Инструкция

Формат: документ Microsoft Word (версия не выше 2003г.), страницы А4;
Поля: сверху, снизу 2 см, слева 3 см и справа по 1,5 см;
Шрифт: кегль – 12; тип – Arial;
Красная строка – 1 см;
Междустрочный интервал – 1;
Выравнивание по ширине.

Название работы печатается строчными буквами, шрифт жирный, Arial, 13 пт. Ниже через 1 интервал строчными буквами, шрифт жирный – фамилия и инициалы автора (ов), в скобках указывается номер группы и адрес электронной почты автора (ов). Далее, через 1 интервал – полное название кафедры и института. Далее, через 1 интервал – наименование направления конкурса, в рамках которого подготовлена работа [1], к которому относиться данная работа, шрифт жирный. После отступа в 2 интервала следует текст доклада.

В работе используется только одно изображение (рисунок, блок-схема, диаграмма, таблица, формула или др.). Файл с полной версией рисунка дополнительно прилагается к тезисам при заполнении анкеты. Размер файла не более 1200 на 600 пикселей, в формате. jpeg или. jpg. Текст на рисунках, диаграммах и т. д. должен четко отображаться, шрифт Arial, не менее 10 пт. Подпись рисунка размещается под ним по центру. Подпись таблицы размещается над таблицей справа. Формулы должны быть выполнены в стандартном редакторе формул.
Пример оформления тезисов в Приложении 1.

[1] Направления конкурса:

– нанотехнологии в электронике;

– материалы микро и наноэлектроники;

– проектирование и технология электронных компонентов;

– микро - и наносистемная техника, мехатроника;

– радиационные технологии в электронике;

– математическое моделирование процессов и технологий электроники.

    Приложение 1.  Пример оформления тезисов

Тестирование GaAs детекторов на источниках электронов

(группа ППЭ-11-1, *****@***ru)

кафедра полупроводниковой электроники и физики полупроводников

Институт новых материалов и нанотехнологий

нанотехнологии и технологии новых материалов

С помощью эпитаксиальных GaAs-детекторов измерены спектры источников электронов 207Bi (0,987 МэВ) и 90Sr+90Y (в среднем 1 МэВ).

Исследуемые детекторы представляли собой диоды с контактом Шоттки и p-i-n структуры. Рабочие 40 мкм эпитаксиальные слои с концентрацией носителей менее 1012 см-3 выращивались хлоридным методом. В качестве барьеров Шоттки использованы системы металлизации Ti/Pd/Au или Pt/TiN/Au. Выращивание p+-слоёв проводилось МОС-гидридным методом, что позволило получить слои GaAs с концентрацией дырок до 5·1019 см-3 и толщиной 0.3 мкм. Омическим контактом к p+-слоям служила система Ti/Pd/Au, а к n+-подложке – Ni/AuGe/Au.

Для выделения малых сигналов детектора использовалась схема совпадений: исследуемый детектор помещался между двумя сцинтилляционными детекторами марки IHEP SC301, при облучении регистрировались сигналы только от электронов, прошедших одновременно через детектор и оба сцинтиллятора. Измерения проводились при комнатной температуре, на детекторы подавалось обратное смещение 30 В.

При определении энергетических потерь электронов в рабочем слое детекторов проводилась калибровка используемого измерительного тракта на источниках γ-квантов в диапазоне энергий от 6,5 до 136 кэВ (241Am+57Co). Измеренные энергетические потери для различных структур составили порядка 35,7 кэВ, что практически соответствует расчётным значениям. Относительная эффективность сбора заряда при облучении электронами была близка 100% при рабочем смещении.