Москва, 8−10 сентября 2005 г.
Московский государственный технический университет им.
при участии ОАО ЦНИТИ “Техномаш”
XI Международная научно-техническая
конференция
ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ
(Материалы и устройства функциональной электроники и НАНОфотоники)
XVII Международный симпозиум
ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ
Посвящается 175-летию МВТУ
ОРГКОМИТЕТ КОНФЕРЕНЦИЙ
СОПРЕДСЕДАТЕЛИ
– Ректор МГТУ им. , Москва
– Генеральный директор “Техномаш”, Москва
ЧЛЕНЫ ОРГКОМИТЕТА
– Заведующий кафедрой “Электронные технологии в машиностроении” МГТУ им. , Москва, зам. председателя
– Руководитель научных программ, начальник отдела ОАО ЦНИТИ “Техномаш”, Москва, зам. председателя
– Руководитель научных программ, начальник отдела ОАО ЦНИТИ “Техномаш”, Москва, зам. председателя
– Генеральный директор ЗАО НПП “ЭЛКО”, Москва
– Директор Института молекулярной и атомной физики НАН Беларуси, Минск
– Проректор по научной работе МГТУ им. , Москва
– Профессор МАТИ – Российский государственный авиационно-технологический университет им. , Москва
– Первый заместитель генерального директора ОАО ЦНИТИ “Техномаш”, Москва
– Генеральный директор ФГУП “Волга”, Саратов
Р. Каканаков – Директор Института прикладной физики БАН, Пловдив, Болгария
– Руководитель НУК “Машиностроительные технологии” МГТУ им. , Москва
– Заместитель директора Института сверхпроводимости и физики твердого тела РНЦ “Курчатовский институт”, Москва
– Директор Центра естественно-научных исследований Института общей физики РАН, Москва
– Заместитель генерального директора ГУП НИИВТ им. , Москва
– Генеральный директор , Зеленоград
– Генеральный директор ОАО НПО “Спецэлектромеханика”, Москва
– Вице-президент БНЦ СО РАН, Улан-Удэ
– Руководитель отдела МНИОИ им. , Москва
– Руководитель научных программ НПО “Орион”, Москва
– Заведующий отделом НИИЯФ МГУ, Москва
– Заведующий кафедрой МГУ им. , Москва
– Заместитель заведующего кафедрой МГТУ им. , Москва
– Директор Института химии силикатов РАН,
Санкт-Петербург
– Заведующий отделом ГНУ “Института тепло - и массообмена” НАН Беларуси, Минск
– Генеральный директор ОАО “Авангард”,
Санкт-Петербург
– Заместитель генерального директора по технологическим и опытно-конструкторским работам ННЦ “Харьковский физико-технический институт” НАН Украины, Харьков
– Вице-президент ОАО “Телеком”, Москва
УЧЕНЫЙ СЕКРЕТАРЬ
Екатерина Вадимовна Булыгина – Доцент кафедры “Электронные технологии в машиностроении” МГТУ им. , Москва
( (095),
E-mail: *****@
ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ
XI Международной научно-технической конференция “ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ” (Материалы и устройства функциональной электроники и нанофотоники)
и XVII Международного симпозиума
“ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ”
- Электронные технологии в машиностроении
- Вакуумное технологическое оборудование и системы автоматического управления
- Материалы, оборудование и технологии наноэлектроники и нанофотоники.
- Нанотехнологии и фотонные кристаллы.
- Новые технологии производства, обработки и исследования наноматериалов.
- Технологии и оборудование для производства приборов электронной техники и радиоэлектронных устройств.
- Наноструктурированные материалы и фотонные
кристаллы в оптоэлектронике, медицине и оптическом приборостроении.
- Микроэлектромеханические системы в медицине и промышленности.
- Получение, свойства и применение тонких пленок в электронике.
- Системы и устройства радиотехники и средств связи.
- Методы контроля функциональных свойств материалов электронной техники, измерительная аппаратура и аналитические методы.
- Моделирование и информационное обеспечение исследований.
ПУБЛИКАЦИИ
К началу работы конференций будут изданы сборники полных текстов докладов.
Рабочие языки конференций – русский и английский.
ТРЕБОВАНИЯ К СОДЕРЖАНИЮ ДОКЛАДОВ
В докладах должны содержаться ранее не публиковавшиеся данные и результаты работ. Присланные доклады рецензируются.
Доклады с оригинальными сообщениями не должны превышать
10 машинописных страниц, обзорные доклады – 20 страниц, включая аннотацию, таблицы и иллюстрации. Тезисы докладов участников XI Международной научно-технической конференции “ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ” (Материалы и устройства функциональной электроники и нанофотоники) и XVII Международного симпозиума “ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ” не публикуются.
ТРЕБОВАНИЯ К ОФОРМЛЕНИЮ ДОКЛАДОВ
Материал доклада должен быть написан с максимальной ясностью и четкостью изложения текста. Авторы должны избегать необоснованного введения новых терминов и узкопрофильных жаргонных выражений.
Рабочий язык сборника докладов – русский. Доклады также могут быть представлены на английском языке.
Весь текст выполняется в редакторе Microsoft Word 97 (или 2000).
Текст аннотации (сначала на русском, затем на английском языках), располагается через строчку после указания адреса.
Рисунки и фотографии должны быть отсканированы с разрешением 300 dpi в формате *.jpg или *.jpeg (черно-белая палитра или режим градации серого) и расположены по тексту статьи. Построение чертежей и диаграмм допускается в Corel Draw (версия 10 и ниже), AutoCAD (версия 2000 и ниже), Microsoft Word, Microsoft Excel.
Для записи формул и уравнений следует использовать встроенный редактор уравнений. Использование псевдографики для подготовки таблиц не допускается.
Доклады, не соответствующие перечисленным требованиям, будут отправлены авторам для доработки. Присланные материалы не возвращаются. Оргкомитет оставляет за собой право отклонять представленные доклады по следующим причинам: небрежное оформление, несоответствие тематике, отсутствие новизны, а также задержка с представлением доклада, что обусловлено сжатыми сроками представления сборников докладов в печать.
ПРЕДСТАВЛЕНИЕ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ПУБЛИКАЦИИ
В Оргкомитет XI Международной научно-технической конференции “ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ” (Материалы и устройства функциональной электроники и нанофотоники) и XVII Международного симпозиума “ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ” до 1 июня 2005 года должны быть направлены следующие материалы:
1) Доклад, файлы рисунков и заполненная заявка – по электронной почте: *****@
2) Доклад и экспертное заключение (разрешение на открытое опубликование статьи) – на один из указанных почтовых адресов.
Адреса для переписки:
* Россия, г. Москва, 2-я Бауманская ул., 5, МТ-11
E-mail: *****@
E-mail: *****@
( (0, Тел./
* Россия, г. Москва, ул. Ивана Франко, 4
E-mail: *****@***ru
( (0, Тел./
http://www. confvtpr. *****/
ПРИМЕР построения доклада (оформляется как научная статья)
Название статьи
1, 1,2
1 Страна (полное название), адрес, телефон
2 ОАО ЦНИТИ “Техномаш”, Российская Федерация, , *****@***ru
Аннотация (на языке основного текста статьи, объем до 100 слов): шрифт – Times New Roman (Cyr); размер шрифта - 10 пт; начертание – обычное курсивное; расположение – по ширине; отступ первой строки абзаца – 0,6 см.
Аннотация (на английском языке): Название статьи - размер шрифта - 10 пт; начертание – жирное курсивное; (Авторы) - размер шрифта - 10 пт; начертание – жирное курсивное; Текст аннотации - размер шрифта - 10 пт; начертание – обычное курсивное
1. Наименование подзаголовка первого уровня
1.1. Наименование подзаголовка второго уровня Формат листа: А4 (21´29,7 см). Шрифт статьи – Times New Roman (Cyr). Название и подзаголовки набираются заглавными буквами. Название статьи, авторы, название организации и аннотация располагаются в одну колонку. Основной текст располагается в две колонки одинаковой ширины, ширина колонки – 7,7 см, расстояние между колонками – 0,6 см. Допускается расположение крупных рисунков, формул и таблиц в одну колонку. Параметры страницы: (отступы от края страницы) слева – 3 см, справа – 2 см, сверху – 3 см, снизу – 3 см. Название статьи: размер шрифта – 16 пт; начертание – жирное; отступов нет; расположение – по центру. Автор: размер шрифта – 12 пт; начертание – жирное, расположение – по центру. Название организации: размер шрифта – 12 пт; начертание – обычное, расположение – по центру. Текст статьи: размер шрифта – 10 пт; начертание – обычное; межстрочный интервал – одинарный; отступ первой строки абзаца – 0,6 см; расположение – по ширине. Между значением величины и единицей ее измерения ставится жесткий пробел (Ctrl+Shift+пробел). Подрисуночная подпись: размер шрифта – 10 пт; начертание – обычное курсивное; | отступов нет; расположение – по центру. Наименование подзаголовка первого уровня: размер шрифта – 11 пт; начертание – жирное курсивное; отступов нет; расположение – по левому краю.
Рис.1. Подпись под рисунком Наименование подзаголовка второго уровня: размер шрифта – 10 пт; начертание – жирное курсивное; отступов нет; расположение – по левому краю. Литература: размер шрифта – 10 пт; начертание – жирное курсивное; отступов нет; расположение – по ширине. Не допускаются ссылки на неопубликованные материалы. Сведения об источниках приводятся в соответствии с требованиями ГОСТ 7.1-2003.
1. , . Техника магнетронного распыления. М.: ПОЛЯРОН. 20 с. 2. . Эвристический потенциал природного алмаза в современной электронике // В кн.: Алмаз в технике и электронике на пороге III тысячелетия. М.: ПОЛЯРОН. 2001. С.5−21. |
XI Международная научно-техническая конференция “ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ” (Материалы и устройства функциональной электроники и нанофотоники)
XVII Международный симпозиум
“ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ”
РОССИЯ, г. МОСКВА, 8-10 сентября, 2005
ЗАЯВКА
1. Фамилия, имя, отчество, ученая степень авторов | |
2. Название доклада | |
3. Предполагаемая секция | |
4. Основной докладчик (фамилия, имя, отчество) | |
5. Должность, звание, ученая степень основного докладчика | |
6. Адрес для переписки (с указанием почтового индекса) | |
7. Телекоммуникации: - телефон - факс |
