Партнерка на США и Канаду по недвижимости, выплаты в крипто
- 30% recurring commission
- Выплаты в USDT
- Вывод каждую неделю
- Комиссия до 5 лет за каждого referral
М. Н. МИННЕКАЕВ1, Ю. А. МАТВЕЕВ1, Ю. Ю. ЛЕБЕДИНСКИЙ1,
А. В. ЗЕНКЕВИЧ1, К. В. БУЛАХ2, А. А. ЧУПРИК2, А. С. БАТУРИН2,
С. ТИСС3, В. ДРУБЕ3
1Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» 2Московский физико-технический институт (государственный университет) 3Germany, Deutsches Elektronen-Synchrotron (DESY), Hamburg
СТРУКТУРНЫЕ, ЭЛЕКТРОННЫЕ И ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ СВЕРХТОНКИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК BaTiO3
В работе были исследованы структуры на основе сверхтонких (220 нм) сегнетоэлектрических пленок BaTiO3, выращенные импульсным лазерным осаждением. Химические и электронные свойства границ раздела BaTiO3/металл (металл = Fe, Pt, Cr) были охарактеризованы методом высокоэнергетической рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Значение относительного изменения электро-сопртивления, вычисленное из вольт-амперных характеристик на структуре Cr/BaTiO3/Pt, составляет -10 в зависимости от направления поляризации сегнетоэлектрического слоя. Продемонстрирована возможность реализации запоминающего наноустройства на основе исследованных гетероструктур.
