55. Разработка технологии внедрение новых диэлектрических
производства новых материалов на основе
диэлектрических материалов наромбоэдрической модификации
основе ромбоэдрической нитрида бора и подложек из
модификации нитрида бора и поликристаллического алмаза с
подложек из поликристаллического повышенной теплопроводностью и
алмаза электропроводностью для создания
нового поколения
высокоэффективных и надежных
сверхвысокочастотных приборов
56. Разработка технологии создание технологии производства
производства гетероэпитаксиальных структур и
гетероэпитаксиальных структур иструктур гетеробиполярных
структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных
транзисторов на основе нитридных соединений A3B5 для обеспечения
соединений A3B5 для мощных разработок и изготовления
полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных
сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и мощных
интегральных схем транзисторов
57. Разработка базовой технологии создание базовой технологии
производства метаморфных производства гетероструктур и
структур на основе GaAs ипсевдоморфных структур на
псевдоморфных структур на подложках InP для перспективных
подложках InP для приборов полупроводниковых приборов и
сверхвысокочастотной электроники сверхвысокочастотных монолитных
диапазонаГГц интегральных схем диапазона 60 -
90 ГГц
58. Разработка технологии создание спинэлектронных
производства спинэлектронных магнитных материалов и
магнитных материалов,микроволновых структур со
радиопоглощающих и спиновым управлением для создания
мелкодисперсных ферритовых перспективных микроволновых
материалов для сверхвысокочастотных приборов
сверхвысокочастотных приборов повышенного быстродействия и
низкого энергопотребления
59. Разработка технологии создание технологии массового
производства высокочистых производства высокочистых
химических материалов (аммиака,химических материалов (аммиака,
арсина, фосфина, тетрахлорида арсина, фосфина, тетрахлорида
кремния) в обеспечение кремния) для выпуска
производства полупроводниковых полупроводниковых подложек
подложек нитрида галлия, нитрида галлия, арсенида галлия,
арсенида галлия, фосфида индия, фосфида индия, кремния и
кремния и гетероэпитаксиальных гетероэпитаксиальных структур на
структур на их основе их основе
60. Разработка технологии создание технологии производства
производства поликристаллических поликристаллических алмазов и его
алмазов и их пленок дляпленок для мощных
теплопроводных конструкций сверхвысокочастотных приборов
мощных выходных транзисторов и
сверхвысокочастотных приборов
61. Исследование путей и разработка создание технологии изготовления
технологии изготовления новыхновых микроволокон на основе
микроволокон на основедвухмерных диэлектрических и
двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро - и
металлодиэлектрических микро- и наноструктур для новых классов
наноструктур, а также микроструктурных приборов,
полупроводниковых нитей с магниторезисторов, осцилляторов,
наноразмерами при вытяжке устройств оптоэлектроники
стеклянного капилляра,
заполненного жидкой фазой
полупроводника
62. Разработка технологии создание базовой пленочной
выращивания слоев пьезокерамики технологии пьезокерамических
на кремниевых подложках дляэлементов, совместимой с
формирования комплексированных комплементарной металло-оксидной
устройств микросистемной техники полупроводниковой технологией для
разработки нового класса активных
пьезокерамических устройств,
интегрированных с микросистемами
63. Разработка методологии и базовых создание технологии травления и
технологий создания многослойныхизготовления кремниевых
кремниевых структур стрехмерных базовых элементов
использованием "жертвенных" и микроэлектромеханических систем с
"стопорных" диффузионных и использованием "жертвенных" и
диэлектрических слоев для "стопорных" слоев для серийного
производства силовых приборов и производства элементов
элементов микроэлектромеханических систем
микроэлектромеханических систем кремниевых структур с
использованием силикатных стекол,
моно-, поликристаллического и
пористого кремния и диоксида
кремния
64. Разработка базовых технологий создание технологии получения
получения алмазных алмазных полупроводниковых
полупроводниковых наноструктур инаноструктур и наноразмерных
наноразмерных органических органических покрытий, алмазных
покрытий с широким диапазоном полупроводящих пленок для
функциональных свойств конкурентоспособных
высокотемпературных и радиационно
стойких устройств и приборов
двойного назначения
65. Исследование и разработка создание технологии изготовления
технологии роста эпитаксиальных гетероструктур и эпитаксиальных
слоев карбида кремния, структур структур на основе нитридов для
на основе нитридов, а также создания радиационно стойких
формирования изолирующих и сверхвысокочастотных и силовых
коммутирующих слоев в приборах приборов нового поколения
экстремальной электроники
66. Разработка технологии - создание технологии производства
производства радиационно стойких структур "кремний на сапфире"
сверхбольших интегральных схем диаметром до 150 мм с толщиной
на ультратонких приборного слоя до 0,1 мкм и
гетероэпитаксиальных структурах топологическими нормами до 0,18
кремния на сапфировой подложке мкм для производства электронной
для производства электронной компонентной базы специального и
компонентной базы специального и двойного назначения
двойного применения
67. Разработка технологии создание технологии производства
производства высокоомного радиационно облученного кремния и
радиационно облученного кремния, пластин кремния до 150 мм для
слитков и пластин кремния выпуска мощных транзисторов и
диаметром до 150 мм для сильноточных тиристоров нового
производства силовых поколения
полупроводниковых приборов
68. Разработка технологии разработка и промышленное
производства кремниевых подложек освоение получения
и структур для силовыхвысококачественных подложек и
полупроводниковых приборов с структур для использования в
глубокими высоколегированными производстве силовых
слоями p - и n-типов проводимости полупроводниковых приборов, с
и скрытыми слоями носителей с глубокими высоколегированными
повышенной рекомбинацией слоями и скрытыми слоями
носителей с повышенной
рекомбинацией
69. Разработка технологии - создание технологии производства
производства электронного пластин кремния диаметром до 200
кремния, кремниевых пластин мм и эпитаксиальных структур
диаметром до 200 мм и кремниевых уровня 0,25 - 0,18 мкм
эпитаксиальных структур уровня
технологии 0,25 - 0,18 мкм
70. Разработка методологии, 3 разработка технологии
конструктивно-технических корпусирования интегральных схем
решений и перспективной базовой и полупроводниковых приборов на
технологии корпусирования основе использования многослойных
интегральных схем и кремниевых структур со сквозными
полупроводниковых приборов на токопроводящими каналами,
основе использования обеспечивающей сокращение состава
многослойных кремниевых структур сборочных операций и формирование
со сквозными токопроводящими трехмерных структур
каналами
71. Разработка технологии создание базовой технологии
производства гетероструктур SiGe производства гетероструктур SiGe
биполярной комплементарной для выпуска быстродействующих
металл-окисел полупроводниковой сверхбольших интегральных схем с
технологии для разработки топологическими нормами 0,25 -
приборов с топологическими 0,18 мкм
нормами 0,25 - 0,18 мкм
72. Разработка технологии создание технологии выращивания и
выращивания и обработки, в томобработки пьезоэлектрических
числе плазмохимической, новыхматериалов акустоэлектроники и
пьезоэлектрических материалов акустооптики для обеспечения
для акустоэлектроники и производства широкой номенклатуры
акустооптики акустоэлектронных устройств
нового поколения
73. Разработка технологийсоздание технологии массового
производствапроизводства исходных материалов
соединений A3B5 и тройныхи структур для перспективных
структур для: приборов лазерной и
производства сверхмощных оптоэлектронной техники, в том
лазерных диодов; числе:
высокоэффективных светодиодов производства сверхмощных лазерных
белого, зеленого, синего и диодов;
ультрафиолетового диапазонов; высокоэффективных светодиодов
фотоприемников среднего белого, зеленого, синего и
инфракрасного диапазона ультрафиолетового диапазонов;
фотоприемников среднего
инфракрасного диапазона
74. Исследование и разработка создание технологии производства
технологии полученияпринципиально новых материалов
гетероструктур с вертикальнымиполупроводниковой электроники на
оптическими резонаторами на основе сложных композиций для
основе квантовых ям и квантовых перспективных приборов лазерной и
точек для производства оптоэлектронной техники
вертикально излучающих лазеров
для устройств передачи
информации и матриц для
оптоэлектронных переключателей
нового поколения
75. Разработка технологиисоздание технологии производства
производства современныхкомпонентов для
компонентов дляспециализированных электронно-
специализированных лучевых;
фотоэлектронных приборов, в том электроннооптических и
числе: отклоняющих систем;
катодов и газопоглотителей; стеклооболочек и деталей из
электронно-оптических и электровакуумного стекла
отклоняющих систем; различных марок
стеклооболочек и деталей из
электровакуумного стекла
различных марок
76. Разработка технологии создание технологии производства
производства особо тонкихособо тонких гетерированных
гетерированных нанопримесяминанопримесями полупроводниковых
полупроводниковых структур для структур для изготовления
высокоэффективных фотокатодов, высокоэффективных фотокатодов
электронно-оптических электронно-оптических
преобразователей и преобразователей и
фотоэлектронных умножителей, фотоэлектронных умножителей,
приемников инфракрасного приемников инфракрасного
диапазона, солнечных элементов и диапазона, солнечных элементов и
др., фотоэлектронных приборов с других приложений
высокими значениями коэффициента
полезного действия
77. Разработка базовой технологиисоздание технологии
производства монокристаллов AlNмонокристаллов AlN для
для изготовления изолирующих иизготовления изолирующих и
проводящих подложек для проводящих подложек для создания
гетероструктур полупроводниковых
высокотемпературных и мощных
сверхвысокочастотных приборов
нового поколения
78. Разработка базовой технологии создание базовой технологии
производствавакуумно-плотной спецстойкой
наноструктурированных оксидовкерамики из нанокристаллических
металлов (корунда и т. п.) для порошков и нитридов металлов для
производства вакуумно-плотной промышленного освоения
нанокерамики, в том числе с спецстойких приборов нового
заданными оптическими свойствами поколения, в том числе
микрочипов, сверхвысокочастотных
аттенюаторов, RLC-матриц, а также
особо прочной электронной
компонентной базы оптоэлектроники
и фотоники
79. Разработка базовой технологиисоздание технологии производства
производства полимерных иполимерных и композиционных
гибридных органо-неорганическихматериалов с использованием
наноструктурированных защитных поверхностной и объемной
материалов для электронных модификации полимеров
компонентов нового поколения наноструктурированными
прецизионных и наполнителями для создания
сверхвысокочастотных резисторов, изделий с высокой механической,
терминаторов, аттенюаторов и термической и радиационной
резисторно-индукционно-емкостных стойкостью при работе в условиях
матриц, стойких к воздействию длительной эксплуатации и
комплекса внешних и специальных воздействии комплекса специальных
факторов внешних факторов
Всего по направлению 5 3
-
2
Направление 6 "Группы пассивной электронной компонентной базы"
80. Разработка технологии выпуска разработка расширенного ряда
прецизионныхрезонаторов с повышенной
температуростабильныхкратковременной и долговременной
высокочастотных до 1,5 - 2 ГГц стабильностью для создания
резонаторов на поверхностно контрольной и связной аппаратуры
акустических волнах до 1,5 ГГц с двойного назначения
полосой до 70 процентов и
длительностью сжатого сигнала до
2 - 5 нс
81. Разработка в лицензируемых и создание технологии и конструкции
нелицензируемых международных акустоэлектронных пассивных и
частотных диапазонах 860 МГц иактивных меток-транспондеров для
2,45 ГГц ряда радиочастотных применения в логистических
пассивных и активных приложениях на транспорте, в
акустоэлектронных меток - торговле и промышленности
транспондеров, в том числе
работающих в реальной помеховой
обстановке, для систем
радиочастотной идентификации и
систем управления доступом
82. Разработка базовой конструкции и создание технологии
промышленной технологиипроектирования и базовых
производства пьезокерамическихконструкций пьезоэлектрических
фильтров в корпусах для фильтров в малогабаритных
поверхностного монтажа корпусах для поверхностного
монтажа при изготовлении связной
аппаратуры массового применения
83. Разработка технологии создание базовой технологии
проектирования, базовой акустоэлектронных приборов для
технологии производства иперспективных систем связи,
конструирования измерительной и навигационной
акустоэлектронных устройств аппаратуры нового поколения -
нового поколения и фильтров подвижных, спутниковых,
промежуточной частоты с высокими тропосферных и радиорелейных
характеристиками для современных линий связи, цифрового
систем связи, включая интерактивного телевидения,
высокоизбирательные радиоизмерительной аппаратуры,
высокочастотные устройства радиолокационных станций,
частотной селекции на спутниковых навигационных систем
поверхностных и приповерхностных
волнах и волнах Гуляева-
Блюштейна с предельно низким
уровнем вносимого затухания для
частотного диапазона до 5 ГГц
84. Разработка технологиисоздание технологии производства
проектирования и базовойвысокоинтегрированной электронной
технологии производствакомпонентной базы типа "система в
функциональных законченных корпусе" для вновь
устройств стабилизации, селекции разрабатываемых и модернизируемых
частоты и обработки сигналов сложных радиоэлектронных систем и
типа "система в корпусе" комплексов
85. Разработка базовой конструкции исоздание базовой технологии (2010
технологии изготовленияг.) и базовой конструкции
высокочастотных резонаторов имикроминиатюрных высокодобротных
фильтров на объемных фильтров для малогабаритной и
акустических волнах для носимой аппаратуры навигации и
телекоммуникационных и связи
навигационных систем
86. Разработка технологии и базовойсоздание нового поколения
конструкции фоточувствительныхоптоэлектронных приборов для
приборов с матричнымиобеспечения задач предотвращения
приемниками высокого разрешения аварий и контроля
для видимого и ближнего
инфракрасного диапазона для
аппаратуры контроля изображений
87. Разработка базовой технологии создание базовой технологии
унифицированных электронно -нового поколения приборов
оптических преобразователей,контроля тепловых полей для задач
микроканальных пластин, теплоэнергетики, медицины,
пироэлектрических матриц и камер поисковой и контрольной
на их основе с чувствительностью аппаратуры на транспорте,
до 0,1 К и широкого продуктопроводах и в охранных
инфракрасного диапазона системах
88. Разработка базовой технологии создание базовой технологии (2008
создания интегрированных г.) и конструкции новых типов
гибридных фотоэлектронныхприборов, сочетающих
высокочувствительных и фотоэлектронные и твердотельные
высокоразрешающих приборов и технологии, с целью получения
усилителей для задач экстремально достижимых
космического мониторинга и характеристик для задач контроля
специальных систем наблюдения, и наблюдения в системах двойного
научной и метрологической назначения
аппаратуры
89. Разработка базовых технологий создание базовой технологии (2008
мощных полупроводниковых г.) и конструкций принципиально
лазерных диодов (непрерывного и новых мощных диодных лазеров,
импульсного излучения) предназначенных для широкого
специализированных лазерных применения в изделиях двойного
полупроводниковых диодов, назначения, медицины,
фотодиодов и лазерных волоконно - полиграфического оборудования и
оптических модулей для создания системах открытой оптической
аппаратуры и систем нового связи
поколения
90. Разработка и освоение базовых разработка базового комплекта
технологий для лазерныхосновных оптоэлектронных
навигационных приборов, включаякомпонентов для лазерных
интегральный оптический модуль гироскопов широкого применения
лазерного гироскопа на базе (2010 г.), создание комплекса
сверхмалогабаритных кольцевых технологий обработки и
полупроводниковых лазеров формирования структурных и
инфракрасного диапазона, приборных элементов, оборудования
оптоэлектронные компоненты для контроля и аттестации,
широкого класса инерциальных обеспечивающих новый уровень
лазерных систем управления технико-экономических показателей
движением гражданских и производства
специальных средств транспорта
91. Разработка базовых конструкций и создание базовой технологии
технологий создания квантово -твердотельных чип-лазеров для
электронных приемо-передающихлазерных дальномеров,
модулей для малогабаритных твердотельных лазеров с
лазерных дальномеров нового пикосекундными длительностями
поколения на основе импульсов для установок по
твердотельных чип-лазеров с прецизионной обработке
полупроводниковой накачкой, композитных материалов, для
технологических лазерных создания элементов и изделий
установок широкого спектрального микромашиностроения и в
диапазона производстве электронной
компонентной базы нового
поколения, мощных лазеров для
применения в машиностроении,
авиастроении, автомобилестроении,
судостроении, в составе
промышленных технологических
установок обработки и сборки,
систем экологического мониторинга
окружающей среды, контроля
выбросов патогенных веществ,
контроля утечек в
продуктопроводах
92. Разработка базовых технологий создание технологии получения
формирования конструктивных широкоапертурных элементов на
узлов и блоков для лазеровоснове алюмоиттриевой
нового поколения и технологии легированной керамики композитных
создания полного комплекта составов для лазеров с диодной
электронной компонентной накачкой (2008 г.),
базы для производства лазерного высокоэффективных
устройства определения наличия преобразователей частоты
опасных, взрывчатых, отравляющих лазерного излучения, организация
и наркотических веществ в промышленного выпуска оптических
контролируемом пространстве изделий и лазерных элементов
широкой номенклатуры
93. Разработка базовых технологий, разработка расширенной серии
базовой конструкции инизковольтных
организация производствакатодолюминесцентных и других
интегрированных дисплеев с широким диапазоном
катодолюминесцентных и других эргономических характеристик и
дисплеев двойного назначения со свойств по условиям применения
встроенным микроэлектронным для информационных и контрольных
управлением систем
94. Разработка технологии и базовых создание ряда принципиально новых
конструкций высокояркостныхсветоизлучающих приборов с
светодиодов и индикаторовминимальными геометрическими
основных цветов свечения для размерами, высокой надежностью и
систем подсветки в приборах устойчивостью к механическим и
нового поколения климатическим воздействиям,
обеспечивающих энергосбережение
за счет замены ламп накаливания в
системах подсветки аппаратуры и
освещения
95. Разработка базовой технологии и создание базовой технологии
конструкции оптоэлектронныхпроизводства нового поколения
приборов (оптроны, оптореле,оптоэлектронной высокоэффективной
светодиоды) в миниатюрных и надежной электронной
корпусах для поверхностного компонентной базы для
монтажа промышленного оборудования и
систем связи
96. Разработка схемотехнических создание технологии новых классов
решений и унифицированныхносимой и стационарной
базовых конструкций и технологийаппаратуры, экранов отображения
формирования твердотельных информации коллективного
видеомодулей на пользования повышенных емкости и
полупроводниковых формата
светоизлучающих структурах для
носимой аппаратуры, экранов
индивидуального и
коллективного пользования с
бесшовной стыковкой
97. Разработка базовой технологии создание технологии массового
изготовления высокоэффективныхпроизводства солнечных элементов
солнечных элементов на базедля индивидуального и
использования кремния, коллективного использования в
полученного по "бесхлоридной" труднодоступных районах, развития
технологии и технологии "литого" солнечной энергетики в жилищно-
кремния прямоугольного сечения коммунальном хозяйстве в
обеспечение задач
энергосбережения
98. Разработка базовой технологии и создание технологии массового
освоение производствапроизводства нового класса
оптоэлектронных реле соптоэлектронных приборов для
повышенными техническими широкого применения в
характеристиками для радиоэлектронной аппаратуре
поверхностного монтажа
99. Комплексное исследование и создание базовой технологии
разработка технологий получения массового производства экранов с
новых классов органических предельно низкой удельной
(полимерных) люминофоров, стоимостью для информационных и
пленочных транзисторов на основе обучающих систем
"прозрачных" материалов,
полимерной пленочной основы и
технологий изготовления
крупноформатных гибких и особо
плоских экранов, в том числе на
базе высокоразрешающих процессов
струйной печати и непрерывного
процесса изготовления типа "с
катушки на катушку"
100. Разработка базовых конструкций и - создание технологии и конструкции
технологии активных матриц и активно-матричных органических
драйверов плоских экранов на электролюминесцентных,
основе аморфных, жидкокристаллических и
поликристаллических и катодолюминесцентных дисплеев,
кристаллических кремниевых стойких к внешним специальным и
интегральных структур на климатическим воздействиям
различных подложках и создание
на их основе перспективных
видеомодулей, включая
органические
электролюминесцентные,
жидкокристаллические и
катодолюминесцентные, создание
базовой технологии серийного
производства монолитных модулей
двойного назначения
101. Разработка базовой конструкции и создание технологии и базовых
технологии крупноформатных конструкций полноцветных
полноцветных газоразрядных газоразрядных видеомодулей
видеомодулей специального и двойного
назначения для наборных экранов
коллективного пользования
102. Разработка технологии сверх - разработка расширенного ряда
прецизионных резисторов исверхпрецизионных резисторов,
гибридных интегральных схемгибридных интегральных схем
цифро-аналоговых и аналого - цифро-аналоговых и аналого-
цифровых преобразователей на их цифровых преобразователей с
основе в металлокерамических параметрами, превышающими уровень
корпусах для аппаратуры двойного существующих отечественных и
назначения зарубежных изделий для аппаратуры
связи, диагностического контроля,
авиастроения, станкостроения,
103. Разработка базовой технологии разработка расширенного ряда
особо стабильных и особо точных сверхпрецизионных резисторов с
резисторов широкого диапазонаповышенной удельной мощностью
сопротивления, прецизионных рассеяния, высоковольтных
датчиков тока для измерительной высокоомных резисторов для
и контрольной аппаратуры и измерительной техники, приборов
освоение их производства ночного видения и
аппаратуры контроля
104. Разработка технологии и базовых создание базовой технологии и
конструкций резисторов и конструкции резисторов с
резистивных структур нового повышенными значениями
поколения для поверхностного стабильности, удельной мощности в
монтажа, в том числе: резисторов чип-исполнении на основе
с повышенными характеристиками, многослойных монолитных структур
ультранизкоомных резисторов,
малогабаритных подстроечных
резисторов, интегральных сборок
серии нелинейных
полупроводниковых резисторов в
многослойном исполнении чип-
конструкции
105. Разработка технологий создание базовой технологии
формирования интегрированныхпроизводства датчиков на
резистивных структур срезистивной основе с высокими
повышенными технико - техническими характеристиками и
эксплуатационными надежностью
характеристиками на основе
микроструктурированных
материалов и методов групповой
сборки
106. Создание групповой технологии создание технологии
автоматизированного производства автоматизированного производства
толстопленочных чип - и микрочип -чип - и микрочип-резисторов (в
резисторов габаритах 0402, 0201 и менее) для
применения в массовой аппаратуре
107. Разработка новых базовых создание базовой технологии
технологий и конструктивных производства конденсаторов с
решений изготовления танталовыхкачественно улучшенными
оксидно-полупроводниковых и характеристиками с электродами из
оксидно-электролитических неблагородных металлов при
конденсаторов и чип - сохранении высокого уровня
конденсаторов и организация надежности
производства конденсаторов с
повышенным удельным зарядом,
сверхнизким значением
внутреннего сопротивления и
улучшенными потребительскими
характеристиками
108. Разработка комплексной базовой создание базовых технологий
технологии и организацияконденсаторов и ионисторов на
производства конденсаторов соснове полимерных материалов с
органическим диэлектриком и повышенным удельным зарядом и
повышенными удельными энергоемких накопительных
характеристиками и ионисторов с конденсаторов с повышенной
повышенным током разряда удельной энергией
109. Разработка технологии, базовых создание технологии и базовых
конструкций высоковольтных конструкций нового поколения
(быстродействующих, мощных)выключателей для радиоэлектронной
вакуумных выключателей нового аппаратуры с повышенными тактико-
поколения с предельными техническими характеристиками и
характеристиками для надежностью
высокими сроками службы
110. Разработка технологий создания создание технологии изготовления
газонаполненных высоковольтныхкоммутирующих устройств для
высокочастотных коммутирующихтоковой коммутации цепей в
устройств для токовой коммутации широком диапазоне напряжений и
цепей с повышенными техническими токов для радиоэлектронных и
характеристиками электротехнических систем
111. Разработка полного комплектасоздание технологии выпуска
электронной компонентной базыустройств грозозащиты в
для создания модульногоиндивидуальном, промышленном и
устройства грозозащиты зданий и гражданском строительстве,
сооружений с обеспечением строительстве пожароопасных
требований по международным объектов
стандартам
112. Разработка базовых конструкций и создание базовой технологии
технологий изготовления формирования высококачественных
малогабаритных переключателей с гальванических покрытий,
повышенными сроками службы для технологии прецизионного
печатного монтажа формирования изделий для
изготовления коммутационных
устройств широкого назначения
Всего по направлению 6 3
-
2
Направление 7 "Обеспечивающие работы"
113. Разработка организационных5 разработка комплекта методической
принципов и научно-технической- и научно-технической документации
базы обеспечения проектированияв обеспечение функционирования
и производства электронной систем проектирования и
компонентной базы в соответствии производства электронной
с требованиями Всемирной компонентной базы в соответствии
торговой организации с требованиями Всемирной торговой
организации
114. Создание и обеспечение 28 разработка новых и
функционирования системы -- совершенствование существующих
испытаний электронной19 методов испытаний электронной
компонентной базы, компонентной базы, разработка
обеспечивающей поставку изделий методов отбраковочных испытаний
с гарантированной надежностью перспективной электронной
для комплектации систем компонентной базы, обеспечение
специального и двойного поставки изделий с
назначения гарантированной надежностью для
комплектации систем специального
назначения (атомная энергетика,
космические программы, транспорт,
системы двойного назначения)
115. Разработка и совершенствование 71,5 13,5разработка и систематизация
методов, обеспечивающих качество -- -- методов расчетно-
и надежностьэкспериментальной оценки
сложнофункциональной электронной показателей надежности
компонентной базы на этапах электронной компонентной базы,
опытно-конструкторских работ, разрешенной для применения в
освоения и производства аппаратуре, функционирующей в
специальных условиях и с
длительными сроками активного
существования
116. Создание и внедрение нового,5 10,5 15 разработка системы технологий
поколения основополагающихобеспечения жизненного цикла
документов по обеспечениюизделия при создании широкой
жизненного цикла изделия на номенклатуры электронной
этапах проектирования, компонентной базы
производства, применения и
утилизации электронной
компонентной базы
117. Научное сопровождение 125,5 25,5оптимизация состава выполняемых
подпрограммы, в том числе: --- -- комплексов научно-
определение технологического и19 исследовательских и опытно-
технического уровней развития конструкторских работ по развитию
отечественной и импортной электронной компонентной базы в
электронной компонентной базы на рамках подпрограммы и определение
основе их рубежных технико - перспективных направлений
экономических показателей, создания новых классов
разработка "маршрутных карт" электронной компонентной базы с
развития групп электронной установлением системы технико-
компонентной базы экономических и рубежных
технологических показателей,
разработка "маршрутных карт"
развития по направлениям
электронной компонентной базы
118. Создание интегрированной,5 12,5 15 проведение технико-экономической
информационно-аналитическойоптимизации выполнения
автоматизированной системы по комплексных годовых мероприятий
развитию электронной подпрограммы, создание системы
компонентной базы, охватывающей действенного финансового и
деятельность заказчика - технического контроля выполнения
координатора, заказчика и подпрограммы в целом
предприятий, участвующих в
выполнении комплекса программных
мероприятий, с целью оптимизации
состава участников, финансовых
средств, перечисляемой
государству прибыли и достижения
заданных технико-экономических
показателей разрабатываемой
электронной компонентной базы
119. Определение перспектив развития 64,5 13,5формирование системно-
российской электронной -- -- ориентированных материалов по
компонентной базы на основеэкономике, технологиям
анализа динамики сегментов проектирования и производству
мирового и отечественного рынков электронной компонентной базы,
радиоэлектронной продукции и обобщение и анализ мирового опыта
действующей производственно - для выработки технически и
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 |
