Программа экспертного совета (стр. 2 )

6 декабря 2011г.

Оптоэлектроника.

№	время	Название доклада и гранта	Участник, ФИО полностью	Принадлежность к Организации (ВУЗ, институт, пр.)	Примечания
9.45-10.00	РЕГИСТРАЦИЯ
1	10.00-10.10	Метод восстановления состаренных газо­разрядных детекторов в газовом разряде CF4/CO2. За разработку неинвазивной технологии для восстановления газоразрядных детекторов, деградировавших в результате радиационного облучения.	Аксенов Дмитрий Андреевич	Петербургский институт ядерной физики им. , Санкт-Петербург
2	10.10-10.20	Влияние конструктивных параметров на ширину полосы модуляции вертикально-излучающих лазеров. За разработку быстродействующих вертикально-излучающих лазеров на основе InGaAlAs - квантоворазмерных гетероструктур для систем оптоволоконной связи.	Бобров Михаил Александрович	Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
3	10.20-10.30	Оптические и электрические свойства тонких пленок полупроводникового полимера полифлуорена в терагерцовой области электромагнитного спектра. За разработку дифференциальной методики терагерцовой спектроскопии во временных доменах для бесконтактного определения электрических характеристик и неразрушающего контроля тонких плёнок полупроводниковых и диэлектрических материалов и веществ.	Бобылев Александр Викторович	Физико-технический институт им РАН, Санкт-Петербург
4	10.30-10.40	Распространение интенсивных спиновых волн в одномерном магнонном кристалле. За разработку многофункционального устройства обработки СВЧ сигнала на основе магнонного кристалла, отличающегося расширенными функциональными возможностями	Дроздовский Андрей Викторович	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
5	10.40-10.50	Спектры люминесценции пленок ZnO легированных редкоземельными элементами. За разработку полупроводниковых структур на основе монокристаллических пленок ZnO легированных редкоземельными элементами (Er, Yb, Eu, Sm, Tm, Ce) для создания светоизлучающих приборов на заданную длину волны	Еременко Максим Викторович	Физико-технический институт им РАН, Санкт-Петербург
6	10.50-11.00	Свойства динамического хаоса в кольцевых СВЧ генераторах на основе ферромагнитных пленок. За разработку управляемого генератора СВЧ динамического хаоса для телекоммуникационных устройств нового поколения отличающихся миниатюрностью, высокой скоростью и скрытностью передачи информации.	Кондрашов Александр Викторович	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
7	11	Широкополосные (2ГГц) GaInAsSb/GaAlAsSb p-i-n фотодиоды для спектрального диапазона 1.5-2.5 мкм. За разработку широкополосных (2 ГГц) GaInAsSb/GaAlAsSb p-i-n фотодиодов в спектральном диапазоне мкм для систем передачи информации по открытому атмосферному каналу, мониторинга окружающей среды, лазерной дальнометрии, локации и других применений	Коновалов Глеб Георгиевич	Физико-технический институт им РАН, Санкт-Петербург
8	11.10-11.20	Влияние неоднородного уширения и преднамеренно внесённой неупорядоченности на ширину спектра генерации лазеров на КТ. За разработку оптимального дизайна лазеров на квантовых точках для эффективного решения задач многоканальной оптической связи	Коренев Владимир Владимирович	Академический университет РАН, Санкт –Петербург
	11.20-11.40	ПЕРЕРЫВ
9	11.40-11.50	Особенности создания УФ светодиодов AlGaN с длиной волны 360-365 нм, предназначенных для работы при высоких плотностях тока. За разработку технологии создания ультрафиолетовых светодиодов для систем дезинфекции воды и воздуха, оборудования для фотополимеризации, отличающихся высокой эффективностью излучения.	Курин Сергей Юрьевич	Академический университет РАН, Санкт –Петербург
10	11.50-12.00	Ультрафиолетовые фотодетекторы на основе контактов металл - твердые растворы AlGaN. За разработку твердотельных ультрафиолетовых фотоприемников на основе AlGaN для систем регистрации коротковолнового излучения на фоне многократно превышающей засветки видимым светом.	Ламкин Иван Анатольевич	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
11	12.00-12.10	Полупроводниковые лазеры в средней ИК-области спектра (2-2.4 мкм) на модах шепчущей галереи. За разработку полупроводниковых перестраиваемых ИК лазеров, работающих на модах шепчущей галереи, для систем мониторинга технологических процессов.	Ларченков Михаил Иванович	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
12	12.10-12.20	Синтез серебрянных наночастиц в стеклах с планарными волноводами для биосенсорных приложений. За разработку стеклокомпозитов с серебряными наночастицами для биосенсорных приложений.	Образцов Петр Алексеевич	Физико-технический институт им РАН, Санкт-Петербург
13	12.20-12.30	Создание наноструктур на основе фуллеренов C60 методом электронной литографии и исследование их вольт-амперных характеристик. За разработку наноструктур на основе фуллеренов C60 для создания компонентов органической электроники и элементов памяти.	Павлов Сергей Игоревич	Физико-технический институт им РАН, Санкт-Петербург
14	12.30-12.40	Модификации зонда атомно-силового микроскопа полианилином. За разработку покрытия полимером полианилином зондов атомно-силового микроскопа для обеспечения и повышения специфической чувствительности к полимерам за счет супрамолекулярного взаимодействия.	Пермяков Никита Вадимович	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
15	12.40-12.50	Дифракционные структуры на основе стеклометаллических нанокомпозитов. За разработку дифракционных оптических систем на основе стеклометаллических нанокомпозитов для применения в устройствах оптической связи.	Петров Михаил Игоревич	Академический университет РАН, г. Санкт –Петербург
16	12.50-13.00	Изготовление полевого транзистора с субмикронным затвором для применения в СВЧ микросхемах на GaAs, GaN. За разработку низкобюджетной технологии создания субмикронного затвора для полевых транзисторов и СВЧ микросхем на GaAs, GaN.	Сидельников Артём Александрович	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
13.00-13.40	ОБЕД
17	13.40-13.50	Фотодиоды для спектрального диапазона 2.5 – 4.8 мкм, работающие при комнатной температуре. За разработку фотодиодов в диапазоне длин волн 2.5-4.8 мкм, работающих при комнатной температуре, для контроля токсичных газов.	Старостенко Дмитрий Андреевич	Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
18	13.50-14.00	Сканирующая микроскопия токов ионной проводимости: создание и исследование зондового датчика, апробация на тест-объектах. За разработку универсального зондового датчика для сканирующей зондовой микроскопии.	Стовпяга Александр Владимирович	Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики
19	14.00-14.10	Физические процессы, протекающие при транспорте заряженных частиц из области атмосферного давления в газодинамический интерфейс масс-спектрометра. За разработку входного узла масс-спектрометра для транспорта заряженных частиц из области атмосферного давления в газодинамический интерфейс масс-спектрометра.	Фомина Наталья Сергеевна	Физико-технический институт им РАН, Санкт-Петербург
20	14.10-14.20	Малогабаритные квантовые стандарты частоты для глобальных навигационных спутниковых систем ГЛОНАСС. За разработку малогабаритных квантовых стандартов частоты на основе эффекта лазерно-индуцированного сужения.		Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
21	14.20-14.30	Опто-волоконный осветитель. За разработку опто-волоконного осветителя.		Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
22	14.30-14.40	Тест-система анализа и оптимизации характеристик белых светодиодов для энергоэффективного освещения. За разработку тест-системы анализа и оптимизации характеристик белых светодиодов для энергоэффективного освещения.		Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет,
23	14.40-14.50	ЭПР спектрометр на основе полупроводниковых наноструктур в сверхпроводящих оболочках. За разработку ЭПР спектрометра на основе полупроводниковых наноструктур в сверхпроводящих оболочках.		Физико-технический институт им РАН, Санкт-Петербург
24	14.50-15.00	Исследование интерфейсных эффектов новых транзисторных и светоизлучающих структур на основе графена. За исследование интерфейсных эффектов новых транзисторных и светоизлучающих структур на основе графена.		Академический университет РАН, г. г. Санкт –Петербург
15.00 – 15.20	ПЕРЕРЫВ
25	15.20-15.30	Формирование элементов микроэлектроники осаждением высококачественных медных проводников на диэлектрических поверхностях лазерно-индуцированным методом. Разработка способа формирования элементов микроэлектроники осаждением высококачественных медных проводников на диэлектрических поверхностях лазерно-индуцированным методом.		Санкт-Петербургский государственный университет
26	15.30-15.40	Получение слоев AlN с атомарно-гладкой и свободной от капель поверхностью методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией. За разработку технологии получения слоев AlN с атомарно-гладкой и свободной от капель поверхностью методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией для приборов полупроводниковой электроники.		Академический университет РАН, г. Санкт –Петербург
27	15.40-15.50	Исследование свойств поверхностных акустических волн в структурах AlN/сапфир и ZnO/алмаз. За разработку устройств электроники на поверхностных акустических волнах.	Галисултанов Айрат	Академический университет РАН, г. Санкт - Петербург
28	15.50-16.00	Внутренние дифракционные решетки с отражением в высоком порядке для мощных полупроводниковых лазеров. За разработку мощных полупроводниковых лазеров с дифракционной решеткой.		Санкт-Петербургский государственный университет
29	16.00-16.10	Особенности двухполосной генерации лазеров на квантовых точках. За разработку лазеров на квантовых точках с регулируемой двухполосной генерацией.		Академический университет РАН, г. Санкт –Петербург
30	16.10-16.20	Получение слоев GaN с пониженной плотностью дислокаций методом МЛЭ. За получение слоев GaN с пониженной плотностью дислокаций методом МЛЭ для приборов опто - и наноэлектроники		Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
31	16.20-16.30	Пьезоэлектрический эффект в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs. За разработку приборов на пьезоэлектрическом эффекте в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs.		Академический университет РАН, Санкт-Петербург
32	16.30-16.40	Особенности развития деградационного процесса в мощных синих InGaN/GaN светодиодах. За разработку мощных синих InGaN/GaN светодиодов с уменьшенной деградацией.		Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
33	16.40-16.50	Лазерная абляции органических загрязнителей. Разработка технологии комплексной низкопороговой резонансной абляции органических материалов на основе многоволновой лазерной системы.		Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
16.50-17.20	ОБСУЖДЕНИЕ. ПОДВЕДЕНИЕ ИТОГОВ