Разработка устройства охранной системы (стр. 1 )

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКАЯ ИНЖЕНЕРНАЯ ШКОЛА ЭЛЕКТРОНИКИ

КУРСОВОЙ ПРОЕКТ

Пояснительная записка

Тема: РАЗРАБОТКА УСТРОЙСТВА ОХРАННОЙ СИСТЕМЫ

(«ХИТРОГО» ЗАМКА)

КП 2

Преподаватель

Студент

УТВЕРЖДЕНО

Предметной комиссией

« » __________________________ 2004г.

Председатель _______________________

ЗА Д А Н И Е

на курсовое проектирование по курсу КП ЭВМ

студенту IV курса 452 группы

СПИШЭ

(наименование среднего специального учебного заведения)

Тема задания Разработка устройства охранной системы («хитрого» замка)

Курсовой проект на указанную тему выполняется учащимися техникума в следующем объеме:

1. Пояснительная записка.

("1") Введение.

1. Общая часть.

  Назначение устройства управления.

1.2. Выбор и обоснование функциональной схемы устройства.

1.3. Состав проектируемого устройства.

2. Специальная часть

2.1. Выбор элементной базы проектируемого устройства.

2.2. Выбор и обоснование схемы электрической принципиальной устройства.

2.3. Описание функционирования устройства.

  Расчет надежности устройства.   Выбор и описание конструктивного оформления устройства.   Выбор и описание типа печатной платы.   Выбор и описание технологии изготовления печатной платы.   Монтаж радиоэлементов на печатную плату.   Автоматизация проектирования печатной платы устройства.

3. Графическая часть проекта _______________________________________________

Лист 1. Схема функциональная устройства.

Лист 2. Схема электрическая принципиальная.

Лист 3. Общий вид печатной платы (вид со стороны радиоэлементов).

Лист 4. Общий вид печатной платы (вид со стороны печатного монтажа).

("2") Заключение.

Список литературы.

Дата выдачи ______________________________

Срок окончания ______________________________

Зав. отделением ______________________________

Преподаватель ______________________________

Содержание

1. Пояснительная записка……………………………………………………………….……...2

Введение. …………………………………………………………………………….……….. 5

1. Общая часть

  Назначение устройства управления………………………………………………...8

1.2. Выбор и обоснование функциональной схемы устройства. ……………….…….10

1.3. Состав проектируемого устройства. ………………………………………………11

2. Специальная часть

2.1. Выбор элементной базы проектируемого устройства…………………………...12

2.2. Выбор и обоснование схемы электрической принципиальной устройства……..27

2.3. Описание функционирования устройства…………………………………………28

  Расчет надежности устройства……………………………………………………...29   Выбор и описание конструктивного оформления устройства…………………….35   Выбор и описание типа печатной платы……………………………………………40 ("3")   Выбор и описание технологии изготовления печатной платы……………...…….44   Монтаж радиоэлементов на печатную плату……………………………………….48   Автоматизация проектирования печатной платы устройства……………....……..50 Графическая часть проекта

Лист 1. Схема функциональная устройства.

Лист 2. Схема электрическая принципиальная.

Лист 3. Общий вид печатной платы (вид со стороны радиоэлементов).

Лист 4. Общий вид печатной платы (вид со стороны печатного монтажа).

Заключение…………………………………………………………….………………..54

Список литературы. .……………………………………………….…………………..55

За последние годы резко возросла конструктивная сложность навесных элементов, монтируемых на печатные платы. Наряду с традиционными корпусами ИМС на платы устанавливаются корпуса БИС и СБИС с большим количеством выводов (до ста и более) и уменьшенным шагом их расположения, носители кристаллов как с выводами, так и безвыводные, многокристальные микросборки, специальные микроминиатюрные разъемные соединители и др. Все шире используется метод монтажа установочных элементов на поверхности, в том числе с применением ленточных носителей. В ряде случаев безкорпусные кристаллы БИС монтируются непосредственно на печатные платы. Поэтому при создании ЭВМ актуальны проблемы, связанные с дальнейшим развитием технологии печатных плат, уменьшением размеров проводников, контактных площадок и отверстий при обеспечении необходимых электрических характеристик, с повышением плотности размещения конструктивных элементов. В частности, предусматривается: повышение плотности монтажных элементов до шага планарных выводов 0,5 мм; повышение трассировочной емкости сигнальных слоев МПП до 3—4 проводников между монтажными отверстиями; уменьшение ширины проводников до 0,1 мм, а диаметров контактных площадок — до 0,3 мм и др.

Все больше межсоединений элементов размещается на печатных платах. По данным американских изготовителей ЭВМ, если в аппаратуре третьего поколения на долю печатных плат приходилось до одной трети общей длины всех соединений, то в ЭВМ четвертого поколения — не менее 70%.

Стоимость соединений различных видов колеблется в пределах двух порядков, причем наиболее целесообразной и экономичной является прокладка как можно большего числа межсоединений на кристалле (это обстоятельство и служит одной из основных причин развития СБИС). Однако в случае, когда экономические возможности на определенном уровне исчерпаны (в настоящее время ограничивающим фактором являются затраты на проектирование СБИС), приемлемо расположение межсоединений если не на одной (идеальное решение), то хотя бы на минимальном количестве плат. Вследствие этого одним из направлений развития конструкций ЭВМ является увеличение размеров применяемых плат. С другой стороны, гораздо проще выполнять раскладку печатных проводников на малой плате, нежели на большой, поэтому используется также и второй путь — увеличение числа коммутационных слоев. Прослеживается определенная тенденция и к увеличению числа сквозных отверстий для межслойных соединений, а также плотности размещения этих отверстий. Можно различить типы таких отверстий: скрытые (между двумя внутренними слоями), глухие (между верхним и внутренним слоями) и обычные сквозные. Использование скрытых переходных отверстий освобождает наружную поверхность печатной платы благодаря повышенной плотности упаковки.

Наиболее перспективной технологией изготовления крупноформатных МПП с высокоплотным монтажом является аддитивная технология. Она позволяет реализовывать проводники и зазоры между ними шириной порядка 100 мкм. Широко используются также полуаддитивные технологические методы изготовления МПП, позволяющие достаточно легко приспосабливать технологическое оборудование, используемое для субтрактивных методов. Это дает возможность значительно снижать стоимость изготовления МПП.

В настоящее время весьма актуальной задачей является освоение новых технологических процессов в производстве интегральных микросхем, быстрейшее создание и повсеместное внедрение принципиально новой радиоэлектронной техники. Интегральные микросхемы в настоящее время являются одним из самых массовых изделий современной микроэлектроники. Применение микросхем облегчает расчет и проектирование функциональных узлов и блоков радиоэлектронной аппаратуры, ускоряет процесс создания принципиально новых аппаратов и внедрения их в серийное производство.

В настоящее время наиболее популярны микросхемы на ТТЛ (ТТЛШ), КМОП (КМДП, МДП). КМОП (КМДП) – разновидность МДП транзисторов, в которых используются полевые транзисторы какс «р», так и с «n» каналами. Современные ИМС на КМОП транзисторах имеют низкую потребляемую мощность, высокую степень интеграции, широкий диапазон напряжения питания, также в них напряжение логического нуля и логической единицы согласуются и равны напряжению питания микросхемы. Недавно появились микросхемы «IGBT - модули», сочетающие в себе как биполярные, так и МДП транзисторы.

Сегодня проектирование вообще и, в частности, проектирование печатных плат немыслимо без применения САПР - системы автоматизации проектирования.
За последние годы современные технологии стали серьезным подспорьем в сложном труде проектировщика. На смену калькулятору, бумаге, карандашу и туши пришли специальные программы для расчета и графического построения. Это позволило вдвое сократить сроки проектирования, снизить трудоемкость данного процесса. Системы автоматизации проектирования, объединившие математику и графику, стали следующим шагом на этом пути.

САПР - комплекс средств автоматизации проектирования, взаимосвязанный с подразделениями проектной организации и выполняющий автоматизированное проектирование. Под автоматизацией проектирования понимается такой способ проектирования, при котором все проектные операции и процедуры или их часть осуществляется при взаимодействии человека и ЭВМ. В результате функционирования САПР - от технического задания, последовательно, проходя ряд проектных стадий, пользователь получает рабочий проект объекта проектирования (рабочие чертежи, техническое описание и др.). Одной из важных составных частей САПР является машинная графика. САПР выполняет ряд процедур определенным образом логически связанных между собой и служащих для принятия проектных решений. САПР могут быть использованы в различных областях науки, техники и производства. Полностью весь цикл разработки и изготовления печатных плат можно автоматизировать с помощью САПР.

Цель данного курсового проекта – разработка печатной платы в соответствии со схемой электрической принципиальной при использовании современных методов разработки.

1. Общая часть

("4") 1.1. Назначение проектируемого устройства

Один из двух-трех дверных замков, которыми мы рано или поздно обзаводимся можно переделать в датчик охранной системы.

На рисунке 1.1 показана установка контактного датчика на входной двери в помещение. На двери (1), расположенной в дверной коробке (2), установлен накладной замок (3) со щеколдой(4). Накладка замка (6), в которую упирается закрытая щеколда, удалена за ненадобностью. Основу контактного датчика составляет пластинка фольгированного стеклотекстолита (5). К фольге, оставленной лишь в средней ее части, припаивают «ус» (7), который изготовлен из тонкой упругой проволоки (сталь, фосфористая бронза). Это один электрод контактного датчика. Датчик крепят двумя винтами к металлическому основанию замка – другому его электроду.

Рис. 1.1. Установка датчика охранной системы

При попытке открыть замок, которым хозяева квартиры никогда не пользуются (ключи от него рекомендуется «потерять»), его щеколда входит в соприкосновение с «усом» контактного датчика и активизирует электронную часть устройства.

Источником питания охранной системы может быть батарея, составленная из гальванических элементов или аккумуляторов, которая имеет общее напряжение Uпит = 6-12В и способна отдать в режиме тревоги ток, соответствующий потреблению исполнительного механизма. Заметим, что пьезоаккустические излучатели обладают высоким КПД. Например, ток, потребляемый пьезосиреной АС-10 близок к 0.25 мА. Ток, потребляемый охранной системой в дежурном режиме, составляет лишь несколько микроампер. Поэтому продолжительность непрерывной ее работы зависит, прежде всего, от самозаряда источника питания и физической его сохранности. Лучшим среди гальванических батарей, но и самым дорогим являются литиевые: за 10 лет хранения они теряют лишь 10-15% своей емкости. Малый самозаряд аккумуляторов не столь важен, если, конечно, удается организовать автоматический их подзаряд от электросети.

Данное устройство является легким в исполнении, простым и выгодным охранным устройством для бытового использования. Для большей функциональности можно вмонтировать в устройство радиопередатчик, таким образом, обнаружив нарушение и приняв те или иные контрмеры, система ставит об этом в известность и лицо, находящееся вне охраняемого объекта: владельца, внешнюю охрану и т. д. На базе этого простейшего устройства строятся противоугонные системы для автомобилей.

1.2. Выбор и обоснование функциональной схемы устройства

Схема электрическая функциональная показывает основные узлы устройства, участвующие в передаче и распространении сигнала и связи между этими узлами.

Схема данного устройства имеет следующие узлы: контактный датчик, одновибратор, составной транзистор, динамик, включенный в выходную цепь между «+» Uпит и выходным каскадом биполярного транзистора, ключ в цепи питания, а также диод, включенный в цепь питания, ограничивающий ток от источника питания и исключающий неправильное к нему подключение.

На двух вентилях И-НЕ собран одновибратор. В исходном состоянии на вход одновибратора поступает высокий потенциал логической единицы. Такой же уровень логической единицы будет на его выходе, поскольку на обоих входах этого элемента благодаря резистору поддерживается низкий потенциал (уровень логического нуля). Следовательно, на выходах микросхемы будет длительно сохраняться уровень логического нуля, транзистор заперт, сирена «молчит».

При замыкании контактного датчика напряжение на входе одновибратора упадет до уровня логического нуля, и он очень быстро перейдет в другое свое устойчивое состояние. В этом состоянии уровень логической единицы на его выходе сменится уровнем логического нуля и соответственно уровнем логической единицы близким к напряжению питания станет напряжение на выходах элементов микросхемы. Это напряжение создает в базе составного транзистора ток, открывающий его до насыщения и включающий тем самым пьезосирену.

1.3.Состав проектируемого устройства

Схема «хитрого» замка имеет следующие узлы: контактный датчик, одновибратор на элементах 2 И-НЕ, составной транзистор, светодиод, пьезосирену, включенную между узлами цепи, а также ключ в цепи питания.

Промежуточный узел включающий одновибратор на элементах 2 И-НЕ, также имеет 3 ограничивающих резистора и 3 фильтрующих конденсатора. На входной узел через ключ подается напряжение питания 6-12 В. Узел, содержащий диод имеет обвязку из двух конденсаторов. Транзистор подключен к одновибратору через ограничивающий резистор.

2. Специальная часть

2.1. Выбор элементной базы устройства

Интегральная микросхема (integrated circuit) – микроэлектронное изделие, выполняющее функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки элементов, электрически соединенных между собой на одном кристалле, которые с точки зрения выполняемых функций представляют собой единое целое.

Классификация ИМС:

по виду обрабатываемого сигнала (цифровые, цифро-аналоговые, аналоговые) ("5") по конструктивно-технологическому исполнению (корпусные, безкорпусные, корпусные без вывода) по технологии изготовления (полупроводниковые, гибридные, пленочные)

Полупроводниковая интегральная микросхема (ПП ИМС) – ИМС, все элементы которой выполнены в объеме на поверхности полупроводника. Для ее изготовления используются пластины (подложки) из полупроводникового материала. ПП ИМС делятся на биполярные ИМС и МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) ИМС. Не так давно появилась микросхема IGBT – модуль, которая на одной подложке сочетает как биполярные, так и МДП-транзисторы (VT).

КМДП – разновидность МДП VT, в ктоторых используется полевые VT как с р, так и с n каналом. Если элемент и межэлементные соединения выполнены в виде пленок, нанесенных на поверхность диэлектрической подложки, то такая ИМС называется пленочной. Она делится на тонкопленочные и толстопленочные ИМС.

Гибридные ИМС – ИМС, в которых кроме пленочных элементов применяются безкорпусные навесные компоненты.

Параметры логических элементов.

Логические элементы характеризуются рядом параметров, по которым производится их выбор для реализации конкретного устройства.

Коэффициент объединения по входу (Коб) равен числу логических входов элемента. На них поступают логические переменные, над которыми данный элемент осуществляет логическую операцию. Таким образом, коэффициент Коб ограничивает наибольшее число переменных функции, которую можно выполнить на одном элементе. При недостаточном количестве входов вместо одного приходится использовать несколько элементов, соединяя их определенным образом. Следовательно, устройство можно выполнить на меньшем количестве элементов, если они обладают большим коэффициентом Коб.

Коэффициент разветвления по выходу (Краз) численно равен количеству входов аналогичных элементов, которыми можно нагрузить выход данного элемента. Этот коэффициент характеризует нагрузочную способность элемента и определяется структурой его выходного каскада. Чем больше коэффициент Краз, тем меньшее количество элементов требуется для выполнения устройства.

Быстродействие (tз) обычно оценивают полусуммой задержек перепадов на выходе элемента относительно входных перепадов, переключающих его из состояния 1 в состояние 0 и обратно. При этом каждая задержка измеряется между серединами перепадов.

Помехоустойчивость оценивается наибольшим напряжением помехи Uпом, действующей на входе, которое не вызывает ложного переключения элемента из 1 в 0 или наоборот. Помехоустойчивость логического элемента можно оценить по передаточной характеристике — зависимости выходного напряжения от входного. Логический элемент характеризуется, в частности, уровнями логических 1 и 0 (U1 и U0), потребляемой мощностью и напряжением питания.

Сравнительная оценка базовых логических элементов.

В настоящее время наиболее широко применяются микросхемы ТТЛ-типа, так как их параметры соответствуют требованиям разнообразной электронной аппаратуры. ТТЛ ИМС обладают сравнительно высоким быстродействием при относительно большой потребляемой мощности, высокой помехоустойчивостью и большой нагрузочной способностью.

Промышленность выпускает несколько разновидностей ТТЛ ИМС, в том числе ИМС с диодами Шотки (ТТЛШ) повышенного быстродействия (но большей мощности потребления) и маломощные (но с меньшим быстродействием).

Микросхемы ЭСЛ-типа являются наиболее быстродействующими. Это обусловлено, в частности, тем, что транзисторы элемента работают в активном режиме, чем исключается время выхода из насыщения; перезарядка нагружающих вывод емкостей происходит достаточно быстро через малое выходное сопротивление эмиттерных повторителей.

Наряду с высоким быстродействием и большой нагрузочной способностью ЭСЛ-элемент отличается меньшей, чем ТТЛ-элемент, помехоустойчивостью (ввиду того, что для его переключения достаточен небольшой перепад входного напряжения), а также относительно большим потреблением мощности (за счет работы транзисторов в активном режиме и малых сопротивлений резисторов, дополнительно обеспечивающих быстродействие), что повышает требования к источникам питания и системе охлаждения.

Микросхемы КМОП-типа отличаются исключительно малым потреблением мощности, за счет чего температура кристалла не превышает допустимой при весьма большом количестве компонентов на нем. Это позволяет изготовлять большие интегральные схемы (БИС) КМОП-типа с наивысшей в настоящее время степенью интеграции. Малая потребляемая мощность позволяет использовать аппаратуру на КМОП ИМС при ограниченных возможностях источников питания. Вместе с этим КМОП ИМС отличают высокая помехозащищенность и большое входное сопротивление, следствием чего является высокая нагрузочная способность (большой коэффициент разветвления по выходу). Наряду с этим КМОП-элемент имеет ограниченный коэффициент объединения по входу. Это связано с тем, что число входов равно числу нагрузочных транзисторов; за счет значительного падения напряжения на большом количестве отпертых нагрузочных транзисторов напряжение U1 логической 1 на выходе может существенно снизиться. По быстродействию микросхемы КМОП-типа уступают микросхемам ЭСЛ - и ТТЛ-типов.

Табл. 2.1. Основные параметры элементов серий 155 (ТТЛ), 531 (ТТЛШ), 100 (ЭСЛ), 561 (КМОП)

Параметр	Тип логики
ТТЛ	ТТЛШ	ЭСЛ	КМОП
Напряжение питания Еп, В	5	5	-5,2	3…5
Напряжение логической 1 U1, В	2,4	2,7	-0,9	≈Еп
Напряжение логического 0 U0, В	0,4	0,5	-0,6	≈0
Быстродействие tз, нс	20	5	2,9	50
Помехоустойчивость Uпом, В	Не менее 0,4	Не менее 0,5	0,2	Не менее 0,3 Еп
Потребляемая мощность Рпот, мВт	22	19	35	0,1	Коэффициент разветвления по входу Коб	8	4	9	-	Коэффициент разветвления по выходу Краз	10	10	15	50

("6") Заметим, что в ряде случаев цифровое устройство приходится выполнять на микросхемах разных типов (например, ТТЛ и ЭСЛ). При этом для согласования уровней логических 1, а также логических 0 применяют преобразователи уровней.

Промышленность выпускает микросхемы и других типов, в частности диодно-транзисторной логики (ДТЛ) и резисторно-транзисторной логики (РТЛ). ДТЛ ИМС представляют собой комбинацию диодной схемы И и транзисторного инвертора. РТЛ ИМС — комбинация резисторной схемы ИЛИ и транзисторного инвертора. РТЛ - и ДТЛ-типы микросхем относятся к ранним разработкам, не обладают необходимыми параметрами и выпускаются для ремонта аппаратуры, изготовленной ранее.

Резисторы. Принцип действия резисторов основан на использовании свойств материалов оказывать сопротивление проходящему электрическому току.

По назначению резисторы могут быть общего назначения, прецизионные, высокочастотные, высокомегаомные, высоковольтные и специальные, а по эксплуатационным характеристикам — термо - и влагостойкими, вибро - и ударопрочными, высоконадежными, повышенной «высотности».

Табл. 2.2. Сравнительные донные резисторов различных типов

Характеристика	Угольные	Металло-пленочные	Металло-пленочные прецизионные	Металло-пленочные мощные	Толстопленочные	Проволочные мощные	Проволочные прецизионные
Пределы изменения сопротивления	1 Ом...10МОм	1 ОмМОм	30 Ом.,.750 кОм	0.02 Ом... ЮкОм	0.33 Ом..,5 ГОм, 1 Ом...1 кОм (Р = 250Вт)	0.05 Ом.,.47 кОм, 1 Ом...1 кОм (Р = 300Вт)	5 ОмМОм
Нормализованный ряд	Е12иЕ24	ОтЕ12до Е192	-	-	-	-	-
Допуск[%]	±10...±5	±5...±0.1	±1...±0.001	+20...+5	±1...±0.5	±10...±1	±1...±0.001
Номинальная мощность [Вт]	0.0625...3	0.0625...2	O.3...1.25	7...6000	0.6...250	10...1000	0.05...2
Максимальное напряжение [В]	150...1000 (Р = 3 Вт)	250...700 (Р = 2 Вт)	250...600 (Р - 1.25 Вт)	400 В/см	От4кВ(Р = 0.6Вт) до10кВ(Р=8Вт)	70...200 В/см	200 В...2 кВ (Р = 2 Вт)
Температурный коэффициент [ррт]	-150...-1000	±250...±25	±5	±100	±100	<250	±10
Напряжение шума [мкВ/В]	<3	<2	Не измерялось	Незначительно	Не измеряется	Незначительно	Незначительно
Надежность (% на 1000 часов)	Хорошая 0.001...0.01	Очень хорошая 0.0008	Очень хорошая	Очень хорошая	Хорошая	Резисторы малой мощности, малонадежны	Хорошая
Особенности	Широкое использование, хорошие общие характеристики	Резисторы высокого качества, мало шумят, хорошая стабильность и точность	Очень точные резисторы, высокая стабильность и ограниченные шумы. Годны для работы в технике Hi-Fi и измерительных цепях	Мощность. Годны для работы в технике Hi-Fi	Мощность, точность, высокое напряжение, высокое качество	Большие мощности, перегрузки и переходные режимы	Абсолютная стабильность, нет шумов, в высококачественных и измерительных цепях

("7") По виду токопроводящего элемента навесные резисторы подразделяют на группы, которым, согласно ГОСТ 13453 — 68, присваиваются обозначения. Первый буквенный индекс указывает тип резисторов (С — постоянные, СП — переменные), а второй цифровой — материал, из которого они изготовлены (1 — непроволочные, поверхностные, углеродистые и бороуглеродистые; 2 — непроволочные, поверхностные, металлопленочные, металлоокисные; 3 — непроволочные, поверхностные, композиционные; 4 — непроволочные, объемные, композиционные; 5 — проволочные; 6 — резисторы СВЧ). Третий цифровой индекс означает конструктивный вариант исполнения резисторов одной группы. Наряду с таким обозначением некоторые резисторы ранних выпусков имеют обозначения, в основу которых были положены некоторые отличительные признаки (например, МЛТ — металлопленочный, лакированный, теплостойкий).

Резисторы общего назначения используются в качестве элементов аппаратуры средней точности (5 — 20%) и имеют номинальные значения сопротивления от единиц Ом до 10 МОм, рабочие напряжения в пределах сотен вольт, диапазон номинальных мощностей рассеивания от 0,125 до 2 Вт и выше, частотный диапазон до десятков мегагерц, среднее значение ТКС порядка 103 1/°С и изменяют сопротивление к концу срока службы (хранения) не более чем на ±10%.

Резисторы этой группы используются в РЭА широкого потребления, а также в электрических цепях аппаратуры специального назначения, к которым не предъявляют повышенных требований точности, стабильности и высокочастотности, в качестве анодных и коллекторных нагрузок, сопротивлений утечки и смещения в цепях эмиттера, базы, истока и стока, шунтов колебательных контуров и др.

Постоянные резисторы. Среди множества типов резисторов, выпускаемых промышленностью, большинство является постоянными общего назначения. В их конструкциях используются практически все виды токопроводящих элементов. Они делятся:

углеродистые резисторы, предназначенные для цепей постоянного, переменного и импульсного токов радиотехнической и электронной аппаратуры; металлопленочные резисторы, предназначенные для цепей постоянного, переменного и импульсного токов аппаратуры нормального и тропического исполнения, тепло - и влагостойкости, обладают повышенной механической прочностью и часто используются в РЭА широкого и специального назначения, особенно малогабаритной, так как по размерам они совместимы с ИС; композиционные резисторы, используемые для тех же целей, что углеродистые и металлопленочиые. пригодны для работы в условиях сухого и влажного тропического климата. Отличительными особенностями этих резисторов являются высокая вибропрочность, обеспечиваемая запрессовкой выводов в основание, большой уровень собственных шумов и зависимость сопротивления от приложенного напряжения; проволочные резисторы обладают повышенной температурной стабильностью и термостойкостью;

Был выбран металлопленочный, лакированный, теплостойкий резистор МЛТ – 0,25.

Конденсаторы. Принцип действия конденсатора основан на способности накапливать па обкладках электрический заряд при приложении к ним разности потенциалов.

Табл. 2.3. Сравнительные характеристики различных типов конденсаторов

Характеристика	Электролитические алюминиевые с твердым электролитом	Электролитические алюминиевые с жидким электролитом	Электролитические танталовые
Пределы изменения емкости	100нФ...1000мкФ	1 мкФ...100000 мкФ	100нФ...220мкФ
Точность	±20%	-10%...50%	±10%...±20%
Максимально допустимое напряжение	50 В	600 В	50 В
Тангенс угла потерь или последовательное сопротивление	0.03Ом(100мкФ20В) ...1 Ом (100 нФ 25 В)	5-10-3Ом(0.47Ф10В) ...27Ом(47мкФ400В)	0.05
Рабочая частота	0...300 кГц	0кГц	0кГц
Стабильность (АС/С)	-	-	Хорошая температурная стабильность
Применение, особенности	Развязка питания, аудиоразвязка	Фильтрация питания, развязка низких частот	Аппаратура, требующая малого тока утечки, хорошего соотношения емкость/ объем, температурной стабильности

("8")