«Основы электронной и микропроцессорной техники» (стр. 2 )

Методика расчета электрических параметров выпрямительных схем и устройств стабилизации напряжения питания.

Тема 4.2 Вентильные преобразователи [Л.5;Д.19]

Общие сведения о вентильных преобразователях: назначение, виды, классификация. Инверторы, ведомые сетью: однофазный, трехфазный, схема, принцип работы, временные диаграммы, применение. Внешние характеристики.

Автономные инверторы: назначение, особенности применения, типы. Автономные инверторы тока (АИТ): схемы, принцип работы, временные

диаграммы, управление, применение. Автономные инверторы напряжения (АИН): схемы, принцип работы, временные диаграммы, управление, применение. Общие сведения об автономных резонансных инверторах (АИР).

Тема 4.3 Импульсные преобразователи [Л.8, 16;Д.23]

Импульсные преобразователи постоянного напряжения; схема мостового преобразователя на ключевых транзисторах. Понятие о широтно-импульсных преобразователях. Преобразователи частоты с промежуточным звеном постоянного тока и с непосредственной связью питающей сети и нагрузочного устройства: схема, принцип работы, применение.

Фазосмещающее устройство; функциональные и структурные схемы управления (общие сведения). Электромагнитная совместимость, коэффициент полезного действия (к. п.д.) и коэффициент мощности (cos j) вентильных преобразователей.

Вопросы для самопроверки:

1 Почему большинство активных элементов электронных устройств питается от источников постоянного напряжения?

2 Укажите основные технические показатели выпрямительных схем. Проведите сравнение выпрямительных схем по их основным параметрам.

3 Как подбирают вентили (диоды) для работы в схемах выпрямления?

4 Объясните физический смысл коэффициента пульсаций.

5 Укажите достоинства и недостатки сглаживающих RС – фильтров по сравнению с фильтрами типа LС.

6  В каких режимах, и какие вентильные преобразователи потребляют от сети только активную мощность? Какие вентильные преобразователи не потребляют реактивную мощность; мощность искажения?

7 Объяснить работу однофазного выпрямителя с нулевым вентилем. Почему введение нулевого вентиля повышает коэффициент мощности?

8 Объяснить причины отрицательного влияния вентильных преобразователей на качество электрической энергии в сетях соизмеримой мощности, перечислить экономические издержки при ухудшении качества электрической энергии.

9 Объясните назначение стабилизаторов напряжения и тока в схемах источников питания.

10 Нарисуйте графики, объясняющие работу двухтактного преобразователя постоянного напряжения.

11 Как влияет величина нагрузки и соотношение между Rн и Lн в инверторе напряжения на форму выходного напряжения и тока?

12 Как зависит мощность в нагрузке резонансного инвертора от частоты? Чем ограничена максимальная рабочая частота?

13 В портативных телевизорах и осциллографах часто используют преобразователи постоянного напряжения. С какой целью?

4 Перечень лабораторных работ

№ работы	Наименование	Кол-во часов
1	Лабораторная работа № 1 Снятие вольтамперных характеристик полупроводникового диода	2
2	Лабораторная работа № 2 Снятие характеристик биполярного транзистора	2
3	Лабораторная работа № 3 Исследование работы усилительного каскада	2

5 Литература

Основная:

1  Жеребцов электроники, Л., Энергоиздат, 1985.

2  Герасимов промышленной электроники, М., Высшая школа, 1986.

3  К Основы промышленной электроники, М., Высшая школа, 1985.

4  Харченко электроники, М., Энергоиздат, 1982.

5  , Чаплыгин электроника, М., Энергоатомиздат, 1988.

6  Гершунский электроники, Киев, Высшая школа, 1977.

7  Калабеков устройства и микропроцессорные системы, М., Радио и связь, 1997.

8  , Федосеева электроники и микроэлектроники, М., Искусство, 1990.

9  Кучумов и схемотехника, М., ГЕЛИОС АРВ,2002.

10  Новиков цифровой схемотехники. Базовые элементы и схемы, методы проектирования, М., Мир, 2001.

11 РМЭК 536-94 - Классификация электротехнического и электронного оборудования по способу защиты от поражения электрическим током.

12 Р50462 (МЭК446-89) – Идентификация проводников по цветам или цифровым обозначениям.

13 Р34.1350-93 - Информационная технология. Интерфейсы для сопряжения радиоэлектронных средств. Основные положения.

14  ОСТ 2.730-73 ЕСКД Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые. – Взамен ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68, в части 33-34 таблицы.

15  ГОСТ 2.731-81 ЕСКД Обозначения условные графические в схе мах. Приборы электровакуумные – Взамен ГОСТ 2.731-68.

16  ГОСТ 2.763-85 ЕСКД Обозначения условные графические в электрических схемах. Устройства с импульсно-кодовой модуляцией.

17  ГОСТ 2.764-86 ЕСКД Обозначения условные графические в электрических схемах. Интегральные оптоэлектронные элементы индикации.

18  ГОСТ 2.701-84 ЕСКД Схемы. Виды и типы. Общие требования к выполнению. Взамен ГОСТ 2.701-76.

Дополнительная:

1  Электротехника и электроника в 3-х книгах. Электрические измерения и основы электроники /Под редакцией , М., Энергоатомиздат, 1998.

2  Партала электроника, СПб., Наука и техника, 2000.

3  , Иваненко по электронике для молодого рабочего, М., Высшая школа, 1987.

4  Кисаримов электрика, М., Радио 2000 Софт.

5  , Лямин приборы, М., Лайт Лтд, 2000.

6  , , Гуров и цифровая электроника, М., Горячая линия-Телеком, 2002.

6 Методические указания к выполнению

контрольной работы

Задания к контрольной работе разработаны 100 вариантов. Вариант для каждого студента представляет собой две последние цифры его шифра. Перед тем как приступить к решению задач контрольной работы, следует изучить методические указания. Для правильного и качественного ответа следует изу-чить соответствующий материал из рекомендованной литературы. Ответ на вопрос должен быть конкретным с пояснением физической сущности работы того или иного устройства.

Контрольная работа № 1 включает в себя разделы и темы, рассматрива-емые по курсу учебной дисциплины «Основы электронной и микропроцес-сорной техники».

Задание 1 - теоретический вопрос.

Задание 2 - решение задач.

Задание 3 - практическое составление схем.

Задание 4 - теоретический вопрос.

Для решения задач по теме «Полупроводниковые диоды» следует изучить устройство, параметры, характеристики, принцип действия и маркировку приборов.

Принцип работы диода заключается в том, что он пропускает ток только в одном направлении, а именно: от анода к катоду (электроны же движутся от катода к аноду), когда к аноду приложен «плюс» источника питания, а к катоду – «минус». Если изменить полярность, то ток проходить не будет. Рассмотреть вольтамперную характеристику диода. Зависимость анодного тока диода от анодного напряжения на рабочем участке подчиняется закону степени трех вторых.

ia = gUa3/2 ,

где g - коэффициент, зависящий от формы и геометрических размеров элект-

родов диода.

Для понимания принципа работы полупроводниковых приборов необхо-димо изучить проводимость полупроводников, влияние примесей на проводимость полупроводников, образование электронной проводимости типа «n» и дырочной проводимости типа «р».

Рассмотрим образование проводимости типа «n» и «p» упрощенным способом. Полупроводники обладают кристаллическим строением. Все атомы связаны между собой ковалентными связями. То есть у двух соседних атомов по одному валентному электрону вращается на одной общей орбите. Если меж-ду атомами четырехвалентного полупроводника поместить атом другого пяти-валентного элемента, то этот атом с помощью своих четырех электронов всту-пит в ковалентную связь с четырьмя соседними атомами полупроводника, а пятый электрон остается свободным. Полупроводник приобретает электрон-ную проводимость типа «n». Если же в полупроводник ввести трехвалентную примесь, то одна ковалентная связь остается свободной. Эта незаполненная связь называется дыркой, а полупроводник приобретает проводимость типа «р».

После изучения основных положений полупроводниковых приборов необходимо приступить к изучению принципа действия полупроводникового диода.

Если совместить полупроводник типа “n” с полупроводником типа “p”, то получится полупроводниковый диод. Свободные электроны атомов примеси будут проникать из “n” полупроводника в дырки “p” полупроводника и на границе между ними образуется разность потенциалов; потенциальный барьер называется p-n переходом.

Этот двойной электрический слой на границе препятствует дальнейшему проникновению электронов из “n” области в “p” область.

Наличие запорного слоя объясняет одностороннюю проводимость диода. Если внешний источник включить минусом к “n” области, а плюсом - к “p”, то он будет способствовать движению электронов из “n” области в “p” область. ([1], рис. 3.4, стр.60). В цепи потечет прямой ток. Сопротивление диода мало. При обратной полярности через диод проходит незначительный обратный ток, обусловленный движением неосновных носителей зарядов через p-n переход. Сопротивление диода велико. При повышении температуры разрушаются ковалентные связи в полупроводнике, что приводит к образованию пар носителей заряда «электрон-дырка». Поэтому увеличивается и прямой ток и обратный. Пробой диода может быть при меньшем обратном напряжении.

После этого приступают к рассмотрению вопросов применения маломощных двухэлектродных приборов в качестве выпрямителей.

Выпрямители предназначены для преобразования переменного тока в постоянный. Существуют различные схемы выпрямления однофазного переменного тока. Простейшей является однополупериодная, в которой после-довательно с диодом включается нагрузочное сопротивление.

Ток в цепи протекает, когда клемма «а» имеет положительный потенциал. Вольтметр, включенный на зажимы а, б, показывает действующее значение напряжения: U1 = 0,707Umax. Вольтметр, включенный на зажимы нагрузки, показывает среднее выпрямленное значение, которое для данной схемы равно U2 = 0,45U1. Этот выпрямитель работает только в один полупериод. В непроводящую часть периода к диодам приложено все напряжение U1. Максимальная величина обратного напряжения определяется как амплитуда выпрямленного напряжения

Uобр = Umax = 3,14U2

Если допустимое обратное напряжение диода превышает величину выпрямляемого напряжения, то последовательно включает п-е количество диодов, которые шунтируют обязательно высокоомными равными сопротивле-ниями для выравнивания обратных напряжений. Выпрямитель может быть собран на электровакуумных, ионных и полупроводниковых диодах. Выпрямитель по такой схеме дает сильно пульсирующий ток. Двухполупериодные выпрямители имеют коэффициент пульсации в два раза меньший.

Существует ток со средней точкой. Ток протекает каждую часть периода, но под действием половины вторичного напряжения. U = Uобр. max = 3,14Uo ([1], рис.5.3а, стр. 127).

Наиболее распространена мостовая схема выпрямителя ([1],рис.5.3б, стр.127). По вторичной обмотке трансформатора протекает синусоидальный ток, а по нагрузке – выпрямленный, U0 = 0,9U2 – выпрямленное напряжение. В непроводящую часть периода к диоду приложена половина вторичного напряжения U = Uобр. max = 1,57U0. При одном и том же выпрямленном напряжении обратное напряжение для мостовой схемы в два раза меньше, чем в схеме со средней точкой.

Для уменьшения пульсации напряжения на нагрузке применяют сглажи-вающие фильтры.

Наличие пульсации выпрямленного напряжения ухудшает работу потребителей, питаемых выпрямленным напряжением. Например, при питании усилителей радиоприемных и радиопередающих устройств переменная составляющая выпрямленного напряжения создает фон на выходе усилителя, то есть дополнительные колебания амплитуды выходного напряжения низкой частоты. При питании тяговых двигателей пульсирующим напряжением ухудшаются условия коммутации тока и увеличиваются потери в двигателе. Вследствие этого пульсации напряжения на нагрузке должны быть снижены до значений, при которых не сказывается их отрицательное влияние на работу установки.

Задачи по теме «Биполярные транзисторы» предусматривают определение его основных параметров и характеристик.

Для получения транзистора совмещают три полупроводника. Средний проводник, называемый базой, имеет обратный тип проводимости по отноше-нию к крайним полупроводникам – эмиттеру и коллектору: р-п-р или п-р-п.

На переход эмиттер – база напряжение подается в прямом направлении, поэтому даже при небольших напряжениях через него проходят значительные токи. На переход коллектор - база напряжение подается в обратном направле-нии. Оно обычно в десятки раз выше напряжения между эмиттером и базой. Через этот переход протекает небольшой обратный ток IКБо под действием UКБ.

Рассмотрим работу полупроводникового триода типа р-п-р. [1], рис.3.13, стр.75.

При прямом включении эмиттера дырки начинают двигаться в сторону базы. База выполнена из полупроводника, поэтому дырки являются для нее неосновными носителями заряда, и под действием поля коллектора большинство этих неосновных зарядов достигает коллектора, образуя в коллекторной цепи ток Iк. Часть дырок, попавших в базу, рекомбинирует с ее электронами, образуя базовый ток Iб. Коэффициент передачи тока

Iк

b = ------ < 1 составляет 0,9.

Iб

Iк = Iко + Iэ.

Вывод. Путем изменения тока базы или тока эмиттера, в зависимости от схемы включения, можно изменять величину выходного коллекторного тока.

В радиотехнике и автоматике часто приходится иметь дело с очень малыми сигналами, которые непосредственно на исполнительные механизмы не могут воздействовать. Их усиливают с помощью усилителей.

Структурная схема усилителя дана в [1], стр.141, рис.6.1.

Усилитель всегда имеет входную цепь, куда подключается напряжение Uвх, которое необходимо усилить (вход), выходную цепь, откуда снимается усиленное напряжение Uвых (выход) и цепь питания, куда подается напряжение питания Еа.

Следует уяснить, что входное усиливаемое напряжение не попадает в выходную цепь. В выходной цепи только воспроизводится входной сигнал. Выходной сигнал отличается от входного только величиной.

Усиленное свойство транзистора в схеме с ОБ ([1], рис.3.13, стр.75) за-ключается в следующем: Rн rк, где rк – велико, а следовательно, и Rн велико, так как коллекторный переход включен обратно, а rэ мало, так как эмиттерный переход включен согласно.

Под действием входного напряжения ток эмиттера изменяется на

Uвх

Iэ = ------- ,

rэ

почти так же изменится и ток коллектора Iк » Iэ.

Следовательно, изменится напряжение на нагрузке к коллекторной цепи, которое будет равно: Uк = Iк. rк или Uк = Uвх. rк / rэ, rк >> rэ, то есть прошло усиление по напряжению. Аналогично объясняется и усиление по мощности.

Рвх = I2э *rэ

Рвых = I2к *rк

или

rк

Рвых = Рвх ----- .

rэ

См. [1], рис.3.13, стр. 75.

Вывод: Усилительное свойство транзистора объясняется тем, что сопро-тивление коллекторной цепи значительно больше сопротивления эмиттерной цепи.

Различают три основные схемы включения транзистора: с общей базой, с общим эмиттером, с общим коллектором. Наибольшее применение получила схема с большим эмиттером. Она дает усиление и по напряжению КU = Uк / Uэ ; и по току Ki = Iк / Iб, а следовательно, имеет наибольший коэффициент усиления по мощности Кр = Кi. KU. Каждой их перечисленных схем включения транзисторов соответствует своя система характеристик и параметров. [1], рис. 3.14, стр. 80. Для транзисторов наиболее важными являются два семейства статических характеристик: входные характеристики Iвх = f (Uвх), при Uк = const, выходные характеристики I к = f (Uк) при Uвх = const.

В транзисторе ток всех трех электродов: базы, эмиттера, коллектора – взаимозависимы. Поэтому статические характеристики изменяются в зави-симости от схемы включения транзистора.

Следует рассмотреть выходные и входные характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.

Переход эмиттер - база включен в прямом направлении, поэтому входная характеристика его представляет собой вольтамперную характеристику, анало-гичную прямой ветви вольт-амперной характеристики полупроводникового диода. Источник к коллекторному переходу включен в обратном направлении, поэтому выходная характеристика транзистора (Iб = 0) аналогична обратной ветви вольт-амперной характеристики полупроводникового диода.

Работа транзистора в схеме во многом зависит от правильно выбранного режима по постоянному току, то есть от величин постоянных напряжений, подаваемых на р-п переходы.

Постоянное напряжение, которое подается на эмиттерный переход, называется напряжением смещения. Напряжение смещения включается в прямом направлении.

Существуют способы подачи напряжения смещения фиксированным током базы, фиксированным напряжением ([1], рис. 3.14б, стр. 80). Для подачи смещения фиксированным током база соединяется с источником Ек через сопротивление Rб.

Напряжение Ек фактически приложено к делителю напряжения, состоящему из двух сопротивлений: Rб и сопротивления перехода эмиттер-база.

При подаче смещения фиксированным напряжением в цепь источника Ек включен делитель напряжения R1 R2 . Чтобы изменение тока базы ( при подаче входного сигнала) не приводило к изменению напряжения смещения, сопротивления R1R2 выбираются такими, чтобы ток I, протекающий через них был в несколько раз больше тока Iб при максимальном входном сигнале.

Пример. Определить напряжение UЭБ для данной схемы включения транзистора с ОБ.

Дано: Ек = 5В; Rб = 30 кОм; Iбо = 150 мкА; UЭ-Б - ?

Транзистор включен по схеме с общей базой, базу в этой схеме заземлить прямо нельзя, потому что постоянная составляющая базового тока не пойдет через сопротивление Rб. База получает нулевой потенциал по переменной составляющей благодаря большой емкости Сб. Напряжение Ек приложено к делителю напряжения: Rб и RЭ-Б (р-п перехода)

Ек = URб + UЭ-Б

Отсюда

UЭ-Б = Ек - URб

UЭ-Б = 5 – 30 х 103 х 150 х 10-6 = 0,5 В.

7 Задание для контрольной работы

Задание 1

Таблица 1 - Теоретические вопросы

№ вар.	Задание
1	Основные направления и задачи в развитии элементной базы электронной и микропроцессорной техники.
2	Привести классификацию электронных приборов. Объяснить поня-тие электромагнитной совместимости (ЭМС) электронных средств.
3	Объяснить сущность эффекта Холла и его применение.
4	Объяснить смысл электронной и дырочной проводимостей полу-проводников и влияние примесей на их проводимость.
5	Объяснить физический смысл электронно-дырочного р-п перехода полупроводников и его одностороннюю проводимость.
6	Объяснить устройство полупроводниковых диодов и принцип вы-прямления ими переменного тока.
7	Начертить вольт-амперную характеристику полупроводниковых диодов и пояснить их параметры
8	Объяснить устройство полупроводниковых транзисторов, назначе-ние электродов, принцип работы и применение.
9	Начертить схему и объяснить принцип работы усилителя на транзисторе по схеме с общим эмиттером.
10	Начертить схему и объяснить принцип работы усилителя на тран-зисторе по схеме с общей базой.
11	Объяснить режимы работы транзистора в усилительном каскаде по его входным и выходным характеристикам. Правила выбора рабо-чей точки.
12	Объяснить работу усилительных каскадов на полевых транзисто-рах с управляемым «п-р» каналом и МДП-типа
13	Начертить схему двухкаскадного усилителя напряжения на транзисторах. Объяснить назначение элементов и принцип усиления напряжения
14	Начертить схему усилителя низкой частоты на транзисторе с входным трансформатором. Объяснить назначение элементов и принцип работы усилителя.
15	Начертить схему электронного реле-триггера на транзисторах. Объяснить назначение элементов схемы и ее принцип работы.
16	Начертить блок-схему микропроцессора КР580. Перечислить ее основные узлы и их назначение.

Продолжение таблицы 1

№ вар.	Задание
17	Пояснить, что называется двоичной системой счисления. Как выполняются операции сложения и вычитания в двоичной системе и какие устройства их осуществляют в электронно-вычислительной машине?
18	Объяснить, что называется программированием при работе элект-ронно-вычислительной машины.
19	Опишите устройства ввода, вывода и запоминания информации в электронно-вычислительной машине.
20	Описать устройство и принцип работы полупроводниковых фотоэлементов: фотодиодов и фототриодов.
21	Описать виды разрядов в газе. Начертить и пояснить вольт-ампер-ную характеристику газоразрядных приборов.
22	Объяснить устройство газоразрядных приборов с холодным и накаленным катодами и принцип их работы. Привести примеры и указать на отличия в их работе.
23	Описать устройство газового стабилизатора напряжения – стаби-литрона. Начертить схему его включения, объяснить принцип работы и назначение.
24	Объяснить принцип действия приборов с тлеющим разрядом на примере неоновой лампы. Объяснить устройство цифровых индикаторных ламп.
25	Объяснить структурные особенности, технические условия работы, область применения панелей постоянного и переменного тока.
26	Знаковые газонаполненные и вакуумные индикаторы: принцип устройства, включение, обозначение на схемах.
27	Объяснить устройство, принцип работы, применение жидкокрис-таллических индикаторов.
28	Объяснить конструкцию и элементы матричных устройств; систе-мы включения в современных электронных устройствах. Принцип передачи яркостного сигнала
29	Начертить блок-схему электронного осциллографа, объяснить его назначение, принцип действия и применение.
30	Объяснить назначение, устройство и принцип работы стабилизато-ров напряжения на полупроводниках.
31	Описать процесс излучения в светоизлучающих диодах: основные параметры, характеристики, конструкции и их примение.
32	Электролюминисцентные индикаторы (ЭЛИ), назначение, принцип действия, устройство, выпуск и применение.

Продолжение таблицы 1

№ вар.	Задание
33	Объяснить рабочий режим диода; назначение, схема последова-тельного и параллельного включения.
34	Объяснить назначение кремниевого стабилитрона; ВАХ, основные параметры, схемы включения, применение.
35	Объяснить назначение импульсных диодов; режим работы, основ-ные параметры. Понятие «мезадиоды», особенности изготовления.
36	Объяснить назначение варикапов (параметрические диоды): уст-ройство, принцип работы, схемы включения, применение.
37	Описать разновидности полевых транзисторов, устройство, схемы включения, графическое обозначение.
38	Описать характеристики, основные параметры, устройство полевого транзистора с управляемым “каналом”. Области применения.
39	Описать Характеристики, основные параметры, устройство полевого транзистора МДП-типа. Области применения.
40	Объяснить многослойную структуру тиристора и процесс переклю-чения динистора, тринистора, симмистора.
41	Начертить входные и выходные характеристики транзистора. Объяснить, как определяется коэффициент усиления транзистора при его включении по схеме с общим эмиттером и общей базой.
42	Начертить и объяснить структурную схему электронного усилителя, его основные свойства и характеристики.
43	Описать параметры, схему замещения на биполярных транзисторах, маркировку тиристоров.
44	Объяснить понятие усилительного каскада. Отличия предваритель-ных каскадов усиления от оконечных и их назначения.
45	Привести классификацию ИС; общую маркировку, а также число элементов и показатель надежности.
46	Объяснить междукаскадные связи в электронных усилителях. Как влияет обратная связь на стабилизацию работы усилителя.
47	Перечислить основные типы фотоэлементов и пояснить их характе-ристики: световую, вольт-амперную и спектральную. Перечислить свойства фотоэлементов и дать расшифровку их маркировки.
48	Объяснить, какие виды запоминающих устройств применяются в электронно-вычислительных машинах и их принцип действия.
49	Объяснить конструктивные особенности полупроводниковых ИМС. Технология изготовления пассивных и активных элементов.
50	Начертить схему и объяснить устройство и принцип действия электроннолучевой трубки с магнитным отклонением луча.

Продолжение таблицы 1

№ вар.	Задание
51	Объяснить, что называется системой автоматического регулирова-ния, начертить и пояснить ее структурную схему и основные звенья.
52	Дать определение частотой характеристике усилителя. Начертить схему и пояснить порядок проведения работы при снятиии частотной характеристики усилителя низкой частоты.
53	Привести разновидности пленочных ИС. Технология изготовления элементов, применение тонкопленочных и толстопленочных ИС.
54	Объяснить способы изготовления гибридных и совмещенных ИС. Области применения.
55	Цифровые ИС; конструктивные особенности, параметры, технология изготовления, области примения.
56	Аналоговые ИС; конструктивные особенности, параметры, технология изготовления, области применения.
57	Объяснить принцип работы системы автоматического регулирова-ния на примере схемы автоматического регулятора температуры с использованием электронных устройств.
58	ЭЛТ специального назначения: запоминающие, знакопечатающие (характроны) , электронно-оптические преобразователи (ЭОП); конструкция и области применения.
59	Объяснить процесс отклонения электронного луча электрическим полем в электронно-лучевой трубке, устройство экрана из люмино-фора и маркировку трубок.
60	Привести классификацию и объяснить назначение выпрямителей переменного тока. Рассказать о составных частях схемы выпрямителя.
61	Объяснить: определение, принцип устройства, характеристики, схе-мы включения, параметры, области применения для полупроводниковых фотоприборов.
62	Начертить схему электронного реле-триггера на биполярных транзисторах. Объяснить назначение элементов схемы и принцип работы.
63	Составить схему электронного реле времени на транзисторе и объяснить принцип работы.
64	Описать принцип работы усилителей электрических сигналов в режимах А, В и С. Как выбирается рабочая точка усилителя?
65	Описать принцип усиления однокаскадных и многокаскадных усилителей с различными видами межкаскадной связи.

Продолжение таблицы 1

№ вар.	Задание
66	Начертить схемы составных транзисторовДармингтона. Объяснить их конструктивные особенности, достоинства и недостатки, области применения.
67	Описать преимущества и недостатки полупроводников по сравнению с электронными лампами.
68	Привести классификацию фотоэлектронных приборов. Пояснить смысл внешнего и внутреннего фотоэффекта.
69	Описать устройство фотоэлементов с внешним фотоэффектом, принцип действия, характеристики и применение.
70	Начертить схему и объяснить устройство, принцип действия фото-электронного умножителя.
71	Провести графический анализ работы схем УК с ОЭ и ОБ.
72	Провести графический анализ работы схем УК на полевом транзис-торе с ОИ и ОЗ.
73	Объяснить устройство фотоэлементов с внутренним фотоэффектом (фоторезисторов), их принцип работы и примение.
74	Начертить схему фотоэлектронного реле с фотоэлементом с питани-ем от источника постоянного тока. Объяснить принцип работы фото-реле и его применение.
75	Начертить схему фотореле на фоторезисторах. Объяснить принцип работы и указать область применения.
76	Начертить схему триггера и сумматора и пояснить, как при их помощи производятся арифметические операции в электронно-вычислительных машинах.
77	Объяснить принцип температурной стабилизации УК с ОЭ (эмит-терная, коллекторная
78	Описать возможные виды обратных связей в усилителях. Показать последовательное и параллельное введение цепей ОС в усилителях.
79	Начертить схему двухтактного каскада усилителя мощности на транзисторе с общим эмиттером и пояснить ее работу.
80	Объяснить виды и назначение УПТ. Явление дрейфа нуля, причины его возникновения в однотактных УПТ.
81	Начертить схему и объяснить устройство и прицип работы электронно-лучевой трубки с электростатическим отклонением луча.
82	Начертить схему электронного генератора RC на биполярном тран-зисторе, объяснить назначение элементов и принцип работы генератора.

Продолжение таблицы 1