпус
VRRM, В	IF(AV), А	VF, В
1	2	3	4	5	6	7
1	К1П12 К1П09 К1П06	диод	1200 900 600	1,0	не более 1,6	КТ-47 (Sot89)
2	К1К12 К1К09 К1К06	диод	1200 900 600	1,0	не более 1,6	4601.3-1
3	К1МС12 К1МС09 К1МС06	диод	1200 900 600	1,0	не более 1,6	КТ-1
4	К3П12 К3П09 К3П06	диод	1200 900 600	3,0	не более 2,2	КТ-89 (ТО-252)
5	К3К12 К3К09 К3К06	диод	1200 900 600	3,0	не более 2,2	4601.3-1
6	КС5К12 КС5К09 КС5К06	диодная сборка (не объединённые)	1200 900 600	5,0	не более 2,0	427.4-1

1	2	3	4	5	6	7
7	КС20К12к КС20К09к * КС20К06к	диодная сборка (с общ. катодом)	1200 900 600	2х20,0	не более 2,2	типа КТ-43А-1 без медного осн.
8	КС20К12а КС20К09а * КС20К06а	диодная сборка (с общ. анодом)	1200 900 600	2х20,0	не более 2,2	типа КТ-43А-1 без медного осн.
9	КС20МК12к КС20МК09к * КС20МК06к	диодная сборка (с общ. катодом)	1200 900 600	2х20,0	не более 2,2	МК типа КТ-43А-2 с медным осн.
10	КС20МК12а КС20МК09а * КС20МК06а	диодная сборка (с общ. анодом)	1200 900 600	2х20,0	не более 2,2	МК типа КТ-43А-2 с медным осн.
11	КС1К17 КС1К12 * КС1К09 КС1К06	однофазный диодный мост	1700 1200 900 600	4х1,0	не более	КТ-108
12	КС3К17 КС3К12 * КС3К09 КС3К06	однофазный диодный мост	1700 1200 900 600	4х3,0	не более	КТ-108

Примечания:

1.  К – SiC;

2.  С – сборка;

3.  1, 3, 5 – ID;

4.  П – пластмассовый корпус, К – керамический корпус, МК – металлокерамический корпус, МС – металлостеклянный корпус;

5.  06, 09, 12 – VRRM по классу;

6.  а – сборка с общим анодом, к – сборка с общим катодом.

7.  * - в разработке

Техническая поддержка:

(48, (48