Резюме НИР, выполненного в рамках ФЦП
«Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на годы»
<итоговое>
Номер контракта: П947
Тема: Комбинационное рассеяние и фотоактивационные процессы в тонких пластинах монокристаллов со структурой силленита
Приоритетное направление: Индустрия наносистем
Критическая технология: Технологии диагностики наноматериалов и наноустройств
Период выполнения:
Плановое финансирование проекта: 2
Бюджетные средства: - 2.1 млн. руб.,
Внебюджетные средства: - 0.42 млн. руб.
Исполнитель: ЮЗГУ.
Ключевые слова: МОНОКРИСТАЛЛЫ СО СТРУКТУРОЙ СИЛЛЕНИТА, КОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ СВЕТА, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ИЗМЕРЕНИЯ, СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УПОРЯДОЧЕНИЕ, ФОТОЛИЗ
1. Цель исследования, разработки
Определение закономерностей процессов наноструктурирования и сегнетоэлектрического упорядочения в тонких пластинах кристаллов со структурой силленита методами рамановской спектроскопии и фотоэлектрических измерений для создания устройств преобразования сигналов.
Методы конфокальной, растровой электронной с энергодисперсионным элементным анализом, атомно-силовой микроскопии и комбинационного рассеяния света. Комбинационное рассеяние света, процессы фотолиза в тонких пластинах монокристаллов со структурой силленита.
2. Основные результаты проекта
Создана установка для изучения фото - и акустостимулированных явлений в тонких пластинах кристаллов со структурой силленита.
Разработаны методики исследований сегнетоэлектрического упорядочения в тонких пленках и пластинах сегнетоэлектриков.
По данным вольт-амперных характеристик и амплитудно-временных спектров, на разных режимах и параметрах фотовозбуждения установлен, что на фотоактивность тонких пластинчатых образцов монокристаллов силленита имеет размерный характер, что проявляется в существенном влиянии на нее особенностей поверхностной структуры, пластинчатых размеров, как это подтверждено по данным атомно-силовой микроскопии, комбинационного рассеяния света.
Построена физическая модель квантовых размерных эффектов в тонких пластинах монокристаллов со структурой силленита.
3. Охраноспособные результаты интеллектуальной деятельности (РИД), полученные в рамках исследования, разработки
По результатам исследований подготовлена техническая документация, включенная в состав отчетов по выполненным работам, которая частично содержит данные ноу-хау, касающиеся описания методик электрических и акустических воздействий на тонкие пленки и пластины сегнетоэлектриков.
4. Назначение и область применения результатов проекта
Предусмотренные проектом исследования комбинационного рассеяния и фотоактивационных процессов в тонких пластинах сегнетоэлектриков и родственных им материалов, в частности, в монокристаллах со структурой силленита представляют практических интерес для нано - и оптоэлектроники. В монокристаллах со структурой силленита имеет место сегнетоэлектрическое упорядочение, сильная упруго-электрическое взаимодействие, что ставит их в ряд перспективных для акустоэлектроники (например, при разработке и создании линий задержки, фильтров, фазовращателей).
5. Эффекты от внедрения результатов проекта
Исследуемые физико-технологические процессы формирования приповерхностных областей кристаллов силленитов позволят создать ряд элементов функциональной электроники, имеющих важное прикладное значение в различных областях науки и техники, и предназначенных для детектирования и преобразования оптических и акустических сигналов. Результаты исследований открывают возможности практического использования сенсибилизированных кристаллов силленитов в качестве высокочувствительных акустических и вибрационных датчиков.
Результаты исследований положены в основу программ обучения, методических указаний к лабораторным работам, учебных пособий, использованы в курсовом проектировании по направлению подготовки 210600.62 – «Нанотехнология», 222900 – «Нанотехнологии и микросистемная техника»
6. Формы и объемы коммерциализации результатов проекта
Коммерциализация проектом не предусмотрена.
Доцент кафедры нанотехнология
и инженерная физика _______________
