(4) Примечание. Хотя в настоящем документе проводится классификационное различие между квантовыми точками и наночастицами, многие авторы используют эти термины взаимозаменяемо. Типичными синонимами для определения «квантовая точка» являются: наноточка, квантовые или наночастицы, квантовые или нанокластеры, квантовые или нанопорошки, искусственные атомы, нуль-размерные точки, 0-D точки.
775. Наноразмерные порошки или хлопья (например, наноразмерные катализаторы и т. д.):
Предмет подкласса 773, в котором наночастицы образуют наноразмерный порошок или хлопья, особенно используемые без дополнительной обработки, растворения, изготовления взвеси, смешивания с той или иной матрицей и т. п.
СМ. КЛАСС
75, Специализированные Металлургические Процессы, Составы для Использования в Специализированных Металлургических Процессах, Порошковые Сплавы Металлов, Смеси Несвязанных Металлических Наночастиц, соответствующие подклассы - композиции порошковых металлов.
501, Композиции: Керамика, соответствующие подклассы, в частности подклассы - композиции керамических порошков.
776. Керамические порошки или хлопья:
Предмет подкласса 775, в котором наноразмерные порошки или хлопья изготовлены из тех или иных сортов керамики.
777. Металлические порошки или хлопья:
Предмет подкласса 775, в котором наноразмерные порошки или хлопья изготовлены из тех или иных металлических сплавов.
778. Внедряемые в тот или иной носитель (например, нанокмпозитные пленки, и т. д.):
Предмет подкласса 700, представляющий собой тот или иной носитель, матрицу, раствор, взвесь, соединение, в котором внедрен, взвешен, растворен или сформирован по крайней мере один вид наноструктуры, например, фуллерен, нанопровод, и т. д.
СМ. КЛАСС
428, Сырье и Различные Изделия, соответствующие подклассы, в частности подклассы 323-331 для структурно определенных слоистых частиц, и подклассы 411.1-704 для слоистых материалов.
779. Содержащие наноразмерные частицы порошки, хлопья или кластеры, отличные от простых примесей-допантов:
Предмет подкласса 778, в котором тот или иной носитель, матрица, раствор, взвесь, соединение содержат наноструктуры определенного состава, характерные размеры которых во всех трех измерениях не превышают 100 нм.
(1) Примечание. Простые атомные допанты-примеси исключаются из данного подкласса. В противоположном случае настоящий подкласс содержал бы практически все полупроводниковые приборы, поскольку каждый из них допирован мелкими (n- или p-допированные) и/или глубокими примесями.
780. Содержащие полностью замкнутые поры или физические пустоты:
Предмет подкласса 778, в котором тот или иной носитель, матрица, раствор, взвесь, соединение содержат полностью замкнутые наноразмерные пустоты, поры или пузырьки, наполненные газом или содержащими вакуум.
(1) Примечание. Термин «физическая пустота» («Physical hole») используется с целью различения таких пустот от «дырок» («hole») – широко используемого в полупроводниковой физике определения вакансии (отсутствия электрона).
781. Содержащие отверстия с наноразмерной площадью поверхности, сквозные или частично проникающие в матрицу:
Предмет подкласса 778, в котором поверхность того или иного носителя, матрицы, раствора, взвеси, соединения содержит незамкнутые, простирающиеся внутрь материала наноразмерные физические вогнутости, углубления, впадины, борозды, сквозные отверстия или поры.
782. Содержащие наноразмерные физические выпуклости, гребни, протрузии, выступающие над поверхностью матрицы:
Предмет подкласса 778, в котором поверхность того или иного материала матрицы, раствора, взвеси, соединения содержат физические выпуклости, гребни, протрузии.
783. В органическом носителе/матрице (например, липидах, и т. п.):
Предмет подкласса 778, в котором наноразмерная структура биологического происхождения (например, липидный слой и т. п.), образует носитель матрицу, соединение или раствор, содержащие другие включения, которые могут сами по себе являться или не являться наноматериалами, например, включение белков в липидный бислой, и т. д.
784. В электрически проводящей, полупроводящей или полуизолирующей матрице:
Предмет подкласса 778, в котором тот или иной носитель, матрица, раствор, взвесь, соединение способны проводить электрический ток, т. е. являются проводником, полупроводником или полуизолятором.
785. В электрически изолирующей матрице:
Предмет подкласса 778, в котором тот или иной носитель, матрица, раствор, взвесь, соединение не проводят электрический ток, т. е. являются изолятором.
786. Жидкая матрица/носитель, содержащие наноматериалы:
Предмет подкласса 778, в котором тот или иной носитель, матрица, раствор, взвесь, соединение представляют собой текучий материал (жидкость или газ), например, наночастицы в водном растворе, и т. д.
787. Вязкая матрица/носитель, содержащие наноматериалы:
Предмет подкласса 786, текучий материал матрицы/носителя, содержащего наноструктуры, обладает сравнительно высоким сопротивлением течению.
788. Определенного органического состава или состава на основе углерода:
Предмет подкласса 700, в котором либо (1) сами наноструктуры выполнены из органического материала/состава на основе углерода, либо (2) субстрат или носителб, специальным образом подготовленные для связывания или внедрения наноструктур, организованы органическим материалом на основе углерода.
(1) Примечание. В данный подкласс (а также в следующие из него подклассы) входят в общем случае любые органические соединения, составы, материалы на основе углерода, содержащие, включающие в себя наноструктуры, или присоединенные к наноструктурам.
(2) Примечание. В данный подкласс (а также в подклассы, являющиеся его частными случаями) не входят неорганические соединения, составы, материлы на основе углерода, например, фуллерены на основе углерода или соединения вида CxSiyGez.
СМ. ПОДКЛАСС ДАННОГО КЛАССА
734, фуллерены.
814, неорганические соединения вида CxSiyGez.
789. В виде упорядоченной матрицы:
Предмет подкласса 788, в котором органические наноструктуры на основе углерода организованы определенным упорядоченным образом.
790. Содержащей гетерогенные наноструктуры:
Предмет подкласса 789, в котором упорядоченная матрица состоит нескольких различных органических наноструктур на основе углерода, например, биологических частиц типа белков, и т. д.
791. С молекулярной упорядоченной матрицей:
Предмет подкласса 790, в котором органические наноструктуры на основе углерода имеют различную молекулярную структуру.
792. С упорядоченной матрицей на основе нуклеиновых кислот (геном человека, и т. п.):
Предмет подкласса 791, в котором органические наноструктуры на основе углерода представляют собой несколько различных нуклеиновых кислот.
793. С упорядоченной матрицей на основе протеинов:
Предмет подкласса 791, в котором органические наноструктуры на основе углерода представляют собой несколько различных протеинов.
794. С упорядоченной матрицей на основе химической библиотеки:
Предмет подкласса 790, в котором органические наноструктуры на основе углерода, в общем случае небиологического происхождения, различны друг от друга химически.
795. Состоящие из биологического материала:
Предмет подкласса 788, в котором углерод-органический материал или состав имеют биологическое происхождение.
796. В качестве электрического или электронного прибора:
Предмет подкласса 795, в котором биологический материал или состав обладают особыми электрическими свойствами, или используются в электронном приборе или в том или ином электробиологическом приложении.
797. Липидные частицы:
Предмет подкласса 788, в котором органические наноструктуры на основе углерода представляют собой липидные частицы, например, везикулы или сферические липидные структуры.
798. Инкорпорирующие другой материал:
Предмет подкласса 797, в котором в структуру липидной частицы или на ее поверхности инкорпорирован другой материал (сферические контейнеры и т. д.).
799. Содержащие тот или иной биологический материал:
Предмет подкласса 798, в котором в структуру липидной частицы или на ее поверхности инкорпорирован другой материал биологического происхождения.
800. Нуклеиновую кислоту (ДНК, РНК, и т. д.):
Предмет подкласса 799, в котором инкорпорированный в липидную частицу материал биологического происхождения представляет собой нуклеиновую кислоту.
801. Лекарственный препарат:
Предмет подкласса 799, в котором инкорпорированный в липидную частицу материал биологического происхождения представляет собой лекарственный препарат т. е. химическое соединение, используемое для лечения того или иного заболевания.
801. Лекарственный препарат:
Предмет подкласса 799, в котором инкорпорированный в липидную частицу материал биологического происхождения представляет собой лекарственный препарат т. е. химическое соединение, используемое для лечения того или иного заболевания.
802. Частицы на основе вирусов:
Предмет подкласса 788, в котором в состав наноструктур входят вирусы или виральные частицы.
803. Содержащие биологический материал во внутренней полости:
Предмет подкласса 802, в котором во внутреннюю полость вируса инкорпорирован материал биологического происхождения.
804. Содержащие нуклеиновую кислоту:
Предмет подкласса 803, в котором инкорпорированный в вирус материал биологического происхождения представляет собой нуклеиновую кислоту.
805. Содержащие лекарственный препарат:
Предмет подкласса 803, в котором инкорпорированный в вирус материал биологического происхождения представляет собой лекарственный препарат т. е. химическое соединение, используемое для лечения того или иного заболевания.
806. С внешним химическим присоединением:
Предмет подкласса 802, в котором вирусная или вирусоподобная частица модифицирована посредством внешнего химического присоединения, например, модификация фагов и т. п.
807. Внешнее химическое присоединение с целью детекции частицы:
Предмет подкласса 806, в котором модификация внешним химическим присоединением имеет своей целью слежение за частицей, например, распознавание вирусоподобных частиц, и т. п.
808. Внешнее химическое присоединение для таргетинга (целеуказания), например, для точечной доставки лекарств и т. п.:
Предмет подкласса 806, в котором модификация внешним химическим присоединением имеет своей целью направленное движение вирусоподобной частицы к той или иной цели, например, точечную доставку лекарств к очагу заболевания, и т. п.
809. Органическая пленка на кремниевой основе:
Предмет подкласса 788, в котором органический материал или состав формируется на допированном или недопированном кремниевом слое / субстрате с прямым или опосредованным участием промежуточного / буферного слоя.
СМ. КЛАСС
428, Сырье и Различные Изделия, соответствующие подклассы, в частности подкласс 446 и подкласс 451 – слоистые материалы, содержащие слой кремния, и содержащие слой кремния, соседний со слоем полимера, соотвественно.
810. Выполненные из определенного металла или сплава металлов:
Предмет подкласса 700, в котором наноструктуры либо выполнены из металла или сплава металлов, либо икорпорированы в металл / сплав металлов.
СМ. КЛАСС, ПОДКЛАСС
420, Сплавы и Металлокомпозиты, соответствующие подклассы, в частности подклассы, касающиеся композиции сплавов.
428, Сырье и Различные Изделия, соответствующие подклассы, в частности подклассы 544-687 - цельнометаллические структуры и структуры, инкорпорированные в металлы.
811. Определенного металлооксидного состава (например, проводящие или полупроводящие материалы - ITO, ZnOx, и т. п.):
Предмет подкласса 700, в котором наноструктуры выполнены из оксида металла, либо включают в себя оксид металла, либо инкорпорированы в матрицу оксида металла.
812. Перовскиты и сверхпроводящие материалы (например, BaxSr1-x, TiO3, и т. п.):
Предмет подкласса 811, в котором соединение – оксид металла является перовскитом или сверхпроводящим материалом.
813. Выполненные из определенного неорганического полупроводника (например, из элементов IV-VI группы периодической таблицы Менделеева, и т. п.):
Предмет подкласса 700, в котором по крайней мере одна наноструктура выполнена из неорганического полупроводника, включает в себя неорганический полупроводник, либо инкорпорирована в неорганическим полупроводниковый носитель, вне зависимости от степени допирования материала.
СМ. КЛАСС
428, Сырье и Различные Изделия, соответствующие подклассы, в частности подклассы 688-703 - слоистые неорганические структуры, не являющиеся строительными материалами, а также подкласс 620 – металлокомопозиты, содержащие слой полупроводника.
814. Элементы и соединения элементов IV группы (например, соединения вида CxSiyGez, пористый кремний, и т. п.):
Предмет подкласса 813, в котором неорганический полупроводниковый материал представляет собой элемент или соединение элементов IV группы.
(1) Примечание. Примеры включают в себя соединения вида CxSiyGez (0≤ x,y,z ≤ 1, x+y+z=1).
815. Соединения элементов III группы с элементами V группы (например, AlaGabIncNxPyAsz, и т. п.):
Предмет подкласса 813, в котором неорганический полупроводниковый материал представляет собой соединение элементов III и V групп.
816. Соединения азота c элементами III группы (например, AlхGayInzN, и т. д.):
Предмет подкласса 815, в котором полупроводниковый материал представляет собой соединение или сплав на основе нитрида.
(1) Примечание. Примеры включают в себя соединения вида AlxGayInzN (0≤ x,y,z ≤ 1, x+y+z=1).
817. Высокоиндиумные InGaN кластеры:
Предмет подкласса 816 - полупроводниковые материалы типа InGaN с достаточно высоким содержанием индия, приблизительно в диапазоне In0.1Ga0.9N – In0.4Ga0.6N. Такие материалы характеризуются образованием кластеров индия или областей с его высоким содержанием (квантовые или потенциальные колодцы), и окружающих областей со сравнительно низким содержанием индия (квантовые или потенциальные барьеры).
818. Соединения фосфора c элементами III группы (например, AlхGayInzP, и т. д.):
Предмет подкласса 815, в котором полупроводниковый материал представляет собой соединение или сплав на основе фосфида.
(1) Примечание. Примеры включают в себя соединения вида AlxGayInzР (0≤ x,y,z ≤ 1, x+y+z=1).
819. Соединения мышьяка c элементами III группы (например, AlхGayInzAs, и т. д.):
Предмет подкласса 815, в котором полупроводниковый материал представляет собой соединение или сплав на основе арсенида.
(1) Примечание. Примеры включают в себя соединения вида AlxGayInzAs (0≤ x,y,z ≤ 1, x+y+z=1).
820. Соединения сурьмы c элементами III группы (например, AlхGayInzSb, и т. д.):
Предмет подкласса 815, в котором полупроводниковый материал представляет собой соединение или сплав на основе антимонида.
(1) Примечание. Примеры включают в себя соединения вида AlxGayInzSb (0≤ x,y,z ≤ 1, x+y+z=1).
821. Соединения со смешанным содержанием элементов V группы (например, III-NхPy, и т. д.):
Предмет подкласса 815, в котором полупроводниковый материал представляет собой соединение или сплав на основе нескольких различных элементов V группы, независимо от того, содержит ли оно один или несколько различных элементов III группы.
(1) Примечание. Примеры включают в себя соединения вида AlxGayInzSb (0≤ x,y,z ≤ 1, x+y+z=1).
822. Бор-содержащие соединения:
Предмет подкласса 815, в котором полупроводниковый материал содержит бор в качестве составного элемента (не в качестве примеси).
(1) Примечание. Примеры включают в себя сплавыв вида B(Al)(Ga)N (BaAlbGacN, где 0≤ a,b,c ≤ 1, a+b+c=1).
(2) Примечание. Из данного подкласса исключаются полупроводящие элементы или соединения, содержащие столь малые количества бора, что его можно считать примесью (порядка 10+20 атомов/см3 или менее – например допированный бором SiGe, и т. п.).
823. Таллий-содержащие и висмут-содержащие соединения:
Предмет подкласса 815, в котором полупроводниковое соединение элементов III и V группы включают в себя в качестве составного элемента (не примеси) таллий (Tl) или висмут (Bi).
(1) Примечание. Из данного подкласса исключаются полупроводящие элементы или соединения, содержащие столь малые количества висмута или таллия, что их можно считать примесями (порядка 10+20 атомов/см3 или менее – например допированный таллием или висмутом SiGe, и т. п.).
824. Неоксидные соединения элементов II и VI группы (например, CdxMnyTe, и т. п.):
Предмет подкласса 813, в котором неорганический полупроводниковый материал представляет собой соединение элементов II и VI групп.
СМ. КЛАСС, ПОДКЛАСС
811, Соединения на основе оксидов и металлооксидные наноматерилы, например, ITO, ZnOx и. т.п.
812, Перовскиты и сверхпроводящие материалы, например, BaxSr1‑xTiO3, и т. п.
825. Гетеропереходы, состоящие из полупроводников различного типа, то есть материалов, образованных элементами различных групп периодической таблицы Менделеева (например, Ge (IV) – GaAs (III-V), или InP (III-V) – CdTe (II-VI), и т. п.):
Предмет подкласса 813, в котором наноструктура включает в себя по крайней мере один гетеропереход, организованный из двух прилежащих слоев полупроводниковых материалов различного типа, то есть материалов, образованных элементами различных групп периодической таблицы Менделеева.
826. Нестехиометрические полупроводниковые материалы (например, IIIxVy; x≠y, и т. п.):
Предмет подкласса 813, в котором полупроводниковый материал представляет собой нестехиометрическое соединение, т. е. суммарный заряд которого НЕ равен нулю.
(1) Примечание. В качестве примеров можно привести соединения вида IIIxVy или IIxVIy; x≠y.
(2) Из настоящего подкласса исключаются стехиометрические полупроводниковые соединения, допированные лишь p- или n- примесями.
827. Полученные из гибридных органо-неорганических полупроводниковых материалов.
Предмет подкласса 700, в котором наноразмерная структура или прибор включают в себя или составлены из: а) одного структурного элемента, области или части, выполненных из органического материала/соединения (возможно, биологического происхождения) и б) другого структурного элемента, области или части, выполненных из органического материала/соединения, представляющего собой или включающего в себя неорганический полупроводниковый материал/состав.
(1) Примечание. Данный подкласс в целом включает в себя любые органические материалы/составы, взаимосвязанные физически или функционально с неорганическими полупроводниками, вне зависимости от того, является ли сам органический материал полупроводником.
СМ. ПОДКЛАСС ДАННОГО КЛАССА
734, Фуллерены и фуллереноподобные структуры.
738, Наноструктуры на основе бакиболлов с поверхностью, модифицированной органическими соединениями.
746, Наноструктуры на основе углеродных нанотрубок с поверхностью, модифицированной органическими соединениями.
753, Углеродные фуллерены с полимерной или органической связкой.
827, Гибридные органо-неорганические структуры в случае, когда неорганический материал представляет собой фуллерен или фуллереноподобную структуру.
828. Биологические соединения, связанные с неорганическим материалом:
Предмет подкласса 827, в котором органический материал/соединение имеет биологическое происхождение.
829. Органическое или биологическое ядро с неорганической оболочкой:
Предмет подкласса 827, в котором органический материал / соединение формирует центральное ядро, полностью окруженное или покрытое неорганическим материалом.
830. Неорганическое ядро или кластер с органической или биологической оболочкой:
Предмет подкласса 827, в котором неорганический материал формирует центральное ядро, полностью окруженное или покрытое органическим или биологическим материалом.
831. Керамические или электроизолирующие материалы:
Предмет подкласса 700, в котором наноструктуры выполнены из керамических или других электроизолирующих материалов (например, керамического порошка определенного состава, и т. п.).
СМ. КЛАСС
428, Сырье и Различные Изделия, соответствующие подклассы, в частности подклассы 689-703 – неструктурированные слоистые материалы, в которых присутствует слой неорганического металл-содержащего соединения, например, керамики и т. п.
832. Обладающие особым свойством (например, постоянной кристталлической решетки, коэффициентом термическог расширения, и т. п.):
Предмет подкласса 700, в котором материал, из которого выполнена наноструктура или наоприбор, обладает особыми физическими свойствами.
СМ. ПОДКЛАСС ДАННОГО КЛАССА
776, керамические, например, электроизолирующие, и т. д., наноразмерные порошки и хлопья.
777, металлические, например, электропроводящие, и т. д., наноразмерные порошки и хлопья.
796, органические, биологические или полимерные материалы на основе углерода, обладающие особыми электрическими или электронными свойствами.
810, металлические, например, электропроводящие, и т. д., наноматериалы.
811, металлооксидные, например, электропроводящие и полупроводниковые наноматериалы, и т. д.
813, неорганические полупроводниковые наноматериалы.
827, гибридные органо-неорганические полупроводниковые материалы.
831, наноматериалы-электроизоляторы.
784, электропроводящие, полупроводниковые, полуизолирующие материалы-носители с инкорпорированными в них наноразмерными материалами.
785, электроизолирующие материалы-носители с инкорпорированными в них наноразмерными материалами.
833. Термические свойства наноматериалов (например, теплопроводники / теплоизоляторы, материалы, в которых присутствует эффект Пельтье или эффект Сибека, и т. п.):
Предмет подкласса 832, в котором особое физическое свойство материала связано тем или иным образом с тепловой энергией.
834. Оптические свойства наноматериалов (например, особая прозрачность, светонепроницаемость, коэффициент преломления, и т. п.):
Предмет подкласса 832, в котором особое физическое свойство представляет собой оптическое свойство (например, особые свойства отражения, преломления, и т. п.).
835. Химическая или ядерная реакционная способность / стабильность соединения или состава наноматериала:
Предмет подкласса 832, в котором особое физическое свойство материала связано с химической или ядерной реакционной способностью или стабильностью.
836. Обладающие биологической реакционной способностью:
Предмет подкласса 835, в котором физические сойства свойства материала приводят к его особой биологической функциональности или реакции с живыми организмами, например, реакции на особые биологические цели – раковые клетки и т. п.
837. Пьезоэлектрические свойства наноматериала:
Предмет подкласса 832, в котором особое физическое свойство материала представляет собой способность к генерации электрического сигнала при механическом воздейтсвии на материал, или обратно – к развитию механических напряжений в материале после приложения к нему электрического напряжения (пьезоэлектрический эффект).
838. Магнитные свойства наноматериала:
Предмет подкласса 832, в котором особое физическое свойство материала связано с электромагнетизмом.
839. МАТЕМАТИЧЕСКИЕ АЛГОРИТМЫ, НАПРИМЕР, КОМПЬЮТЕРНЫЕ ПРОГРАММЫ, И Т. П., ОСОБЫМ ОБРАЗОМ ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ КОНФИГУРАЦИИ ИЛИ СВОЙСТВ НАНОСТРУКТУР:
Предмет определения класса – теоретическое моделирование конфигураций наноструктуры и связанных с ней физических свойства (в противоположность самим физическим наноструктурам).
(1) Примечание. В данный подкласс включаются также приборы и инструменты, особым образом предназначенные для проведения наноструктур.
840. ПРОИЗВОДСТВО, ПЕРЕРАБОТКА, ОБНАРУЖЕНИЕ ИЛИ ДЕТЕКЦИЯ НАНОСТРУКТУР:
Предмет определения класса – процессы и аппаратура, предназначенные для производства наноструктур, их модификации, определения их свойств и характеристик.
(1) Примечание. Размеры самой аппаратуры, предназначенной для производства, переработки, обнаружения и детекции наноструктур, не ограничиваются наноразмерами. В данный подкласс включаются также и приборы макроскопических размеров (например, сканирующие зонды).
(2) Примечание. Смысл понятия «Обнаружение и детектирование» в подклассе 840 отличается от смысла такого же понятия в подклассе 953. В первом случае наноструктуры являются объектом обнаружения и детектирования, а во втором – инструментом, посредством которого осуществляется детекция.
841. Экологическая локализация и утилизация наноструктурированных материалов:
Предмет подкласса 840 – локализация наноструктурированных материалов с целью минимизации их выброса в окружающую среду, а также очистка окружающей среды от наноматериалов.
(1) Примечание. Под утилизацией подразумевается, например, физическое или химическое превращение наноструктур в менее опасные, легко утилизуемые традиционным образом формы.
(2) Примечание. В данный подкласс не включаются процессы антибактериальной нанофильтрации воздуха и т. п.
СМ. КЛАСС
588, Локализация и Уничтожение Опасных и Токсичных Отходов, соответсвующие подклассы, связанные с локализацией и уничтожением опасных и токсичных отходов.
842. Углеродных нанотрубок и фуллеренов:
Предмет подкласса 840, в котором наноструктура представляет собой фуллерен или углеродную нанотрубку.
843. Выращенных методом каталитического роста из газовой фазы:
Предмет подкласса 842, в котором фуллерены или углеродные нанотрубки выращены в процессе, включающем в себя стадию контакта нагретого углерод-содержащего газа и катализатора
844. Выращенных в процессе испарения или диссоциации источника углерода мощным источником тепловой энергии (например, лазерным, плазменным, электронным пучком, в электрической дуге, и т. п.):
Предмет подкласса 842, в котором фуллерены или углеродные нанотрубки выращены в процессе, включающем в себя использование мощного источника тепловой энергии для испарения (возгонки) или диссоциации углеродной мишени с последующим ростом наноструктур в высокоэнергетических условиях как в присутствие, так и в отсутствие катализатора
845. Очистка или выделение фуллеренов или нанотрубок:
Предмет подкласса 842, в котором процессы или приборы предназначены для экстракции фуллеренов или углеродных материлов из сопутствующего их росту материала (например, остатков катализатора, аморфного углерода, графита) или для сортироваки фуллеренов или углеродных нанотрубок согласно их физическим или химическим свойствам (сепарация по размерам, хиральности и т. п.).
846. Модификация внутренней полости (например, наполнение, эндоэдральные модификации, и т. п.):
Предмет подкласса 842, в котором процесс или прибор используются в целях модификации внутренней полости фуллерена или нанотрубки.
(1) Примечание. В данный подкласс включены приборы и процессы, предназначенные для открывания-закрывания углеродных нанотрубок.
847. Модификация поверхности (функционализация, покрытие, и т. п.):
Предмет подкласса 842, в котором процесс или прибор используются в целях модификации поверхности углеродной полости фуллерена или нанотрубки, или же поверхности самой наноструктуры.
848. Модификация торцов нанотрубки (например, зачехление, присоединение, склеивание, и т. д.):
Предмет подкласса 842, в котором процесс или прибор используются в целях модификации торцов углеродной нанотрубки.
849. С использованием сканирующего зонда:
Предмет подкласса 840, в котором прибор имеет по крайней мер один зонд нанометровых размеров, способный осуществлять производство, переработку или детекцию нанометровых структур. В качестве примеров можно привести сканирующий туннельный микросокоп (СТМ), атомный силовой микроскоп (АСМ, АФМ), магнитный силовой микроскоп (МСМ), сканирующий зонд оптического околопольного микроскопа, и т. д.
850. Процесс контроля сканирующего зонда:
Предмет подкласса 849, включающий в себя методы контроля сканирующего зонда в процессе производства, переработки, детекции наноструктур.
851. Определенные движения и позиционирование сканирующего зонда:
Предмет подкласса 850, включающий в себя определенные детали движения и позиционирования сканирующего зонда относительно объекта исследований / обработки.
852. С целью обнаружения определенного наноструктурированного образца или связанного с наноструктурой свойства:
Предмет подкласса 849, в котором сканирующий зонд используется с целью обнаружения определенных наноструктур или измерения тех или иных свойств образца -, например, его фомы, сопротивления, плотности зарядов в нем, и т. п.
СМ. КЛАСС
73, Измерения и Тестирование, подклассы 649, 774, 324-862.35 – структура сенсоров.
250, Энергия Излучения, подклассы 227, 341.2 – типы зондов, используемых при детекции твердых и жидких образцов.
324, Электричество: Измерения и Тестирование, подклассы 72.5, 149, 437, 445-446, 690, 696, 715, 724, 715-754 – типы зондов, используемых в процессе исследования электрических свойств образца.
338. Электрические Резисторы, подклассы 28 и 229 – зонды-резисторы.
853. Биологических образцов:
Предмет подкласса 852, в котором исследуемый образец имеет биологическое происхождение.
СМ. КЛАСС
435, Химия: Молекулярная Биология и Микробиология., подклассы 4-40.52 и 287.1-288.7 – детекция биологических образцов.
436, Химия: Аналитическое и Иммунологическое Тестирование, подклассы 28, 37, 63 - детекция биологических образцов.
702, Обработка Данных: Измерения, Калибровка, Тестирование, подклассы 19-21 – методы и приборы, использующие системы обработки данных в системах измерения процессов, происходящих в живых организмах или в их окружении.
854. Полупроводниковых образцов:
Предмет подкласса 852, в котором образец выполнен из полупроводникового материала.
СМ. КЛАСС
438, Производство Полупроводниковых Приборов: Процессы, подклассы 14-18 – измерения и тестирование полупроводников.
855. С целью создания наноструктур:
Предмет подкласса 849, в котором сканирующий зонд используется в процессе создания наноструктур.
856. С травлением или разрезанием образца:
Предмет подкласса 855, в котором сканирующий зонд используется с целью удаления материала с поверхности подложки, формирования выпуклого или вогнутого рельефа на субстрате, или для разрезания субстрата
СМ. КЛАСС
216, Травление Субстрата: Процессы, подклассы 12-19, 39-40, 57-58, 72-81, и 96-100 – травление подложек различных типов.
857. С нанесением покрытий:
Предмет подкласса 855, в котором сканирующий зонд используется для нанесения материала на подложку (как, например, в дип-пен литографии).
СМ. КЛАСС
427, Процессы Нанесения Покрытий, подклассы 457-601 – процессы нанесения покрытий с использованием электрического, магнитного поля, излучения или потоков частиц.
858. Позиционирование / установка наноструктур:
Предмет подкласса 855, в котором сканирующий зонд используется для позиционирования / установки наноструктур на подложке.
859. С обработкой подложки:
Предмет подкласса 855, в котором сканирующий зонд используется для создания и модификации наноструктур на той или иной подложке посредством модификации самой подложки, например, если сканирующий зонд используется для изменения химических, термических, электрических, магнитных или других свойств субстрата, и т. п.
860. Структура сканирующего зонда:
Предмет подкласса 849, включающий в себя детализацию структуры сканирующего зонда.
861. Сканирующий туннельный зонд:
Предмет подкласса 860, в котором конструкция сканирующего зонда предполагает использование квантового туннельного эффекта – вероятность перехода электрона между зондом и (обрабатываемым, исследуемым, формируемым) объектом зависит от расстояния зонд – объект.
862. Околопольный сканирующий зонд:
Предмет подкласса 860, в котором конструкция сканирующего зонда включает в себя интегрированный волновод с диаметром, меньшим, чем длина волны распространяющегося по нему света.
863. Атомный силовой зонд:
Предмет подкласса 860, в котором конструкция сканирующего зонда предполагает использование межатомных сил (например, вандерваальсова взаимодействия) между зондом и (обрабатываемым, исследуемым, формируемым) объектом.
(1) Примечание. Силы Ван-дер-Ваальса (дисперсионные силы) представляют собой взаимодействие между наведенными [молекулярными] диполями, зависящее от поляризуемости взаимодействующих молекул и обратно пропорциональное шестой степени расстояния между ними.
864. Электростатический силовой зонд:
Предмет подкласса 860, в котором конструкция сканирующего зонда предполагает использование электростатичеких сил между зондом и (обрабатываемым, исследуемым, формируемым) объектом.
(1) Примечание. Электростатические силы в общем случае представляют собой результат взаимодействия электрических зарядов одного материала с электрическим полем, образованным зарядами другого материала.
СМ. КЛАСС
324, Электричество: Измерение и Тестирование, подклассы 452-457 и 709 – измерения электростатических сил.
865. Магнитный силовой зонд.
Предмет подкласса 860, в котором конструкция сканирующего зонда предполагает использование магнитных сил между зондом и (обрабатываемым, исследуемым, формируемым) объектом.
(1) Примечание. Магнитные силы в общем случае представляют собой результат взаимодействия электрических токов, или движущихся электрических зарядов в одном материале с магнитным полем, образованным другим материалом (например, материалами на основе железа или никеля, обладающими собственным магнитным полем).
СМ. КЛАСС
324, Электричество: Измерение и Тестирование, подклассы 200-263 – измерения магнитных сил.
866. Сканирующий емкостной зонд.
Предмет подкласса 860, в котором конструкция сканирующего зонда предполагает использование емкостного эффекта между зондом и (обрабатываемым, исследуемым, формируемым) объектом.
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 |
