Материалы электронных средств (стр. 3 )

Полупроводник	Период решетки, нм	Плотность , Мг/м3	Температура плавления,°С	Температурный коэффициент линейного расширения, αl∙106,К-1	Ширина запрещенной зоны ΔЕg, эВ		Подвижность электронов. м2/В∙с	Подвижность дырок. м2/В∙с	НЧ диэлектрическая проницаемость
Ge	0,565	5,43	937	5,8	0,67	3,9	0,39	0,18	16,0
Si	0,542	2,33	1415	2,3	1.12	2,8	0,14	0,05	12,5
α-SiC	а=0,308 с=15.12	3,22	2205	-	3.02		0.033	0,06	10,0
GaN	а=0,319 с=0.518	6,11	1700	5,7	3,40	3,9	0,03	-	12,2
AlP	0,546	2,37	2000	4,2	2,45	2,6	0,008	0,003	9,8
GaP	0,545	4,07	1467	4,7	2,26	4,7	0,019	0,012	11,1
InP	0,587	4,78	1070	4,6	1,35	2,8	0,46	0,015	12,4
AlAs	0,566	3,60	1770	3,5	2,16	4,0	0,028	-10,1
GaAs	0.565	5,32	1238	5,4	1,43	4,0	0,95	0,045	13,1
InAs	0,606	5,67	942	4,7	0,36	3,5	3,3	0,046	14.6
AlSb	0,614	4.28	1060	4,2	1,58	3.5	0,02	0,055	14,4
GaSb	0,610	5,65	710	6,1	0,72	3,6	0,4	0,14	15,7
InSb	0.648	5.78	525	4,9	0,18	3,0	7,8	0,075	17,7
ZnS	0,541	4.09	1020*	-	3,67	5.3	-	-	5,2
CdS	а=0,413 с=0,675	4,82	1750	5.7	2,53	4,9	0,034	0,011	5,4
ZnSe	0,566	5.42	1520	1,9	2,73	7,2	0,026	0,0015	9,2
CdSe	а=0,430 с=0,701	5,81	1264	-	1,85	4,1	0,072	0,0075	10,0
ZnTe	0,610	6,34	1239	8,3	2,23	-	0,053	0,003	10,4
CdTe	0,648	5,86	1041	4,0	1,51	4,1	0,12	0,006	10,2
HgTe	0,646	8,09	670	4,8	0,08	-	2,5	0,02	-
PbS	0,594	7,61	1114	-	0,39	3,3	0,06	0,07	17,0
PbSe	0,612	8,15	1076	-	0,27	4,0	0,12	0,10	-
PbTe	0,646	8,16	917	-	0,32	4,3	0,08	0,09	30,0

Приложение 3. Параметры диэлектрических материалов