Цели работы.

Экспериментальное исследование входных и выходных ВАХ биполярного транзистора; приобретение навыков определения параметров схемотехнической модели Гуммеля-Пуна биполярного транзистора по результатам измерения его ВАХ. Изучение статических ВАХ МДП транзистора; изучение способов и определение параметров его модели для схемотехнических расчетов; приобретение навыков работы с полупроводниковыми приборами. Приобретение навыков расчета схем с помощью программы схемотехнического анализа РSPICE.

Биполярный транзистор.

Выходная характеристика.

IБ=30 мкА

IБ=50 мкА

IБ=70 мкА

UКЭ, В

IК, мА

UКЭ, В

IК, мА

UКЭ, В

IК, мА

Входная характеристика.

Uбэ,В

Iб, мкА

Iк, мкА

МДП транзистор.

Определение порогового напряжения и крутизны.

Uз, В

Iс, мА

Uз, В

Iс, мА

Выходные характеристики.

Uз = -3 В

Uс, В

Iс, мкА

Uс, В

Iс, мкА

Uз = -4 В

Uс, В

Iс, мкА

Uс, В

Iс, мкА

Uз = -5 В

Uс, В

Iс, мкА

Uс, В

Iс, мкА