Оглавление (стр. 3 )

СЕНСОРНЫЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР НА ОСНОВЕ СМЕСИ ОСНТ И
НАНОВОЛОКОН ZnO

,
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»,
аспирант «НОЦ ЗМНТ»,
*****@***ru

Одной из нерешенных технологических задач при создании искусственных заменителей органов чувств является создание электронного носа. В нём главную роль будут играть различные химические датчики, а возможно целые матрицы датчиков. Для создания такого устройства нужно решить следующие проблемы: обеспечить селективность сенсоров, высокую их чувствительность и стабильность характеристик. Из анализа публикаций по сенсорной тематике можно сделать вывод, что для обеспечения вышеуказанных требований необходимо использовать смешанные наноматериалы. В качестве материала для сенсоров предложена смесь одностенных углеродных нанотрубок и нановолокон оксида цинка. Нановолокна оксида цинка являются перспективным материалом для сенсорных приложений в связи с его чувствительностью к различным химическим агентам, биосовместимостью, возможностью модификации различными методами. Смесь углеродных нанотрубок с нановолокнами оксида цинка нужна для увеличения площади чувствительной области.

Были разработаны сенсорные структуры на основе смеси углеродных нанотрубок и нановолокон оксида цинка. В качестве растворов для создания смеси углеродных нанотрубок и ZnO были выбраны изопропиловый спирт и ЦТАБ. Смесь осаждалась плотной сеткой между золотыми электродами методом диэлектрофореза при напряжениях от 10 до 20 В и частотах электрического поля от 1 до 100 кГц. Нанотрубки выполняют в данном случае роль не только чувствительного слоя, но и подводящих контактов к нановолокнам ZnO.

Далее проводилось экспонирование полученных структур парами этанола и изопропилового спирта и аммиака. Концентрация агента в воздухе, подаваемом в измерительную систему составляла от 100 до 1000 ppm. Показано, что в зависимости от химического агента проводимость может как возрастать, так и уменьшаться, что позволяет говорить о селективности системы. Также показано, что скорость реакции сенсорных структур чуть меньше, чем у промышленных датчиков на основе толстых плёнок оксидов металлов. Однако скорость десорбции химических агентов с поверхности сенсорных структур была ожидаемо хуже в сравнении с промышленными датчиками, т. к. в используемых структурах не предусмотрен нагреватель, что однако, позволяет понизить энергопотребление сенсорных структур для использования их в портативных газоанализаторах.

Таким образом, результаты, полученные в работе, являются важным шагом на пути создания высокочувствительных сенсоров нового поколения и в дальнейшем могут помочь в создании электронного носа.

РАЗРАБОТКА КОМПЛЕКСА ПРОГРАММНЫХ СРЕДСТВ автоматической классификации интернет-ресурсов В ПРОЦЕССЕ фильтрации нежелательного контента

, студент, Национальный исследовательский университет «МИЭТ», *****@***ru

Общедоступность Интернета несет в себе наряду с неоспоримыми преимуществами целый ряд угроз. В связи с этим весьма актуальной является проблема создания комплекса средств для повышения безопасности пользователя в сети Интернет. Большинство существующих решений защиты пользователя от нежелательного контента ограничивают доступ к содержимому страниц, используя белые (черные) списки, а также контентную фильтрацию. Эффективность работы программ, использующих списки, зависит от наличия качественно составленной (содержащей достоверную информацию) и поддерживающейся в актуальном состоянии базы данных. Задачей информационной поддержки является создание и поддержание таких баз данных.

Для решения указанной проблемы в основном прибегают к созданию группы экспертов, наполняющих вручную такие базы данных (добавляют сайты в белые, либо черные списки). В некоторых случаях пользователи программы могу предложить информацию (чаще всего URL сайта, а также причину добавления или удаления), с которой в последующем будут работать эксперты.

В качестве альтернативного решения задачи информационной поддержки было предложено применение автоматической классификации сайтов для наполнения таких баз данных. Интернет-ресурсы включают различные типы содержимого. Наиболее часто встречающиеся типы: статические картинки (JPEG, PNG, …), анимация (GIF), текстовое содержимое Интернет-страниц (HTML), RSS-каналы (XML), Flash-анимация (относится к отдельной категории, т. к. средства Adobe Flash позволяют создавать не только анимацию, но и полноценные сайты), апплеты (JAVA, Silverlight) и другие. У большинства сайтов основная часть контента приходится на текстовое содержимое, поэтому целесообразнее и менее ресурсоемко (соотношение время обработки/качество) производить анализ именно текстовой части сайта. В качестве метода для автоматической классификации текстового содержимого сайта был выбран Support Vector Machine (SVM), являющийся быстрым и эффективным в решении подобного рода задач. Для обучения классификатора был выбран метод INCremental Active Set (INCAS). А для решения оптимизационной задачи, возникающей в ходе обучения с использованием метода INCAS был использован алгоритм Нелдера-Мида для построения нерегулярного симплекса. Данный алгоритм способен подстраиваться к рельефу графика оптимизируемой функции, в частности к функциям, графики которых имеют овражистую структуру.

В результате реализации описанных алгоритмов и решения оптимизационной задачи был создан комплекс программных средств для сбора информации с сайтов и автоматического осуществления классификации Интернет-ресурсов. Разработанный комплекс осуществляет мониторинг всех страниц заданного сайта, либо страниц с заранее заданной глубиной, распознает наличие различного рода редиректов и подавляющее большинство существующих кодировок.

В перспективе при масштабировании описанного программного решения предполагается повысить эффективность применения методов автоматической классификации сайтов для решения задачи информационной поддержки программ фильтрации нежелательного контента с целью сокращения затрат на ее осуществление.

Исследование технологии изготовления матриц магниторезистивной памяти на основе туннельного эффекта

,
НПК «Технологический центр»
*****@***ru

На сегодняшний день в области исследования и создания энергонезависимой памяти для различных запоминающих устройств произвольной выборки (ЗУПВ) наиболее перспективной является магниторезистивная память (MRAM). Это обусловлено тем, что магниторезистивная память обладает рядом значительных преимуществ по отношению к своим ближайшим конкурентам (флеш-память, ферроэлектрическая память): высокое быстродействие, неограниченное количество циклов записи-стирания и возможность долгого хранения информации без питающего напряжения до 10 лет.

В технологии изготовления MRAM ключевым звеном является технологический процесс формирования структуры с магнитным туннельным переходом MTJ. Формирование MTJ перехода происходит путем напыления ультратонких ферромагнитных пленок металла на кремниевую пластину с осажденным на ней диэлектриком. Исследование технологии изготовления MRAM позволяет определить не только оптимальные режимы формирования структуры с магнитным туннельным переходом MTJ, но и условия проведения ряда операций до и после ее создания. Это необходимо для достижения высокого значения магниторезистивного эффекта и сохранения его в сформированной матрице с адресными шинами. На рисунке 1 показан эскиз матрицы 3х3 из магниторезистивных ячеек.

Рисунок 1 – эскиз матрицы 3х3 из ячеек магниторезистивной памяти

Числовые и разрядные шины – проводники с помощью которых происходит перемагничивание ячеек магниторезистивной памяти. Если намагниченности ферромагнитных пленок параллельны, то это соответствует уровню логического нуля - сопротивления ячейки мало. В противном случае, если намагниченности ферромагнитных пленок антипараллельны, то это состояние соответствует уровню логической единицы - сопротивление велико.

разработка программного модуля для реализации Метода
пространственно-индексированной растеризации
при Визуализации топологии СБИС

, студентка,
Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
*****@***ru

Производство сверхбольших интегральных схем (СБИС) включает в себя целый комплекс этапов, на которых выполняется проектирование и верификация интегральной схемы на соответствие логическим, функциональным, технологическим и производственным требованиям. На каждом этапе необходимо выполнить комплексную проверку всей интегральной схемы, что, с учетом сложности современных СБИС, представляет собой трудоемкую задачу, требующую больших вычислительных мощностей. Как правило, каждый из таких этапов занимает продолжительное время и одна из самых сложных задач для производителя программных средств верификации СБИС – обеспечить полную проверку схемы за минимальное время. Программное обеспечение для просмотра и анализа топологии СБИС позволяет разработчикам средств верификации наглядно представлять себе топологию проверяемой схемы, анализировать ее и обнаруживать ошибки верификации.

Визуализация топологии СБИС обладает рядом особенностей: задача имеет большую размерность (нужно визуализировать миллионы элементов, цепей и т. п.), пользователю должны быть представлены все имеющиеся слои схемы и др. Традиционно задача визуализации интегральной схемы решается частичной отрисовкой элементов, отрисовкой местоположения элементов с помощью охватывающих многоугольников и ограничением единовременно видимой пользователю части схемы.

Метод пространственно-индексированной растеризации при визуализации топологии СБИС заключается в предварительной подготовке иерархических структур (например, квадродеревьев), содержащих растеризованные с фиксированным разрешением области интегральной схемы, а также предварительной фильтрации компонентов схемы для визуализации на различных уровнях детализации.

Алгоритм его работы следующий – сначала для каждого уровня детализации отбираются элементы, которые будут растеризованы. Затем происходит подготовка текстуры для схемы с минимальным увеличением. Разрешение текстуры выбирается относительно текущего разрешения монитора. Данная текстура постоянно хранится в оперативной памяти. При изменении масштаба динамически генерируются новые изображения, которые затем помещаются в кэш. При достижении максимального увеличения и, соответственно, уменьшении числа отображаемых элементов генерация текстур прекращается и начинается непосредственная растеризация элементов для каждого кадра.

Преимущества этого метода заключаются в повышенной скорости визуализации частей схемы (или целой схемы) при её масштабировании и панорамировании, возможности визуализации 100% элементов схемы, в отличие от традиционных методов частичной визуализации. Метод позволяет использовать аппаратное ускорение современных видеокарт. Недостатки метода заключаются в сравнительно большом расходе памяти, дополнительной задержки при открытии новой схемы, необходимости использования специальных структур данных.

В данный момент ведётся реализация программного модуля, рассчитанного на использование данного метода для визуализации топологии СБИС. Программный модуль планируется использовать в академической САПР СБИС, разрабатываемой на кафедре ПКИМС НИУ МИЭТ.

Программный модуль будет тестироваться методами чёрного и белого ящика. Для тестирования и отладки будут использованы свободно распространяемые библиотеки и проекты с сайта opencores. org. Отладка будет осуществляться с использованием свободно распространяемого ПО.

ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ПОДДЕРЖКИ УПРАВЛЕНЧЕСКИХ РЕШЕНИЙ В АГРАРНОМ КОМПЛЕКСЕ С УЧЁТОМ ВОЗДЕЙСТВИЯ ВНЕШНИХ ФАКТОРОВ

Студент 5 курса магистратуры
Национальный исследовательский университет
«МИЭТ»,
*****@***com

Работа над проектом проводилась совместно с Факультетом Государственного Управления Московского Государственного Университета имени Михаила Васильевича Ломоносова и, в частности, с доктором биологических наук, профессором Дмитрием Николаевичем Кавтарадзе. Цель – моделирование и анализ управленческих решений на основе функциональных зависимостей ключевых параметров в области агропользования.

В области управления природно-социальными ресурсами остро стоит вопрос эффективного использования почв и принятия эффективных управленческих решений в аграрном секторе. Сами управленческие решения сложно поддаются моделированию, поэтому для этих целей необходимо подготовить специалиста долгосрочного управления в короткие сроки.

В виду отсутствия такого инструмента было решено разработать ПО, которое поможет специалистам в анализе данных, организации работ, а также в сфере подготовки и переподготовки управленческих кадров.

В разработанном ПО заложена математическая модель поведения различных культур. В основу этой работы легли труды доктора технических наук, профессора Леонида Николаевича. Эта математическая модель учитывает такие функциональные зависимости и внешние факторы как: вид почвы, состояние почвы, естественное плодородие определенных культур, севообороты, сохранность урожая в амбаре, обработка посевов (как интегральная оценка пахоты, посева, сборка урожая), фонд удобрений, количество вносимых органических удобрений, количество вносимых минеральных удобрений, погода (как интегральная оценка влажности и температуры), заказ от государства, цены на рынке.

Также в модели учитывается сохранность каждой культуры в амбаре. К примеру, зерновые культуры и сено сохраняются хорошо - потери достигают до 5% в год. У картофеля потери могут достигать до 30% в год. Сахарная свекла не подлежит хранению, так как потери достигают до 100% в год. Модель также исправляет некоторые ошибки совершённые оператором по невнимательности и предупреждает о допущенной ошибке.

Для программной реализации поставленных задач, с учетом требуемых функций, и функций, планируемых в следующих версиях, необходимо было выбрать среду и платформу проектирования. По результатам анализа был выбран язык программирования Java и среда разработки - NetBeans 7.0.

ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПРИКОНТАКТНЫХ ОБЛАСТЯХ HEMT-СТРУКТУР

, аспирант,
Национальный исследовательский университет
«МИЭТ», *****@***ru

Прогресс в области микро - и наноэлектроники сопровождается непрерывным усиле­нием роли математического моделирования, поскольку применение эксперименталь­ных методов при исследовании областей в полупроводниковых структурах с размерами порядка 1–10 нм не даёт высокой точности результатов, необходимой для надёжного прогнози­рования приборных характеристик.

В данной работе исследуются процессы переноса носителей заряда в областях под оми­ческими контактами в транзисторах с высокой подвижностью электронов (HEMT). При проведении компьютерного моделирования этих структур, содержащих стоп-слои InP (такой слой образует квантовую яму для носителей из высоколегированного контактного слоя) и AlGaAs (содержание Al – 90%, такой слой создаёт высокий потенциальный барьер для электронов), в программе Sentaurus TCAD было обнаружено, что в системе с кванто­вой ямой при определённых параметрах структуры (толщина стоп-слоя – 3 нм) ток оказыва­ется меньше, чем в системе с потенциальным барьером. Решение уравнения Пуас­сона в области под контактом позволило установить, что это происходит из-за возникнове­ния пиков (т. е. потенциальных барьеров для электронов) по краям квантовой ямы. В результате численного решения уравнения Шрёдингера для этих двух структур установ­лено, что туннельная компонента тока через структуру с квантовой ямой оказыва­ется меньше, чем в структуре с барьером.

С этой задачей тесно связана проблема особенностей растекания тока под омиче­скими контактами HEMT-транзисторов. В работе предлагается модель, согласно которой растекание тока в транзисторе можно описать в виде протекания тока через распределён­ную двумерную бесконечную (в реальности при моделировании можно ограничиться не­сколь­кими десятками сопротивлений в линии) цепочку резисторов, каждая линия кото­рой относится к конкретному слою транзисторной гетероструктуры, а переходы между слоями также моделируются в виде распределённых сопротивлений, каждое из которых зависит от концентрации носителей и их подвижности в конкретной точке гетероструктуры. Эта модель позволяет корректировать электрофизические параметры слоёв структур, избегая появления нежелательных токов утечки.

Вместе с этими задачами в данной работе также описывается захват неравновесных но­сителей заряда в квантовые ямы и их термический выброс (рассматриваются структуры AlGaAs/GaAs, размер ямы – единицы нанометров). Релаксация по энергии в этих гетеро­струк­турах определяется испусканием продольных оптических фононов. Расчёт скоро­сти захвата носителей заключается в численном решении уравнения Шрёдингера и уравнений, описывающих вероятность захвата и локализации носителей на дискретных уровнях в квантовой яме [1]. Таким образом, полученная математическая модель описывает зависи­мость скорости захвата от параметров квантовой ямы в гетероструктуре AlGaAs/GaAs – величину, напрямую связанную с быстродействием приборов типа QWIP (Quantum well infrared photodetectors).

------

[1] I. N. Yassievich, K. Schmalz, M. Beer. Capture and emission of carriers in semiconductor quantum wells // Semicond. Sci. Technol. 1994. V. 9. P. 1763–1774.

Настоящие и будущие OLED-технологии

студент,
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Колледж Электроники и Информатики, *****@***ru

В 1987 году, двумя исследователями из компании Kodak Чином Тангом и Стивом ван Слайком был продемонстрирован новый класс органических соединений, которые прекрасно подходили для создания тончайших светодиодов получивших название OLED. OLED (Organic Light-Emitting Diode - органический диод) - это многослойные тонкопленочные структуры, изготовленные из органических соединений, которые эффективно излучают свет при пропускании через них электрического тока.

Существует несколько разновидностей OLED-дисплеев:

–  PHOLED (phosphorescent OLED) технология позволяет вплотную приблизить КПД органических диодов к 100%.

–  FOLED (Flexible OLED) технология позволяет создавать гибкие экраны.

–  TOLED (Transparent OLED) технология позволяет создавать прозрачные экраны.

–  SOLED (Staked OLED) технология позволяет создавать дисплеи с большими показателями контрастности, яркости и разрешением изображения не зависимо от размеров экрана.

OLED-технология применяется для изготовления экранов и дисплеев для: ноутбуков, MP3-плееров, мобильных устройств, фотоаппаратов, GPS-навигаторов, различных мониторов, различных осветительных приборов и др.

Достоинства OLED по сравнению с LCD и плазменными дисплеями:

–  Меньше габариты и вес;

–  Более низкое энергопотребление;

–  Большой угол обзора (почти1800);

–  Возможность создания гибких и прозрачных экранов;

–  На порядки больше яркость (до 100000 кд/м2), контрастность (до 1000000:1) и разрешение экрана;

–  Уменьшенное время отклика(< 10мкс);

–  При утилизации экранов, окружающей среде не наносится вреда;

–  OLED панели способны функционировать при температурах от -40 0С до +70 0С.

Недостатки OLED по сравнению с LCD и плазменными дисплеями:

–  Большая стоимость;

–  Неотработанность технологии производства;

–  Малый срок службы синих диодов 17,5 тысяч часов, в то время как срок службы зеленых и красных диодов составляет около 40 тысяч часов.

По сравнению с существующими технологиями изготовления экранов и дисплеев, технология OLED и ее подвиды имеют во много раз лучше параметры экранов и дисплеев. Так что к 2020 году можно прогнозировать полное доминирование OLED – экранов и дисплеев над любыми другими экранами и дисплеями в нашей повседневной жизни.

Метод вычисления координат объекта основанный на методе теневой локации в системах взаимодействия человек-машина

,
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»,
кафедра САУиК
E-mail: a. *****@***com *****@***ru

Метод вычисления координат объекта основанный на теневой локации позволяет применять его в современных системах взаимодействия человек-машина. Расширение функциональных возможностей достигается за счет того что координаты вычисляются в трехмерном пространстве. Данная возможность позволяет значительно повысить эффективность систем автоматизированного проектирования предоставляющих пользователю возможность создавать трехмерные объекты моделей деталей. Так же появляется возможность управления автоматизированными устройствами, осуществляющими различные действия в нескольких степенях свободы.

Метод основывается на вычислении координат путем измерения положения теней искомого объекта отбрасываемой двумя точечными источниками излучения. Тени регистрируются матричным фотоприемником. Особенность данного метода заключается в том, что нет необходимости использовать сложную фоточувствительную поверхность, позволяющую различать градации цветов или их яркость, достаточно лишь порогового обнаружения присутствия тени, и данные о ее положении. При этом если известна форма искомого объекта, то есть возможность по форме тени определить наклон относительно чувствительной поверхности.

В качестве фоточувствительной поверхности устройства может быть использована как цифровая камера, так и печатная плата с расположенными на ней, с определенным шагом, фототранзисторами или фотодиодами. Это гарантирует высокую гибкость в использовании, хорошую точность вычисления координат с одной стороны, и низкую себестоимость устройства с другой. Другим преимуществом в использовании данного метода в устройствах пользовательских интерфейсов, является то, что координаты вычисляются в определенной зоне пространства, это избавляет от необходимости поиска искомого объекта на контрастном фоне, как это делается в других оптических устройствах обнаружения объекта.

Исследование методов получения тонких сегнетоэлектрических пленок на кремниевых подложках

, аспирант,
Национальный исследовательский университет
«МИЭТ», mazurov. *****@***com

Сегнетоэлектрические пленки обладают особыми свойствами, которые делают перспективным их применение в микросистемной технике. Большой интерес представляет не только развитие технологий получения тонкопленочных сегнетоэлектрических материалов высокого качества, но и практическое использование этих материалов в сенсорах и актюаторах.

Целью данного исследования является анализ существующих технологий для получения слоев ЦТС заданной толщины (от 1 до 5 мкм) на кремнии и изучение физико-химических процессов, протекающих во время их формирования.

Использование сегнетоэлектрических пленок на кремниевых подложках позволяет получать новые приборы для микроэлектроники, создавать микромеханические устройства с высокими показателями точности и быстродействия. Например, чувствительные безынерционные элементы для различных датчиков, актюаторов и приборов оптоэлектроники.

Анализ литературы показал, что с ростом толщины слоя ЦТС, сформированной на кремниевой подложке, наблюдается уменьшение самополяризованной доли объема слоя. С другой стороны, с уменьшением толщины пленки изменяются механические напряжения, возникающие в пленках ЦТС из-за рассогласования параметров решетки подложки и тонкой пленки.

В данной работе проведен сравнительный анализ формирования тонких сегнетоэлектрических пленок методами золь-гель, магнетронного напыления и химического осаждения из растворов и газовой фазы. Рассмотрены методы контроля качества пьезоэлектрических слоев. Результаты анализа свидетельствуют о том, что метод золь-гель является наиболее перспективным для формирования сегнетоэлектрических пленок заданной толщины.

АНАЛИЗ УДЕЛЬНОЙ ЕМКОСТИ И ТОКОВ УТЕЧКИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ

, инженер-конструктор,
и завод Микрон», E-mail: *****@***ru
начальник лаборатории,
и завод Микрон», E-mail: *****@***ru

Сегнетоэлектрики обладают в определённом интервале температур собственным электрическим дипольным моментом, который может быть переориентирован за счёт приложения внешнего электрического поля. Во многих веществах молекулы обладают дипольным моментом в отсутствие электрического поля, но сориентированы моменты хаотично и сумма моментов диполя = 0.

Причиной сегнетоэлектрического эффекта является наличие внутри вещества атомных диполей. Эти диполи ориентируются внешним электрическим полем и остаются ориентированными после снятия поля; переключение направления поля на противоположное приводит к обратной ориентации диполей. Принципиальное отличие сегнетоэлектричества от ферромагнетизма состоит в том, что свободные электрические заряды могут экранировать электрические поля, создаваемые электрическими диполями, а это затрудняет прямое наблюдение статической поляризации. Поляризацию обычно измеряют по так называемой петле гистерезиса. Петля гистерезиса, представленная на рисунке, характеризуется двумя величинами: остаточной поляризацией P (любого знака), имеющейся даже при нулевом поле E, и коэрцитивным полем Ec, при котором вектор поляризации изменяет направление на обратное. Площадь петли гистерезиса равна работе электрических сил, затрачиваемой в пределах одного цикла перехода сегнетоэлектрика между двумя эквивалентными состояниями поляризации противоположного знака. Ток утечки вызван перемещением свободных зарядов в сегнетоэлектриках в процессе электропроводности.

Рисунок Петля гистерезиса для сегнетоэлектрика (демонстрирует характерную связь между вектором поляризации P и электрическим полем E; Ec – коэрцитивное поле, при котором вектор поляризации меняет направление на обратное)

В ходе работы было рассмотрено соответствие удельной емкости и токов утечки сегнетоэлектрических конденсаторов требованиям для интегральных схем с различной информационной емкостью. Оценка удельной емкости конденсаторов показывает, что значения удельной емкости конденсаторов с пленками танталата стронция-висмута (SBT) отвечают требованиям для памяти 256Мб, а значения удельной емкости конденсаторов с пленками цирконата-титаната свинца (PZT) близки к требованиям для памяти 1Гб.

Благодаря сегнетоэлектрическому эффекту FeRAM (сегнетоэлектрическая память) сохраняет записанную в неё информацию при отключенном напряжении питания. Помимо энергонезависимости, память на основе сегнетоэлектрических плёнок нечувствительна к магнитным полям и рентгеновскому излучению, что выгодно отличает её от других типов памяти.

Каталитический синтез углеродных наноструктур для автоэмиссионных применений

, инженер, », *****@***com

В настоящей работе, благодаря использованию комбинации СВЧ и ВЧ плазмы и независимого фотонного нагрева мы достигли стабильного процесса горения плазмы при рабочих давления ~ 0,2…10 Па. Такой подход позволил повысить однородность диссоциации молекул газа-реагента в объеме камеры и увеличить площадь обрабатываемой поверхности до линейных размеров ~ 80 мм.

Использовались различные адгезионные слои при осаждении никеля (Ni): хром (Cr), ванадий (V), нитрид титана (TiN). Благодаря этому, при трансформировании каталитической пленки никеля в капли, их латеральные размеры варьируются от 30 нм до 1,5 мкм в зависимости от материала адгезионного слоя. Это позволило расширить номенклатуру получаемых углеродных наноструктур (УНС): «ребристые» пленки из многослойных графеновых листов, наноразмерные графеновые «перья» вертикальной ориентации и «конусы».

Выполнены оценки вероятности синтеза УНС под действием термодиффузии и времени заполнения углеродом каталитических капель никеля диаметром 0,3 мкм и толщиной 0,1 мкм до концентраций, соответствующих фазовому переходу, которое составило 40 мин. Представлены результаты исследований геометрических параметров УНС, полученных в различных технологических условиях, и выполненных на атомно-силовом, растровом и просвечивающих электронных микроскопах. УНС представляют собой конусы, диаметром у основания 0,2–0,7 мкм, высотой 0,5–2 мкм и радиусом закругления острий не более 20 нм. Определены электрофизические характеристики автоэлектронной эмиссии: пороговое электрическое поле ~ 5 В/мкм, плотность автоэмиссионного тока при поле ~ 50 В/мкм достигает ~ 10 мА/cм2. Из автоэмиссионных характеристик, с учетом геометрических параметров эмитирующих острий, была определена величина потенциального барьера, которая составила 3,5 эВ, что примерно соответствует работе выхода из графеновой пленки.

РАЗРАБОТКА имитационной модели ГОРОДСКОЙ транспортной сети

Мордовин Алексей Анатольевич, студент,
Национальный исследовательский университет
«МИЭТ», *****@***ru

Автомобильный транспорт, являющийся одним из основных источников загрязнения окружающей среды, сосредоточен, в основном, в городах. С развитием городов и ростом городских агломераций всё большую актуальность приобретает охрана окружающей среды от городского, особенно автомобильного, транспорта. Автомобили сжигают огромное количество нефтепродуктов, нанося одновременно ощутимый вред окружающей среде, главным образом атмосфере. Поскольку основная масса автомобилей сконцентрирована в крупных и крупнейших городах, воздух этих городов не только обедняется кислородом, но и загрязняется вредными компонентами отработавших газов.