Основные вопросы курса ФОЭ

Основные вопросы курса ФОЭ

Основные вопросы курса ФОЭ.

1  Определение и классификация электронных приборов. Этапы развития ЭП.

2  Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность.

3  Диффузионные и дрейфовые токи в полупроводнике.

4  Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование jк и потенциальная диаграмма. Толщина p-n перехода.

5  Прямое и обратное включение p-n перехода. Физические процессы. Потенциальные диаграммы. Толщина p-n перехода.

6  Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы.

7  Отличия характеристик реальных ПП диодов от ВАХ идеального p-n перехода и чем они обусловлены.

8  Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов.

9  Отличия ВАХ диодов из Германия и кремния.

10. Влияние температуры на характеристики ПП диодов из Германия и кремния.

11. Выпрямительные ПП диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.

12. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.

13. Импульсные диоды. Особенности работы. Параметры.

14. Стабилитрон. ВАХ. Основные параметры. Применение. Схема включения.

15. Варикап. Принцип работы. Вольт - фарадная характеристика. Параметры. Схема включения.

16 Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ)

17 Основные режимы работы БТ и схемы включения.

18 Уравнения коллекторных токов для схем включения с ОБ и ОЭ. Коэффициенты передачи тока, их соотношения

19. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.

20. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОЭ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.

21 Рабочая область выходных характеристик БТ. Влияние температуры на рабочую область характеристик.

22 Дифференциальные H - параметры БТ. Уравнение 4х-полюсника. Определение H - параметров по характеристикам БТ.

23 Эквивалентная схема БТ в системе H - параметров и физическая T - образная эквивалентная схема

24. Зависимость Н-параметров БТ от частоты.

25 Устройство и принцип работы ПТ с управляющим p-n переходом. Схемы включения. Характеристики

26 Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схемы включения. Характеристики

27. Устройство и принцип работы МДП транзисторов с индуцированным каналом. Схемы включения. Характеристики.

28 Дифференциальные параметры ПТ. Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам

29 Эквивалентная схема полевого транзистора.

30 Зависимость характеристик полевого транзистора от температуры.

Основные вопросы курса ФОЭ

1. Определение и классификация электронных приборов (ЭП). Этапы развития ЭП.

2. Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводимость.

3. Диффузионные и дрейфовые токи в полупроводнике.

4. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование jк и потенциальная диаграмма. Толщина p-n перехода.

5. Прямое и обратное включение p-n перехода. Физические процессы. Потенциальные диаграммы. Толщина p-n перехода.

6. Отличия ВАХ идеального и реального p-n переходов и чем они обусловлены.

7. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы.

8. Отличия ВАХ диодов из Германия и кремния.

9. Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов.

10. Характеристики ПП диодов из Германия и кремния. Влияние температуры.

11. Выпрямительные ПП диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.

12. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.

13. Импульсные диоды. Особенности работы диодов в импульсном режиме. Параметры.

14. Стабилитрон. ВАХ. Основные параметры. Применение. Схема включения.

15. Варикап. Принцип работы. Вольт - фарадная характеристика. Параметры. Схема включения.

16. Светодиод. Принцип действия. Основные характеристики. Параметры.

Схема включения.

17. Фотодиод. Принцип действия. Режим работы. Характеристики. Параметры. Схема включения. Применение.

18. Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).

19. Основные режимы работы БТ и схемы включения.

20. Распределение токов БТ. Уравнения коллекторных токов для различных схем включения. Коэффициенты передачи тока, их соотношения.

21. Входные и выходные характеристики БТ в схемах с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.

22. Входные и выходные характеристики БТ в схемах с ОЭ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.

23. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.

24. Рабочая область выходных характеристик БТ. Влияние температуры на рабочую область характеристик.

25.Дифференциальные H - параметры БТ. Уравнение 4х-полюсника. Формулы для определения H - параметров в схемах с ОБ и ОЭ.

26. Определение H - параметров по характеристикам БТ.

27. Эквивалентная схема БТ в системе H - параметров и физическая T - образная эквивалентная схема.

28. Зависимость Н-параметров БТ от частоты.

29. Методы улучшения частотных свойств. Дрейфовый транзистор.

30. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический метод определения параметров усиления.

31. Аналитический расчет параметров усилительного режима.

32. Импульсный режим работы БТ. Схема, принцип действия, причины искажения импульсов, основные параметры и характеристики.

33. Устройство и принцип работы ПТ с управляющим p-n переходом. Схема включения. Характеристики.

34. Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.

35. Устройство и принцип работы МДП транзисторов с индуцированным каналом. Схема включения. Характеристики.

36. Влияние температуры на передаточную, выходную характеристики ПТ и рабочую область.

37. Дифференциальные параметры ПТ. Уравнение 4х-полюсника.

38. Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.

38. Низкочастотные и высокочастотные модели ПТ.

39. Частотные свойства ПТ и методы их улучшения.

40. Усилительный режим работы ПТ. Графический метод определения параметров усиления.

41. Устройство, принцип действия цифровых ключей на ПТ. Основные параметры и характеристики.

42. Принцип действия и особенности работы ПТ в качестве управляемого сопротивления.

43. Устройство и принцип работы динистора. ВАХ динистора и ее объяснение. Параметры. Применение.

44. Устройство и принцип работы тринистора. ВАХ тринистора и ее объяснение. Параметры. Применение.

45. Вакуумный диод. Устройство, характеристики и параметры.

46. Триод. Устройство. Принцип работы. Характеристики и параметры.

47. Тетрод. Устройство, характеристики и параметры.

48. Пентод. Устройство. Принцип работы. Характеристики и параметры.