М. Н. МИННЕКАЕВ1, Ю. А. МАТВЕЕВ1, Ю. Ю. ЛЕБЕДИНСКИЙ1,
А. В. ЗЕНКЕВИЧ1, К. В. БУЛАХ2, А. А. ЧУПРИК2, А. С. БАТУРИН2,
С. ТИСС3, В. ДРУБЕ3
1Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» 2Московский физико-технический институт (государственный университет) 3Germany, Deutsches Elektronen-Synchrotron (DESY), Hamburg
СТРУКТУРНЫЕ, ЭЛЕКТРОННЫЕ И ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ СВЕРХТОНКИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК BaTiO3
В работе были исследованы структуры на основе сверхтонких (220 нм) сегнетоэлектрических пленок BaTiO3, выращенные импульсным лазерным осаждением. Химические и электронные свойства границ раздела BaTiO3/металл (металл = Fe, Pt, Cr) были охарактеризованы методом высокоэнергетической рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Значение относительного изменения электро-сопртивления, вычисленное из вольт-амперных характеристик на структуре Cr/BaTiO3/Pt, составляет -10 в зависимости от направления поляризации сегнетоэлектрического слоя. Продемонстрирована возможность реализации запоминающего наноустройства на основе исследованных гетероструктур.
