Партнерка на США и Канаду по недвижимости, выплаты в крипто
- 30% recurring commission
- Выплаты в USDT
- Вывод каждую неделю
- Комиссия до 5 лет за каждого referral
Наименование дисциплины: Физическая электроника
Направление подготовки: 011200 Физика
Профиль подготовки:
Квалификация (степень) выпускника: бакалавр
Форма обучения: очная
Автор: к. т.н., ст. преподаватель, кафедры общей и экпериментальной физики
1.Целями освоения дисциплины "Физическая электроника" являются:
формирование базовых теоретических знаний по основным эффектам взаимодействия электронов с веществом, применению этих эффектов в приложениях, развитие навыков экспериментальных исследований, подготовка студентов к изучению специальных дисциплин в процессе дальнейшего образования. Преподавание данной дисциплины способствует фундаментализации образования, развитию навыков научного мышления.
2.Дисциплина «Физическая электроника» относится к вариативной части цикла Б2. (математический и естественно - научный цикл).
3.В результате освоения дисциплины обучающийся должен:
Знать:
основные особенности взаимодействия электронов с веществом
явления, связанные с эмиссией электронов из металла и движением в пространстве
свойства полупроводников, их зонную структуру
эффекты, возникающие в полупроводниках и p-n переходах
влияние на электроны внешних воздействий
устройство и принцип действия электронных приборов.
Уметь:
проводить лабораторные исследования электронных эффектов
Владеть:
навыками работы с лабораторным оборудованием и обработки получаемых результатов
4.Общая трудоемкость дисциплины составляет 4 зачетные единицы, 144 часа.
5.Содержание дисциплины
№ п/п | Раздел дисциплины |
1 | Введение в физическую электронику |
2 | Опыты Милликена |
3 | Распределение электронов по энергиям в металле. Статистика Ферми-Дирака. Контактная разность потенциалов. |
4 | Термоэлектронная эмиссия. Формула Ричардсона-Дэшмана |
5 | Автоэлектронная эмиссия. Эффект Шотки |
6 | Виды электронной эмиссии. Вторичная электронная эмиссия. Электронный умножитель. Фотоэлектронная эмиссия. Внешний фотоэффект. |
7 | Анализ вольт-амперной характеристики простейшей вакуумной лампы. Объемный заряд вакуумной лампы. Закон трех/вторых.. |
8 | Практически важные эмиссионные материалы для создания катода. Многоэлектродные лампы |
9 | Газовый разряд. Тлеющий и дуговой, основные черты. |
10 | Зонная теория кристаллов. Причина возникновения энергетических зон. Металлы, полупроводники, диэлектрики. |
11 | Строение полупроводников. Собственные и примесные полупроводники |
12 | Распределение носителей заряда по энергии в полупроводнике.. |
13 | Ширина запрещенной зоны. Плотность состояний в разрешенных зонах. |
14 | Прямозонные и непрямозонные полупроводники. |
15 | Аморфные полупроводники. Особенности строения и зонной структуры. |
16 | Электропроводность однородного полупроводника. Механизм проводимости. Понятие эффективной массы носителя заряда. |
17 | Эффект Холла. Полупроводниковые сопротивления. Термисторы. Применение. |
18 | Эффект и диод Ганна. |
19 | P-N переход. Смещение уровней.. |
20 | Количественное рассмотрение термического равновесия в P-N переходе. Контактная разность потенциалов. |
21 | Диод. Качественное и количественное описание. |
22 | Ширина свободной зоны. Емкость P-N перехода. Варисторы |
23 | Туннельный диод. Устройство и характеристики. Диод Шотки. Конструкция и свойства. |
24 | Гетероструктуры: Особенности энергетических зон. Применение. |
25 | Фотоэффекты в полупроводниках |
26 | Полевой транзистор, биполярный транзистор |
27 | Тиристор. Принцип работы. Управление тиристорами. |
28 | Микроэлектроника. Интегральные схемы. |
29 | Люменисценция полупроводников. Квантоворазмерный эффект |
30 | Одноэлектроника. Прыжковая проводимость и кулоновская блокада. |
6. Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины
а) основная литература:
1. "Физическая электроника" М., " Энергия", 1977
2. Введение в физику твердого тела. тт. 1,2. М.: Мир, 1972.
3. Б, Дубинина основы твердотельной электро-ники. М.: МГУ, 1986
4. , "Твердотельная электроника" М., "Высшая школа", 1986
5. , Хохлов твёрдого тела. М.: ВШ, 2000.
б) дополнительная литература:
1. "Физика твердого тела" тт.1,2. М., "Мир", 1979
2. , , "Наноэлектроника" М., БИНОМ. Лаборатория знаний 2009.
3. Шалимова полупроводников. М.,1976
4. Бонч-, Калашников полупроводников. М.,1977
5. Зи полупроводниковых приборов. М.,1984
6. "Физика полупроводников" М., "Советское радио", 1967


