Первая Российско-белорусская научно-техническая конференция
«Элементная база отечественной радиоэлектроники»,
посвящённая 110-летию со дня рождения
ПРОГРАММА КОНФЕРЕНЦИИ
11 сентября 2013 г.
11.00 – 13.00 Пешеходная экскурсия по Нижнему Новгороду
Сбор в 11.00 около памятника М. Горькому на площади Горького.
12.30 Начало регистрации участников конференции
Регистрация будет проводиться в фойе корпуса 1 Нижегородского кремля
(здание Нижегородской областной администрации).
13.00 – 14.00 Обед (в здании корпуса 1 Нижегородского кремля).
14.00 – 17.00 Пленарное заседание
Большой зал Администрации Нижегородской области
(Нижегородский Кремль, корп.1)
1. Приветствия участникам конференции.
2. Демонстрация фильма об (производство телекомпании ННТВ).
Сопроводительное слово — к. ф.-м. н. , в. н. с. Института физики микроструктур РАН.
3. Радиационностойкие КМОП интегральные элементы и схемы.
Доклад представителя (Минск).
4. Разработка радиационностойкой элементной базы.
Доклад к. т. н. , заместителя генерального директора (Зеленоград)
18.00 – 21.00 Банкет
12 сентября 2013 г.
10.00 Направления 1, 7
ННГУ им. (пр. Гагарина, 23, корп. 2, Актовый зал)
, , МОДЕЛИРОВАНИЕ НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СУБМИКРОННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ GaAs/AlGaAs.2. НА ПОРОГЕ ЭРЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ. О. В. ЛОСЕВ.
3. , , Лебедев Д. П., , С., , НАЧАЛО ПРОМЫШЛЕННОГО ВЫПУСКА SiC ПОДЛОЖЕК И ПРИБОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ.
11.3Перерыв на чай/кофе
4. , , РАЗРАБОТКА СФ-БЛОКОВ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОМОЩНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ ДЛЯ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ.
5. , , КВАЗИАКТИВНЫЕ УСТРОЙСТВА ЗАЩИТЫ ДЛЯ ПРИЕМНИКОВ СВЧ ДИАПАЗОНА.
6. ВНЕЭЛЕКТРОДНАЯ ПЛАЗМА ДЛЯ ЗАДАЧ МИКРО - И НАНОТЕХНОЛОГИЙ
13.000 Перерыв на обед
7. С, ДВОИЧНО-ВЗВЕШЕННЫЙ ЦУГОВЫЙ ЦАП ДЛЯ НИЗКОВОЛЬТНЫХ КМОП-АЦП НА КНИ-ПОДЛОЖКАХ.
8. , МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ КОНВЕКЦИИ-ДИФФУЗИИ В ТВЕРДОТЕЛЬНО-ЖИДКОСТНЫХ НАНОСТРУКТУРАХ ПЛАНАРНОГО ТИПА С РАЗЛИЧНОЙ ГЕОМЕТРИЕЙ.
МИКРОВОЛНОВАЯ ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА. КУРС ЛЕКЦИЙ ДЛЯ СТУДЕНТОВ-ФИЗИКОВ. , , СПОСОБ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ФОРМЫ ОПТИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ С ДЛИТЕЛЬНОСТЬЮ МЕНЬШЕЙ ПОСТОЯННОЙ ВРЕМЕНИ ФОТОПРИЕМНИКА.11. , СТРАТЕГИЯ РАЗВИТИЯ ОБРАЗОВАНИЯ В ОБЛАСТИ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ В СОВРЕМЕННЫХ УСЛОВИЯХ.
12. ЭФФЕКТ РЕЗОНАНСНОГО ТУННЕЛИРОВАНИЯ НОСИТЕЛЕЙ И ЕГО ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В ТРАНЗИСТОРАХ.
13. , , МОДУЛИ АЦП ДЛЯ МАТРИЧНЫХ КМОП ПРИЁМНИКОВ.
14. ОСОБЕННОСТИ МЕТОДИКИ ИЗУЧЕНИЯ «ОСНОВ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ» В ТЕХНИЧЕСКИХ ВУЗАХ, ОРИЕНТИРОВАННЫХ НА ПОДГОТОВКУ СПЕЦИАЛИСТОВ ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ И РАЗВИТИЮ СОВРЕМЕННЫХ ТЕХНИЧЕСКИХ СРЕДСТВ.
10.00. Направление 2
ННГУ им. (пр. Гагарина, 23, корп. 2, Зал научных демонстраций)
Председатель секции: чл-корр РАН
1. ., РАБОТОСПОСОБНОСТЬ И НАДЁЖНОСТЬ КМОП ТРАНЗИСТОРОВ С НАНОМЕТРОВЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ ПРИ РАДИАЦИОННЫХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ.
2. , , ОБЕСПЕЧЕНИЕ СТОЙКОСТИ МИКРОКОНТРОЛЛЕРОВ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ.
3. П, , ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕДЕНИЯ ФТОРА В ЗАХОРОНЕННОМ ДИЭЛЕКТРИКЕ КОМПОЗИЦИЙ КНИ.
11Перерыв на чай/кофе
4. , , ОПЫТ ИСПЫТАТЕЛЬНОГО ЦЕНТРА КП» ПО КОНТРОЛЮ СТОЙКОСТИ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА.
5. , , ПРОЕКТИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННО-СТОЙКОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ.
6. , ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ СВЧ PHEMT ТРАНЗИСТОРА НА ОСНОВЕ ПСЕВДОМОРФНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ALGaAs/InGaAs/GaAs.
13Перерыв на обед
7. , , ИСПОЛЬЗОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНЫХ ИМИТАЦИОННЫХ МЕТОДОВ АППРОКСИМАЦИИ SPICE-ПАРАМЕТРОВ ДЛЯ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ДОЗОВЫХ ЭФФЕКТОВ БОЛЬШИХ УРОВНЕЙ РАДИАЦИОННОЙ НАГРУЗКИ В БИС ТЕХНОЛОГИИ КМОП/КНД.
8. , ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СОВРЕМЕННЫХ РАДИАЦИОННОСТОЙКИХ ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ ДИНАМИЧЕСКИХ ТОКОВЫХ КАСКАДОВ.
9. , , МАТЕМАТИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ С УЧЕТОМ РАДИАЦИИ СО СХЕМОТЕХНИЧЕСКОГО НА ФУНКЦИОНАЛЬНО-ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ
10. , , ОЦЕНКА УРОВНЯ СБОЕУСТОЙИВОСТИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ИМПУЛЬСНЫХ РАДИАЦИОННЫХ НАГРУЖЕНИЙ НА БИС ТЕХНОЛОГИИ КМОП/КНД ПО РЕЗУЛЬТАТАМ КОМПЛЕКСНОЙ ОБРАБОТКИ ИНФОРМАЦИИ.
11. , ., , О СОЗДАНИИ ЛОГИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ НА БАЗЕ НПС, РАБОТАЮЩИХ В ВЫСШИХ ЗОНАХ НЕУСТОЙЧИВОСТИ КОЛЕБАНИЙ, И СПОСОБЫ ИХ РЕАЛИЗАЦИИ НА НОВЫХ ТЕХНОЛОГИЯХ
12. ОСОБЕННОСТИ ИСПЫТАНИЙ СОВРЕМЕННЫХ СБИС И ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕБОВАНИЙ К ПАРАМЕТРАМ-КРИТЕРИЯМ ГОДНОСТИ ИЭТ.
13. , ВОЗДЕЙСТВИЕ СПЕЦФАКТОРОВ НА ИСТОЧНИКИ ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ.
14. , , ПОДХОД К ТЕСТИРОВАНИЮ СЛОЖНО-ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ПРИМЕНЕННЫЙ ПРИ ИСПЫТАНИЯХ ДВУХПРОЦЕССОРНОЙ «СИСТЕМЫ НА КРИСТАЛЛЕ» НА БАЗЕ ЯДЕР 32-РАЗРЯДНЫХ ПРОЦЕССОРОВ ЦОС
15. , , ИССЛЕДОВАНИЕ ГАЗОВОЙ АТМОСФЕРЫ ПРИ ТЕРМОВАКУУМНЫХ ИСПЫТАНИЯХ ЭЛЕКТРОННЫХ БЛОКОВ КОСМИЧЕСКОГО АППАРАТА.
16. , , асинхронные микропроцессоры для космических систем.
10.00. Направления 3, 6
НГТУ им. (ул. Минина, д. 24, корп. 1, ауд. 313)
Сопредседатели секции:
чл-корр РАН , чл-корр РАН
КВАНТОВЫЕ КАСКАДНЫЕ ЛАЗЕРЫ. , , МНОГОКАНАЛЬНЫЕ АКТИВНЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ КАБЕЛИ СО СКОРОСТЬЮ ПЕРЕДАЧИ ДАННЫХ ДО 14 ГБИТ/С на 1 КАНАЛ , ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКАЯ РАСПРЕДЕЛИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА ДЛЯ АКТИВНЫХ ФАЗИРОВАННЫХ АНТЕННЫХ РЕШЕТОК.11Перерыв на чай/кофе
, ФОТОННЫЕ УСТРОЙСТВА ОБРАБОТКИ И КОММУТАЦИИ ОПТИЧЕСКОГО СИГНАЛА. , , МОЩНЫЕ СВЕТОДИОДЫ В СРЕДНЕЙ ИК ОБЛАСТИ СПЕКТРА (1,6 –4,6 МКМ) НА ОСНОВЕ УЗКОЗОННЫХ СОЕДИНЕНИЙ III-V. , СРАВНЕНИЕ ВЕЛИЧИНЫ СВЧ ПОТЕРЬ В GAAS ГОМОСТРУКТУРНЫХ И ALGAAS/GAAS ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫХ PIN-ДИОДАХ.13Перерыв на обед
АКУСТОЭЛЕКТРОННАЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА. , , ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ПОМЕХ НЕЛИНЕЙНОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЧАСТОТЫ В “БЛИЖНЕЙ” ЗОНЕ И ФОРМУЛИРОВКА ТРЕБОВАНИЙ К ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЕ. МЕТОДЫ УСТРАНЕНИЯ НЕОДНОЗНАЧНОСТИ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ПЛЁНКИ НЕФТИ НА ПОВЕРХНОСТИ ВОДЫ РАДИОМЕТРИЧЕСКИМ ПОЛЯРИЗАЦИОННЫМ МЕТОДОМ. Ю. СОВРЕМЕННЫЕ РАЗРАБОТКИ МИЛАНДР» ДЛЯ АППАРАТУРЫ СПЕЦИАЛЬНОГО И ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ. , , ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ГЕНЕРАТОР СВЧ С ПОЛНОСТЬЮ ОПТИЧЕСКИМ УСИЛЕНИЕМ. , НОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ АНАЛОГОВЫЕ И ЦИФРОВЫЕ УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ РЕЗИСТОРНОГО ОПТРОНА. О ВОЗМОЖНЫХ ИСТОЧНИКАХ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ ОШИБОК КОСМИЧЕСКОЙ НАВИГАЦИИ, GPS И ГЛОНАСС, ЛАЗЕРНОЙ ЛОКАЦИИ И РАДИОЛОКАЦИИ. , , CВЧ АКУСТОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ. ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ. , , Владимиров база КВЧ диапазона на основе диэлектрических структур: полувековой путь отечественных НИОКР и перспективы технологического развития.10.00. Направление 4
ННГУ им. (пр. Гагарина, 23, корп. 3, конференц-зал НИФТИ)
Сопредседатели секции:
чл-корр РАН , доц.
, РАЗРАБОТКА ЭЛЕКТРОННО-ЗОНДОВОГО ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И ДИАГНОСТИКИ. , , ЭЛЕКТРОННАЯ ЛИТОГРАФИЯ НА ОСНОВЕ НаноМейкера – УНИВЕРСАЛЬНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ НАНОКОНСТРУИРОВАНИЯ. , , ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ ГЛУБОКОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ НА СТРУКТУРАХ КНИ. , , РАСШИРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ ЗА СЧЁТ ПРИМЕНЕНИЯ ПЛАЗМЕННЫХ ПРОЦЕССОВ.11Перерыв на чай/кофе
, , Schorr S. СТРУКТУРНЫЕ И ТЕПЛОВЫЕ СВОЙСТВА ХАЙКОКИТА Cu4Fe5S8 , , ВЫРАЩИВАНИЕ ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ АВТОМАТИЗИРОВАННОЙ ПРОМЫШЛЕННОЙ УСТАНОВКИ NIKA-SiC И ИХ ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ. , , ИССЛЕДОВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КАРБИДА КРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ.13.000 Перерыв на обед
Якимов Наноструктур методами растровой электронной микроскопии. , , РЕНТГЕНОВСКИЕ МЕТОДЫ ДИАГНОСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ И СТРУКТУР. , , ВЛИЯНИЕ СТАЦИОНАРНЫХ И ИМПУЛЬСНЫХ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ РАЗЛИЧНОЙ ПРИРОДЫ НА СВОЙСТВА ИОННО-МОДИФИЦИРОВАННЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ И ПРИБОРНОГО КРЕМНИЯ СТРУКТУР КНИ МЕТОДОМ ПСЕВДО-МДП ТРАНЗИСТОРА. , , ИССЛЕДОВАНИЕ РАЗЛИЧНЫХ СПОСОБОВ НАНОСТРУКТУРИРОВАНИЯ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ГАЗОПОГЛОЩАЮЩИХ СЛОЕВ ДЛЯ МЭМС.10.00. Направления 5, 8
НИРФИ (/12a, конференц-зал)
Сопредседатели секции: проф. , проф.
, , Дрогун в производстве субмикронных изделий. , , КООРДИНАЦИОННОЕ УПРАВЛЕНИЕ ПРЕДПРИЯТИЯМИ ЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ. , Фиронов В. А., , В, , А, ВОЗМОЖНОСТИ И ПРОБЛЕМЫ РАЗРАБОТКИ ПРИБОРОВ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ НА КАРБИДЕ КРЕМНИЯ11Перерыв на чай/кофе
ФОРМИРОВАНИЕ СТРУКТУРНЫХ ГРАФОВ ПРОИЗВОДСТВЕННЫХ КОРПОРАЦИЙ ПРИ РЕШЕНИИ ЗАДАЧ АНАЛИЗА ПОТОКОРАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЦЕЛЕВОГО ПРОДУКТА В ЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ. , , РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИХ ИСПЫТАНИЙ ПО ОЦЕНКЕ ВОЗМОЖНОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ЭЛЕКТРОРАДИОИЗДЕЛИЙ ИНОСТРАННОГО ПРОИЗВОДСТВА В БЕССВИНЦОВОМ ИСПОЛНЕНИИ В АППАРАТУРЕ КОСМИЧЕСКОГО АППАРАТА. , Антимиров оценки эффективности отработочной позиции су РКТ.13Перерыв на обед
, , МЕТОДИКА ОТБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ДИАГНОСТИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ. , , MACC-CПЕКТРОМЕТРИЧЕСКИЙ МЕТОД ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ПАРОВ ВОДЫ В ПОДКОРПУСНОМ ПРОСТРАНСТВЕ МИКРОСХЕМ. КОМПЛЕКС МКМ-1. , , СБИС ДЛЯ КОСМИЧЕСКИХ СИСТЕМ С ДЛИТЕЛЬНЫМИ СРОКАМИ АКТИВНОГО ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ РАЗРАБОТКИ НИИСИ РАН. МИКРОСХЕМЫ ШЕСТИКАНАЛЬНОГО 16-РАЗРЯДНОГО АЦП. , РАЗРАБОТКА МИКРОСХЕМЫ СтОЗУ 16 Мбит С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ КОМПЛЕКТУЮЩИХ ИЗДЕЛИЙ ИНОСТРАННОГО ПРОИЗВОДСТВА ». , , МИКРОСХЕМЫ ИМПУЛЬСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НАПРЯЖЕНИЯ ДЛЯ СТАБИЛИЗИРОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ. , , ПРОГРАММНО-АППАРАТНЫЕ КОМПЛЕКСЫ РЕАЛЬНОГО ВРЕМЕНИ НОВОГО ТИПА ДЛЯ МОНИТОРИНГА И ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОСТОЯНИЯ ОРГАНИЗМА. , , ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ ДЛЯ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОГО ТРЕНАЖЁРА ПО ВОССТАНОВЛЕНИЮ ОПОРНО-ДВИГАТЕЛЬНОЙ СИСТЕМЫ ЧЕЛОВЕКА. НЕОБХОДИМОСТЬ И МЕТОДОЛОГИЯ ОЦЕНКИ ТОЧНОСТИ НАНОДИНАМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ПРИ УПРАВЛЯЕМОМ ЧАСТОТНОМ МОСТОВОМ RC-ПРЕОБРАЗОВАНИИ НА ГОРНО-ПРОМЫШЛЕННЫХ ОБЪЕКТАХ.13 сентября 2013 г.
10.00. Направления 1, 7
ННГУ им. (пр. Гагарина, 23, корп. 2, Актовый зал)
, , Якимов и электронные свойства квантовых точек Ge в матрице Si — моделирование на супер-ЭВМ.2. ПРОБЛЕМЫ ПОДГОТОВКИ СПЕЦИАЛИСТОВ В ОБЛАСТИ АКУСТОЭЛЕКТРОНИКИ В ВЫСШЕЙ ШКОЛЕ
3. , СИСТЕМА ОЦЕНКИ КАЧЕСТВА ПОДГОТОВКИ СПЕЦИАЛИСТОВ В ОБЛАСТИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ В СОВРЕМЕННЫХ УСЛОВИЯХ.
11Перерыв на чай/кофе
4. , НАНОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ АЛЮМООКСИДНОЙ ТЕХНОЛОГИИ.
5. ЗАКОНЫ ИЗЛУЧЕНИЯ В ТРЕХМЕРНОМ ПРОСТРАНСТВЕ.
6. , ,. , , ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ СОЗДАНИЯ МОЗАИЧНЫХ НЕОХЛАЖДАЕМЫХ МИКРОБОЛОМЕТРИЧЕСКИХ ПРИЕМНИКОВ ИНФРАКРАСНОГО И ТЕРАГЕРЦОВОГО СПЕКТРАЛЬНЫХ ДИАПАЗОНОВ ФОРМАТОМ ДО 3072×576 И БОЛЕЕ.
7. , , УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ПО ПРОЕКТИРОВАНИЮ СБИС.
10.00. Направление 2
ННГУ им. (пр. Гагарина, 23, корп. 2, Зал научных демонстраций)
Председатель секции: чл-корр РАН
, , ПРОГРАММА ФИЗИКО-ТОПОЛОГИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ В ПЕРСПЕКТИВНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ С УЧЕТОМ РАДИАЦИОННОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ С РАСПАРАЛЛЕЛИВАНИЕМ ВЫЧИСЛЕНИЙ. , , РАЗРАБОТКА И ПРОИЗВОДСТВО КМОП БИС СОЗУ БОЛЬШОЙ ИНФОРМАЦИОННОЙ ЕМКОСТИ НА ОСНОВЕ КНИ СТРУКТУР. , , , В, К, , ПРОБЛЕМЫ И ОСОБЕННОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПРИ РАЗРАБОТКЕ РАДИАЦИОННО СТОЙКОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ.11Перерыв на чай/кофе
, , РЕЗУЛЬТАТЫ СРАВНИТЕЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ ДОЗОВЫХ ЭФФЕКТОВ C ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ИСТОЧНИКОВ ГАММА И РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЙ. , , РЕШЕНИЕ ПРИКЛАДНЫХ ЗАДАЧ КУЛОНОМЕТРИЧЕСКИМ МЕТОДОМ В РАДИАЦИОННЫХ ЭКСПЕРИМЕНТАХ С БИС ТЕХНОЛОГИИ КМОП/КНД , , ИЗУЧЕНИЕ ВОЗМОЖНОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ СУБ-100 НМ ТЕХНОЛОГИЙ ДЛЯ КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТОВ С ДЛИТЕЛЬНЫМИ СРОКАМИ АКТИВНОГО ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ.13Перерыв на обед
10.00. Направления 3, 6
НГТУ им. (ул. Минина, д. 24, корп. 1, ауд. 313)
Сопредседатели секции:
чл-корр РАН , чл-корр РАН
, , РОССИЙСКИЕ УНИВЕРСАЛЬНЫЕ МИКРОПРОЦЕССОРЫ «ЭЛЬБРУС»: РЕШЕНИЯ, СООТВЕТВУЮЩИЕ ПЕРЕДОВЫМ МИРОВЫМ ТЕНДЕНЦИЯМ. , , , , , , МОЩНЫЙ СВЧ-ФОТОДИОД ДЛЯ СИСТЕМ РАДИОЛОКАЦИИ И РАДИОСВЯЗИ. интегральный Доплеровский метод ИЗМЕРЕНИЯ УГЛОВЫХ КООРДИНАТ В ПРОСВЕТНЫХ РАДИОЛОКАТОРАХ.11.3Перерыв на чай/кофе
, ПРОБЛЕМЫ И РЕШЕНИЯ КОМПЛЕКСНОЙ МИНИАТЮРИЗАЦИИ УСТРОЙСТВ СВЧ И КВЧ ДИАПАЗОНОВ. , , ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ С ФРАКТАЛЬНЫМ ИМПЕДАНСОМ: ОТ ТЕОРИИ К ПРАКТИКЕ. , , РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА МЭМС-АКСЕЛЕРОМЕТРА И ЕГО СХЕМОТЕХНИЧЕСКАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ.10.00. Направления 5, 8
НИРФИ (/12a, конференц-зал)
Сопредседатели секции: проф. , проф.
СХЕМОТЕХНИКА ИНТЕГРАЛЬНЫХ МОДУЛЕЙ СО СВЕТОДИОДНЫМИ МАТРИЦАМИ ДЛЯ РАСТРОВЫХ ФОТОПЛОТТЕРОВ И ДИСПЛЕЕВ. , , ВОПРОСЫ ОБЕСПЕЧЕНИЯ КАЧЕСТВА ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ, ПРИМЕНЯЕМОЙ В КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТАХ. , , ПРИМЕНЕНИЕ СВЧ ТЕХНОЛОГИИ СВЕРХНИЗКОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ И ОЗОНИРОВАНИЯ В СЕЛЬСКОМ ХОЗЯЙСТВЕ.11Перерыв на чай/кофе
, ПРОБЛЕМЫ СЕРТИФИКАЦИИ ЭЛЕКТРОРАДИОИЗДЕЛИЙ ИНОСТРАННОГО ПРОИЗВОДСТВА И ПУТИ ИХ РЕШЕНИЯ. ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ ЭКБ ОТЕЧЕСТВЕННОГО ПРОИЗВОДСТВА В КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТАХ РАЗРАБОТКИ .14 сентября 2013 г.
ННГУ им. (пр. Гагарина, 23, корп. 2)
10.00 – 13.00 Круглые столы на темы:
Актовый зал
– Концептуальное проектирование новых научно-технических программ Союзного государства в области развития элементной базы отечественной радиоэлектроники
Вводный доклад: ИННОВАЦИОННЫЙ ПОДХОД К РЕШЕНИЮ ПРОБЛЕМ ОТЕЧЕСТВЕННОЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ ПРОГРАММЕ СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА «МИКРОСИСТЕМОТЕХНИКА»
(зам. директора (Санкт-Петербург) по научной работе
к. т. н. )
Зал научных демонстраций
– Анализ импортозамещения наиболее емких сегментов отечественного рынка электронных компонент
Вводный доклад:
(представитель «Cозвездие» (Воронеж))
Малый актовый зал
– Анализ влияния уровня развития микроэлектроники на вооружённую борьбу в сетецентрических войнах
Вводный доклад:
(генерал-майор в запасе , Центр информационных технологий РАРАН (Москва))
13.00 – 14.00 Обед
Актовый зал
14.00 – 17.00 Закрытие конференции
Регистрация участников конференции, прибывших с 12 по 14 сентября —
в Малом актовом зале корп. 2 ННГУ им. (пр. Гагарина, 23)
