ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ РАЗРАБОТКИ
Керамические технологии
Направленная кристаллизация ВТСП материалов Y-системы МГТУ............................ 2
Изготовления керамических ВТСП изделий ПИЯФ........................................................ 2
Методы выращивания монокристаллов............................................................................. 2
Выращивание монокристаллов ВТСП материалов и монокристаллов магнитных полупроводников методами раствор в расплаве и газового транспорта. ИФМ УрО................................... 2
Пленочные технологии
Осаждение ВТСП пленок аэрозольным методом - достигнуты параметры пленок для купратов иттрия-бария - Тс =94 К, DТ=9 К; для купратов висмута-стронция-кальция - Тс=80 К, DТ=10 К. НИФХИ 2
Изготовление ВТСП металлооксидных пленок на подложках протяженной длины и сложной геометрии НИФХИ.................................................................................................................................. 2
Нанесение однородных буферных слоев ZrO2 МЭИ........................................................ 2
Осаждение ВТСП пленок на широкий спектр подложек диаметром до 40 мм МЭИ... 2
Покрытие из Bi-2212 ВТСП (JC @ !04А/см2 при 20 К в поле 2 Тл) ИМЕТ........................ 2
Получения ВТСП многослойных тонкопленочных структур с экранирующими, изолирующими и металлическими слоями. ИРЭ............................................................................................. 2
Селективное травление ВТСП структур МЭИ.................................................................. 2
Технологии получения различных пленочных структур и джозефсоновских переходов
Изготовление высококачественных СИС-переходов Nb-AlOx-Nb. ИРЭ....................... 2
Изготовление сверхпроводниковых интегральных микросхем (до 12 слоев Nb-AlOx-Nb/ SiO2; воспроизводимость параметров по подложке ±5%, от цикла к циклу: ± 10%). ИРЭ.... 2
Изготовление СИС-переходов с туннельным барьером из AlN (Vg = 2,5 – 3,5 мВ) ИРЭ 2
Получение ВТСП бикристаллических джозефсоновских переходов на сапфире (IcRN=1¸2 мВ при Т=4.2 К). ИРЭ................................................................................................................................... 2
Формирование слоистых структур с внутренним эффектом Джозефсона на основе Bi-2212, используя микротравление сфокусированными ионными пучками. ИРЭ....................................... 2
Создание решеток малых ферромагнитных частиц на сверхпроводящих мостиках и Джозефсоновских контактах (Nb). ИФМ-НН.................................................................................................... 2
Лазерная технология напыления тонких пленок ВТСП с экранированием прямого эрозионного потока МИФИ (кафедра квантовой электроники)......................................................................... 2
Получение текстурированных ВТСП пленок состава Bi1,7Pb0,4Sr2Ca2Cu3Ox в режиме «ex-situ» МИЭТ 2
Изготовление тонкопленочных сквидов на основе низкотемпературных и высокотемпературных сверхпроводников МГУ физфак.......................................................................................... 2
Изготовление структур субмикронных и нанометровых размеров на основе ультратонких (~3нм) пленок Nb, NbN, Ti (для NbN при толщине 2-10 нм Tc=11-12 К) МПГУ..................................... 2
Объемная литография для формирования рисунка в ВТСП (Bi-2212) толстых пленках (до 30 мкм); разрешение 1,5 мм. МарГУ................................................................................................... 2
Металлургические технологии для сверхпроводников
Изготовление многокомпонентных композиционных сверхпроводящих проволок в металлической матрице с металлическими и керамическими непрерывными волокнами большого и малого сечения. вниинм............................................................................................................................... 2
Получение прутковых и листовых материалов из труднодеформируемых и тугоплавких металлов и сплавов. вниинм............................................................................................................... 2
Изготовление длинномерных гибких обмоточных проводников на основе ВТСП соединений. вниинм................................................................................................................................................. 2
Изготовление тонколистовых композиционных ВТСП материалов. вниинм.......... 2
Способ производства профилей из Bi-2212 для формирования композитных проводников. ИМЕТ 2
Изготовление MgB2 проводов с использованием магнитного сжатия (при толщине 2, 45 мм и длине 10 см критток до 900 А в поле 5 кЭ при гелии). РНЦ КИ.......................................................... 2
Изготовление ВТСП проводников непосредственным осаждением мелкодисперсного аморфного порошка Bi-системы на серебряную ленту (плотности токов до 2х105А/см2 при гелии в собственном поле) МИСиС................................................................................................................................................. 2
Технологии в области сильноточных устройств
Изготовление резисторов для вывода энергии из сверхпроводниковых магнитов. ИФВЭ 3
Метод «намотка–отжиг–изолировка–переукладка» для изготовления магнитных систем из обмоточных сверхпроводников (Nb3Sn) (магнитное поле - до 13 Тл). НИИЭФА............................... 3
Намотка сердечника из аморфной стали. НИИЭлектромаш............................................ 3
Изготовление ВТСП трекового модуля. НИИЭлектромаш............................................. 3
Формирование «вмороженного» поля в ВТСП массивах ротора полем обмотки статора. НИИЭлектромаш................................................................................................................................................. 3
Намотка спиральной обмотки статора их сверхпроводниковых и криорезистивных материалов. НИИЭлектромаш................................................................................................................... 3
