Наименование дисциплины: Основы нанотехнологий в электронике

Направление подготовки: 210100 Электроника и наноэлектроника

Профиль подготовки: Интегральная электроника и наноэлектроника

Квалификация (степень) выпускника: бакалавр

Форма обучения: очная

Автор: к. т.н., доцент, доцент кафедры нанотехнологий в электронике

1. Целями освоения дисциплины Основы нанотехнологий в электронике являются:

·  ознакомление студентов с основными идеями и техническими решениями, используемыми в современной интегральной электронике;

·  формирование знаний в области теоретических и технологических принципов наноэлектроники, лежащих в основе построения современных информационных систем;

·  овладение навыками в оценке современных технологических методов и возможностей их использовании в наноэлектронике.

2. Дисциплина Основы нанотехнологий в электронике относится к вариативной части профессионального цикла и является дисциплиной по выбору студента. Изучение основывается на знаниях, полученных при освоении математического и естественнонаучного цикла, а также предшествующих дисциплин профессионального цикла. Дисциплина Основы нанотехнологий в электронике дает знания, умения и владения по отношению к основам соответствующей научной области, способствует более эффективному освоению дисциплины базовой части профессионального цикла Наноэлектроника, а также предполагает дальнейшее углубленное изучение в соответствующем курсе магистерской программы по направлению 210100 Электроника и наноэлектроника. Элементы профессиональных компетенций, формируемых при освоении дисциплины Основы нанотехнологий в электронике, являются значимыми для будущей профессиональной деятельности выпускника бакалавриата.

НЕ нашли? Не то? Что вы ищете?

3. В результате освоения дисциплины обучающийся должен:

Знать:

·  состояние современной нанотехнологии, ее роль и место в производстве электроники, современные технологические методы и принципы изготовления приборов и элементов нанометровых масштабов;

·  новые материалы и возможности их примерения в перспективных нанотехнологиях для производства электроники;

·  физические ограничения в технологии производства интегральных схем (ИС), а также ограничения на размеры элементов, накладываемые механизмом их работы;

·  характерные масштабы величин, основные физические закономерности и константы относящиеся к этой дисциплине.

Уметь:

·  применять знания, полученные при изучении курсов физических и математических дисциплин при рассмотрении вопросов, связанных с теоретическими, экспериментальными и технологическими аспектами разработки и изготовления наноэлектронных приборов и устройств.

Владеть:

·  основами знаний в области базовых и типовых технологических операций современной наноэлектроники, владеть терминологией изучаемой дисциплины;

·  навыками проведения экспертной оценки существующих и перспективных нанотехнологий, элементов и устройств наноэлектроники.

4. Общая трудоемкость дисциплины составляет 2 зачетные единицы, 72 часа.

5. Содержание дисциплины:

№ п/п

Раздел дисциплины

1

Физические основы и технологические ограничения наноэлектроники

2

Материалы и технологии наноэлектроники. Современные методы микролитографии

3

Методы диагностики и визуализации наноструктур и нанообъектов

4

Технологии изготовления, основные характеристики и области применения наноструктур и приборов современной наноэлектроники.

6. Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины:

а) основная литература:

1.  – Наноэлектроника. М.: «Физматкнига», 2007.— 464 с.

2.  , , - Нанотехнология в электронике. Введение в специальность: Учебное пособие. 2-е изд., СПб.: «Лань», 2008.— 336 с.

3.  , , Гридчин наноэлектроники: Учебное пособие. - Новосибирск.: НГТУ, 2000.-331с.

б) дополнительная литература:

1.  Technology Roadmap for Nanoelectronics. // European Commission IST Programme. Microelectronics Advanced Research Initiative. MELARI NANO – Editors: pañó, L. Molenkamp, D. J. Paul, 2000, 81 P.

2.  Ю. В Гуляев, , Ю. Я Ткач - Физических ограничения минимальных размеров элементов современной микроэлектроники. // УФН, 1984, Т.144, ВЫП.3, С. 475-495

3.  К. Пирс, А. Адамс, Л. Кац, Дж. Цай, Т. Сейдел, Д. Макгиллис. Под редакцией С. Зи. - Технология СБИС В 2-х книгах. М.: «Мир», 1986.— 404 с.+ 453с.

в) программное обеспечение и Интернет-ресурсы:

Федеральный портал «Информика» http://www. *****/ и его проекты

Сайт Факультета Наук о Материалах МГУ http://www. *****

Сайт ЦКП «Диагностика микро и наноструктур» http://www. nano. *****

Сайт «Нанотехнологии интегральной электроники» http://www. nanoelectronics. *****/

Использование специализированного программного обеспечения не требуется