В. Н. ПОНОМАРЕВ, В. Д. ПОПОВ, Е. А. ЯШКОВ
Московский инженерно-физический институт (государственный университет)
ИЗМЕРЕНИЕ СПЕКТРА БЫСТРЫХ ЭЛЕКТРОНОВ
С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МОП ТРАНЗИСТОРОВ
Приводятся результаты, показывающие возможность использования МОП транзисторов для измерения спектра быстрых электронов.
В настоящее время в космическом пространстве эксплуатируется аппаратура, построенная на элементной базе, в которой доминируют интегральные микросхемы, изготовленные по МОП-технологии. Поэтому представляет интерес использование дозиметров на основе МОП-структур.
Одним из основных видов радиации, воздействующей на бортовую аппаратуру на околоземной орбите КА, являются электроны с широким спектром энергии. В связи с этим целью настоящей работы является исследование возможности измерения спектра электронов с использованием МОП транзистора (МОПТ) в качестве дозиметра ионизирующего излучения (ИИ).
В данной работе исследование спектра электронов предлагается проводить с помощью серийных МОПТ с р-каналом типа КП 301Г со снятой крышкой корпуса за различной толщиной алюминиевого экрана. Первый ряд МОПТ облучался без защиты, а следующие ряды за экранами из алюминиевой фольги толщиной 10 мкм, 90 мкм и 1000 мкм.
Литературные данные [1] показывают, что МОПТ без корпуса чувствителен к облучению электронами, энергия которых превышает ~6,5 кэВ. Используя справочные данные [2], можно определить граничные значения энергий электронов, преодолевающих экраны с указанными толщинами. Таким образом, экспериментальное устройство со сборкой МОПТ характеризовалось параметрами, представленными в таблице.
Приобретенные для эксперимента МОПТ предварительно были прокалиброваны – определены чувствительность к воздействию ИИ. Для этого МОПТ были облучены гамма лучами от источника Со60 дозой D=10 крад. Чувствительность рассчитывалась с помощью соотношения
KD = DUзи/D,
где DUзи – сдвиг стокзатворной характеристики при IC=1 мА и UC=5 В.
Облучение устройства проводилось на установке с источником Sr+Y, имеющим спектр электронов, близкий к спектру электронов в радиационных поясах Земли. Результаты представлены в таблице.
Таблица 1. Значения параметров сборки МОПТ
Толщина экрана, мкм | 0 | 10 | 90 | 1000 |
Граничная энергия, кэВ | 6,5 | 35 | 125 | 600 |
Результаты эксперимента, крад | 29,7 | 60,7 | 56,4 | 24,6 |
171,9 | 104,2 | 70,9 | 38,9 | |
215,4 | 123,4 | 58,3 | 36,2 | |
Среднее значение дозы, крад | 139,1 | 85,2 | 62,0 | 33,2 |
Обработка результатов позволила получить зависимость, представленную на рис.1. Как можно видеть, погрешность определения спектра электронов не превышает 40% и обусловлена большим разбросом чувствительности МОПТ к воздействию ИИ.

Рис.1. Спектры электронов
Таким образом, показана принципиальная возможность измерения спектра электронов с помощью сборки МОПТ. Для повышения точности необходимо производить отбор МОПТ по чувствительности к ИИ.
Авторы благодарят и за помощь в работе.
Список литературы
1. Electronic Letters. 1970. Vol.6.No 7.P.198-200.
2. ICRU REPORT 37. Stopping powers for electrons and positrons. 1984.


