Партнерка на США и Канаду по недвижимости, выплаты в крипто
- 30% recurring commission
- Выплаты в USDT
- Вывод каждую неделю
- Комиссия до 5 лет за каждого referral
2-Я МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ
«ТЕХНОЛОГИИ МИКРО - И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
В МИКРО - И НАНОСИСТЕМНОЙ ТЕХНИКЕ»
13-14 октября 2011 года
Программа конференции, доклады.
13.10.2011
№ | Время | Тема доклада | Докладчик |
9-00 – 10-00 | Регистрация участников (Проходная МИЭТ) Регистрация участников (Фойе 1 этаж 3 корпус) | ||
10-00 | Открытие конференции | (д. т.н., проф., чл.-корр. РАН, директор НПК «Технологичечкий центр») | |
1. | Радиоэлектронные методы медицинской диагностики | (д. ф.-м. н., проф., академик РАН, директор ИРЭ РАН) | |
2. | Исследования и разработки МИЭТ в области нанотехнологий, нано - и микросистемной техники | (д. т.н., проректор по научной работе МИЭТ) | |
3. | Организация конференции в рамках программы, публикации | (д. ф.-м. н., проф., председатель НТС НПК «Технологический центр») | |
4. | 11 Café-break | ||
5. | Перенос носителей заряда в углеродных нанотрубках | (профессор, д. ф.м. н., УлГУ) | |
6. | Спиновые состояния нанокластеров силицидов переходных металлов | , (д. ф-м. н., профессор, член-корр. РАН, МГТУ МИРЭА) | |
7. | Энергетическая модель перспективной элементной базы наноэлектроники | (к. т.н, МИЭТ, доцент каф. ИЭМС) | |
8. | Внутренняя квантовая эффективность светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN | ( д. т.н., профессор, МИРЭА) | |
9. | Исследование электрофизических характеристик структур на основе топологических массивов углеродных нанотрубок | (к. т.н. НПК «Технологический центр») | |
10. | Перспективы применения химических наносенсоров для космической техники | (к. ф.-м. н., ГНЦ ») | |
11. | Осцилляции ширины запрещенной зоны одностенных углеродных нанотрубок в области сверхмалых диаметров | (Магистр физики, аспирант Воронежского государственного университета) | |
12. | Измерение и моделирование температурных зависимостей диэлектрических параметров сегнетоэлектриков | (д. т.н., Пензенский государственный университет) | |
13. | 14-00 – 15-00 Обед | ||
14. | От микро - к наноэлектронике | (академик Национальной Академии Наук Белоруссии, главный научный сотрудник Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники) | |
15. | МЭМС/НЭМС производственные линии и фаундри-услуги компании ULVAC | Atsushi Kira (ULVAC Inc / Research & Development Division) | |
16. | Интегрированная наноэлектромеханическая система параметров движения | В (к. т.н., Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН) | |
17. | Фотостимулированная десорбция ПАВ как метод формирования тонких плёнок наночастиц | (научный сотрудник В/ч 35533) | |
18. | Работка модулей для исследования оптически стимулированной люминесценции в наноструктурированных и пористых материалах | (к. ф.-м. н., Уральский Федеральный Университет имени первого Президента России ) | |
19. | Определение степени пористости пленочных покрытий методом резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия | (к. ф.м. н., Институт Проблем Технологии Микроэлектроники РАН) | |
20. | Диагностика пористых материалов на основе оксидов металлов методами фотолюминесценции и атомно-силовой микроскопии | (к. ф.-м. н., доцент, СПбГЭТУ "ЛЭТИ") | |
21. | Интегральные биохимические системы в концепции «лаборатория на чипе» | (НПК «Технологический центр») | |
22. | Исследование кремниевых наноструктур в качестве PH-чувствительных элементов | (НПК «Технологический центр») | |
23. | Изготовление МДМ – катодов с наноострийным нижним электродом | (д. т.н., профессор, зав. каф., Томский университет систем управления и радиэлектроники) |
Окончание докладов - 17-30
14.10.2011
№ | Время | Тема доклада | Докладчик |
1. | 09-30 | Итоги и перспективы развития отечественных технологий СБИС с проектными нормами 0,25 – 0,065 мкм | (д. т. н., профессор ОАО "НИИМЭ и завод "Микрон") |
2. | Возможности разработки и изготовления новейших МЭМС\НЭМС с использованием кластерного оборудования | (д. ф-м. н., -МДТ») | |
3. | Наномейкер-электронная литография предельного разрешения для проектирования, оптимизации и производства систем наноэлементов | (д. ф-м. н. Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН) | |
4. | Принципы конструирования биполярных СВЧ структур с предельно узкими эмиттерными областями | (д. т.н., НПК «Технологический центр») | |
5. | Интегрированные антенны на наногетероструктурах арсенида галлия | (к. т.н., Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН) | |
6. | Визуализация слоев металлизации современных интегральных схем с помощью физического ионного распыления | (д. ф-м. н., профессор, Институт Проблем Технологии Микроэлектроники РАН) | |
7. | Использование метаморфной технологии для получения НЕМТ наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках GaAs и InP с различным содержанием InAs в активной области | (Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, инженер-исследователь) | |
8. | Разномасштабное моделирование термического наноимпринтинга для аттестации и оптимизации структуры штампов | (к. ф-м. н., Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН) | |
9. | 11 Café-break | ||
10. | Инерциальные микроэлектромеханические преобразователи угловой скорости, линейного ускорения и системы на их основе | , (проф. д. т.н., МИЭТ) | |
11. | Моделирование влияния технологических факторов на характеристики кремниевого резонансного сенсора давления | (д. т.н., профессор, , научный консультант) | |
12. | Наноэлектромеханические системы в квантовой информатике | (к. ф.-м. н., Физико-технологический институт РАН) | |
13. | Современные малогабаритные инерциальные системы на основе микроэлектромеханических сенсоров (акселерометров, гироскопов, инклинометров) | (к. т.н., исполнительный директор «Русская Ассоциация МЭМС») | |
14. | Датчики на основе чувствительных элементов из Al2O3 и БИС преобразователя емкость - напряжение | (ведущий конструктор НТЦ «Белмикросистемы») | |
15. | Исследование резонансных характеристик металлических микро - и нанобалок | (Ярославский филиал Учреждения Российской академии наук Физико-технологического института РАН) | |
16. | Тактильные механорецепторы на основе тензорезистивных МЭМС структур | (к. ф.-м. н., МГУ) | |
17. | Сверхострые иглы для измерения и контроля наноструктур | (ГНЦ ») | |
18. | Магнитные поля многослойных пленок, измеренные с помощью наноразмерного ферромагнитного датчика Холла | (Институт Проблем Технологии Микроэлектроники РАН) | |
19. | Научно-технические проблемы использования нанотехнологий в спецтехнике | (Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН) | |
20. | 14-30 – 15-30 Обед |
15
№ | Время | Тема доклада | Докладчик |
1. | 15-30 | Next Generation Lithography - мифы и реальность | (д. ф-м. н. Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН) |
2. | Технология получения и морфология 3D самоорганизованных наноструктур антимонида галлия | (студентка 1 курса магистратуры ВГУ) | |
3. | Исследование влияния импульсного токового воздействия на процессы дефектообразования в системах металл-диэлектрик | А (МГТУ "МАМИ") | |
4. | Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs | (НИЯУ МИФИ, аспирант) | |
5. | Исследование влияния механических деформаций на электрические свойства массивов углеродных нанотрубок | (НПК «Технологический центр») | |
6. | Влияние окисления катализатора на рост углеродных нанотрубок | (НПК «Технологический центр») | |
7. | Формирование углеродных наноструктур с развитой поверхностью для конденсатора с высокой емкостью | (НИУ МИЭТ, магистрант) | |
8. | Деградационные процессы в системах металл-диэлектрик | А (МГТУ "МАМИ") | |
9. | Подвижность электронов в ступенчатой квантовой яме AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs в случае многоподзонной проводимости: моделирование и эксперимент | (НИЯУ МИФИ аспирант) | |
10. | Измерение электрического сопротивления металлических слоёв в микроэлектромеханической мультиэлектродной биоматрице методом относительной двухволновой рентгеновской рефлектометрии | А ( и Микрон») | |
11. | Вольт-амперные характеристики системы нанонитей из атомов олова, встроенных в кристалл арсенида галлия | (Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН) | |
12. | Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN | ( д. т.н., профессор, МИРЭА) |
15
№ | Время | Тема | Докладчик |
1. | 15-30 | БИС преобразователя емкость - напряжение для электронной схемы микромеханического сенсора общего назначения | (ведущий конструктор НТЦ «Белмикросистемы») |
2. | Формирование наноразмерных монокремниевых структур на КНИ пластинах | (к. т.н., НПК «Технологический центр») | |
3. | Динамические характеристики чувствительного элемента микроакселерометра с повышенным фактором демпфирования | (Ярославский филиал Физико-технологического института РАН) | |
4. | Создание селективных сенсорных структур на основе смеси углеродных нанотрубок и нановолокон оксида цинка | (МИЭТ, «НОЦ ЗМНТ») | |
5. | Микросистема контроля двух компонент вектора магнитной индукции на основе наноразмерных магниторезистивных структур | (д. т.н., НПК «Технологический центр») | |
6. | Конструктивные и схемотехнические способы повышения чувствительности биполярных магнитотранзисторов для прецизионного контроля перемещений микромеханических элементов | (НПК «Технологический центр») | |
7. | Моделирование наноалмазных частиц | (аспирант ИИФиРЭ СФУ) | |
8. | Оптимизация конструкции миниатюрного тензорезистивного преобразователя давления с помощью конечно-элементного моделирования | (к. т.н. НПК «Технологический центр») | |
9. | Исследование технологии формирования пленок ZnO:Ga для создания преобразователей акустического давления | (к. т.н., НПК «Технологический центр») | |
10. | Быстродействующий преобразователь электрического тока | (к. т.н., НПК «Технологический центр») | |
11. | Разработка технологии изготовления полупроводниковых преобразователей радиоактивных излучений | (НПК «Технологический центр») | |
12. | Исследование динамики микромеханических устройств с нанесенной металлизацией | (Ярославский филиал Физико-технологического института РАН) | |
13. | Разработка акустического МЭМС преобразователя | (НПК «Технологический центр») | |
14. | ZnO-пьезоэлектрический харвестер с подвижным электродом | (МИЭТ) | |
15. | Исследование технологии изготовления матриц магниторезистивной памяти на основе спин-туннельного эффекта | (НПК «Технологический центр») | |
16. | Профилированный магниторезистивный микрочип биосенсорного устройства регистрации магнитных меток | (НПК «Технологический центр») |
17закрытие конференции.
