Специальность
Микроэлектроника и полупроводниковые приборы
Квалификация – физик-микроэлектронщик
Время обучения 5 лет
Саратовский государственный университет
им.
Факультет нано - и биомедицинских технологий
Кафедра физики твердого тела
Научные результаты плюс поддержка государства – эти два фактора позволяют ученым СГУ рассчитывать на успешное развитие в университете научных направлений микроэлектроника и наноэлектроника и получения в конечном итоге конкурентоспособного рыночного продукта и выпуск специалистов, способных обеспечить его массовое производство.
Как известно, микроэлектроника и наноэлектроника – молодые научные направления, явившиеся естественным результатом развития физики твердого тела, физики полупроводников и диэлектриков, микроэлектроники. Научная школа, сформировавшаяся в этом направлении в Саратовском университете, имеет свое начало с коллектива, созданного в конце 30-х гг. известным своими фундаментальными работами в области физики полупроводников ученым – – ближайшим сотрудником академика АН СССР .
Микроэлектроника и наноэлектроника совместно с нанотехнологией позволяют создавать принципиально новые материалы и устройства для электроники, фотоники, микроэлектромеханики, биологии и медицины. Индустрия наносистем и наноматериалов относится к числу приоритетных научных направлений. Мировой рынок нанотехнологий в ближайшие 10 лет на 20% превзойдет рынок электроники и в 2 раза обгонит медицинский рынок. Специалисты в области нанотехнологии будут востребованы в науке и в наукоемких производствах, которые составят основу экономики 21 века.
В связи с пристальным вниманием правительства РФ и президента РФ к развитию нанотехнологий возрастает потребность в квалифицированных кадрах работающих в области нанотехнологий с целью создания новых перспективных нанотехнологичных материалов и исследовании свойств уже созданных материалов.
Общая характеристика направления
014100 «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы»
Физики - микроэлектронщики обладают навыками для выполнения следующих видов профессиональной деятельности:
- организационно-технологическая; производственно-управленческая; научно-исследовательская.
Специалисты 014100 «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы» обладают высокой квалификацией в области необходимой для адаптирования ко всем видам деятельности, базирующимся на системном анализе, моделировании, автоматизированном управлении и других видах информационных компьютерных технологий.
Основная образовательная программа подготовки специалиста предусматривает изучение студентом следующих циклов дисциплин:
- общие гуманитарные и социально-экономические дисциплины; общие математические и естественнонаучные дисциплины; общие профессиональные дисциплины направления; специальные дисциплины; факультативы.
Объектами профессиональной деятельности выпускников вузов по направлению 014100 «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы» являются
- физические процессы и явления, определяющие функционирование и технологию изготовления приборов и устройств во всех направлениях современной электроники, микроэлектроники;
- физические свойства материалов и активных сред электроники;
- способы и методы исследования и контроля этих свойств;
- наукоемкое аналитическое и технологическое оборудование с применением систем автоматической регистрации и обработки данных;
- алгоритмы решения типовых задач твердотельной электроники, микроэлектроники и наноэлектроники.
Выпускники по направлению 014100 «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы» способны адаптироваться ко всем видам деятельности, базирующимся на системном анализе, моделировании, автоматизированном управлении и других видах информационных компьютерных технологий.
У Вас также есть возможность продолжить образование в аспирантуре по профилю факультета.
Основные дисциплины специальности «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы»:
математика;
информатика;
физика;
химия;
биология с основами экологии;
физика твердого тела;
физика полупроводников и низкомерных систем;
теоретические основы радиоэлектроники и микросхемотехники;
твердотельная электроника и интегральные схемы;
физико-химические основы материаловедения для микро - и наноэлектроники;
физические основы микроэлектроники;
физические основы наноэлектроники;
основы технологии низкоразмерных систем;
физика и технология полупроводниковых приборов и интегральных схем;
физика поверхности конденсированных сред и интерфейсы;
микроэлектроника в медицине;
физика и технология низкоразмерных систем;
низкоразмерные структуры и приборы;
наноэлектроника;
материаловедение элементной базы электронной техники;
компьютерные технологии в микроэлектронике.
Производственная практика организуется в современных инновационных и инжиниринговых центрах и предусматривает непосредственное участие студентов в реализации исследовательской деятельности по созданию и изучению полупроводниковых материалов и элементов микроэлектронной техники.
Специалист по окончании обучения будет знать и уметь применять:
- основные учения в области гуманитарных и социально-экономических наук, основные понятия, законы и модели механики, молекулярной физики, электричества и магнетизма, оптики, атомной физики, физики атомного ядра и частиц, колебаний и волн, квантовой механики, термодинамики и статистической физики, методы теоретических и экспериментальных исследований в физике;
- современное состояние, теоретические работы и результаты экспериментов в избранной области исследований, явления и методы исследований в объеме дисциплин специализаций;
- фундаментальные явления и эффекты в области физики, экспериментальные, теоретические и компьютерные методы исследований в этой области;
- математический анализ, теорию функций комплексной переменной, аналитическую геометрию, векторный и тензорный анализ, дифференциальные и интегральные уравнения, вариационное исчисление, теорию вероятностей и математическую статистику;
- основные положения теории информации, принципы построения систем обработки и передачи информации, основы подхода к анализу информационных процессов, современные аппаратные и программные средства вычислительной техники, принципы организации информационных систем, современные информационные технологии;
- основы экологии и здоровья человека, структуру экосистем и биосферы, взаимодействие человека и среды, экологические принципы охраны природы и рационального природопользования.
- технологические аспекты инновационной деятельности, инструментальные средства управления инновационными проектами, аппаратно-программные комплексы оснащения инновационной фирмы;
Кафедра физики твердого тела – ведущий научно-педагогический коллектив Саратовского госуниверситета в области развития и исследования полупроводниковых материалов, элементной базы микроэлектроники
Заведующий кафедрой физики твердого тела:
—заслуженный деятель науки РФ, академик РАЕН, МАНВШ, профессор, доктор физико-математических наук
Кафедра физики твердого тела была образована в СГУ в 1945 году. Со дня ее основания до 1985 года руководителем кафедры была заслуженный деятель науки РСФСР, д. ф.-м. н., профессор Созданию кафедры физики твердого тела предшествовала научная и организационная работа, проведенная , учеником и сотрудником академика , работавшим в Саратовском государственном университете с 1935 по 1944 г.
С 1985 года и по настоящее время заведующим кафедрой физики твердого тела является заслуженный деятель науки РФ, доктор ф.-м. наук, профессор, академик РАЕН, МАН ВШ Усанов его руководством защищено 6 докторских и 40 кандидатских диссертаций. На кафедре сегодня выполняют диссертационные работы 8 аспирантов. За время своего существования кафедрой подготовлено 1877 специалистов, 21 бакалавр, 21 магистров, среди которых профессора, доктора наук, Лауреаты государственных премий, международных конкурсов, выставок, салонов, директора предприятий различных форм собственности. Выпускники и аспиранты кафедры работают и проходят стажировку в зарубежных научных центрах и университетах.
На основе изобретений сотрудников кафедры разработаны и созданы новые типы приборов, которые были экспонированы на международных салонах изобретений, инноваций и инвестиций в Женеве, Париже, Брюсселе, Лионе, Нюрнберге, Москве и награждены золотыми, серебряными и бронзовыми медалями.
