Выпускная квалификационная работа «Разработка устройства управления лазерным диодом для передачи сигнала по одноволоконному оптическому кабелю со скоростью 2,048 Мбит/с» (стр. 3 )

- число разъемных соединений,

- потери на разъемных соединениях.

Подставляя значения в формулу (4.2) получаем :

Электронно-оптические модули должны работать при изменении температуры от -40 до 50 ºС и для обеспечения его нормальной работы используется встроенная схема термостабилизации. Однако, необходимо предусмотреть определенный допуск на потери, вызванные изменениями температуры окружающей среды . Эти потери примем 1 дБ.

дБ

Так как в нашей системе источником излучения и фотоприемником являются, соответственно лазерный диод и pin-фотодиод, то допуск на потери составляет 1,5 дБ.

дБ

Нужно также учесть температурное влияние на волокно. В нашем случае волокно должно эксплуатироваться в диапазоне от -40ºС до +50ºС. Примем эти потери равными 0,04 дБ/км. Тогда на протяжении всей линии длинной 8 км:

Общий дополнительный допуск по потерям рассчитывается по формуле:

, (4.3)

("19") где - допуск на потери по электронным компонентам, из-за изменений температуры окружающей среды,

- допуск на потери по волокну, из-за изменений температуры,

- допуск на потери связанные с ухудшением параметров ВОЛС со временем.

Подставляя значения в формулу (4.3) получаем:

Исходя из результатов предыдущих вычислений, можно найти суммарные потери в системе по формуле:

, (4.4)

где - величина суммарных потерь в системе передачи,

- величина суммарных потерь в волокне линии,

- суммарные потери на соединителях,

- допуск на ухудшение характеристик со временем и с изменением температуры.

Подставляя значения в формулу (4.4) получаем :

Рассмотрим параметры приемного оптического модуля. Для цифровых линий передачи, производители указывают непосредственно значение минимально допустимой оптической мощности при фиксированной величине BER. Для данного ПРОМ мощность равна дБм.

Зная величину суммарных потерь оптической мощности и мощности приемного оптического модуля, можно рассчитать значение мощности передающего модуля.

, (4.5)

Сделаем простые математические преобразования:

Подставив числовые значения, получим:

("20") ГЛАВА 5. ЛАЗЕРНЫЕ ДИОДЫ

Лазерные диоды обычно используются для линии связи большой длины или при большой скорости передачи (выше 155 Мбит/с). Существует несколько типов ЛД (все моды, рассмотренные ниже, продольные LM):

многомодовые (MLM) или с резонаторами Фабри-Перо; одномодовые (SLM); одномодовые с распределенной обратной связью (DFB), часто называемые DFB-лазерами; DFB-лазеры с внешним модулятором; лазеры с вертикальной резонаторной полостью и излучающей поверхностью (VCSEL).

Типы лазеров приведены в порядке их разработки, в этом же порядке они будут рассмотрены ниже.

5.1. Многомодовые (MLM) лазеры, или лазеры с резонаторами Фабри—Перо

Многомодовые лазеры, или лазеры с резонатором Фабри—Перо, излучают несколько мод, спектр которых приведен на рис. 5.1. Картина спектра демонстрирует наличие доминантной моды желаемой длины волны и боковые моды меньшей амплитуды, отделенные промежутками шириной примерно в 1 нм. При модуляции излучения лазера модулируется не только основная мода, но и, точно также, боковые моды. Полная ширина спектра оптического излучения такого лазерного источника на уровне половины от максимума (FWHM) при наличии модуляции равна 4-5 нм.

Более тщательное изучение спектра лазера показывает, что несмотря на относительную стабильность полной выходной мощности, мощность каждой отдельной моды может значительно изменяться. Это явление, известное как распределение мощности по модам, имеет важное практическое значение. Когда лазерный сигнал передается по волокну, то, с учетом групповой задержки (хроматической дисперсии), зависящей от длины волны, распределение мощности по модам приводит к возрастанию уровня шума в выходном сигнале. В результате в характеристике системы появляется не зависящий от мощности нижний уровень ошибок, который нельзя снизить путем выделения дополнительной мощности в бюджете системы. Для систем, работающих со скоростями передачи данных большими, чем несколько сотен Мбит/с, на волокне с малыми потерями, это явление может стать основным фактором, ограничивающим длину пролета секции. Более того, даже небольшие отражения (обратно в сторону лазера) от внешних поверхностей оптического разъема, могут вызвать значительные изменения в «поведении» при

распределении мощности по модам, а значит и в характеристиках самой системы.

Рис. 5.1. Спектр многомодовых лазеров, или лазеров с резонатором Фабри-Перо

Замечено, что имеется конечная вероятность того, что уровень четных мод, составляющих, в среднем, несколько процентов от общей мощности, может достичь больше половины общей мощности. В этом смысле было бы правильным определить эффективную ширину спектра лазера, как спектральный диапазон, в пределах которого моды, в среднем, могут переносить 1 или больше процентов общей мощности.

5.2. Одномодовые (SLM) лазеры

SLM-лазеры сконструированы так, что потери в резонаторе различны для его различных продольных мод, в противоположность тому, что имеет место для MLM, потери которых независимы от мод. В MLM-лазере продольная мода с минимальными резонаторными потерями достигает порога первой и становится доминантной модой. Другие соседние моды при этом дискриминируются, благодаря их более высоким потерям, которые удерживают нарастание мощности от спонтанного излучения. В этом случае мощность, переносимая этими «вторичными» модами, обычно низкого уровня, меньше 1% полной излучаемой мощности. Если SLM-лазер настроен правильно, то можно ожидать, что первая боковая мода по крайней мере на 30 дБ ниже, чем доминантная мода.

5.3. Полупроводниковый лазер с распределенной обратной связью

Структура DFB-лазера имеет встроенные возможности выбора длины волны благодаря механизму обратной связи. Обратная связь не локализована в одном месте, а распределена по длине резонаторной полости. Этот тип лазера содержит периодические дифракционные решетки между двумя слоями лазерной структуры (обычно между интерфейсной п-InP подложкой и «-InGaAsP слоями) для создания обратной связи на фиксированной длине волны, которая определяется шагом дифракционной решетки. Это соответствует периодическому изменению показателя преломления моды.

DFB-лазер очень чувствителен к оптической обратной связи, в особенности от оптических разъемов, которые служат интерфейсами между лазером и волокном основной линии связи. Даже относительно небольшая обратная связь (уровнем меньше, чем 0,1%) может дестабилизировать лазер и повлиять на характеристики системы. Так, например, если ширина линии увеличивается, то может произойти скачкообразное изменение моды и увеличение шума относительной интенсивности (RIN) — шума, генерируемого DFB-лазером). Можно предпринять ряд шагов, чтобы уменьшить интенсивность обратной связи или ослабить эффект от ее влияния. Один из таких шагов — использовать антиотражаюшие покрытия. Обратную связь можно также уменьшить путем скалывания кончика волокна под не большим углом, так чтобы отраженный свет не попал на активную область такого лазера. Еще один, более радикальный, шаг состоит в том, чтобы установить изолятор между лазером и интерфейсом оптического разъема.

("21") Важным параметром DFB-лазера является коэффициент подавления моды (MSR). При проектировании таких типов полупроводниковых лазеров основная цель состоит в ослаблении побочных продольных мод и получении максимально возможной мощности доминантной моды (рис. 5.1). Можно ожидать значение MSR на уровне > 30 дБ для DFB-лазера непрерывного излучения. Наш интерес здесь в том, чтобы передать световой сигнал лазером с одиночной и узкой спектральной линией (т. е. с доминантной модой). При идеальных условиях от таких лазеров можно ожидать ширины полосы на уровне половинной мощности (FWHM) порядка 0,2 нм (порядка 25 ГГц). Если DFB-структура для улучшения ширины линии, генерируемой лазером, комбинируется со структурой MQW, то ширина линии может быть уменьшена до сотен кГц. Если же ширина линии становится больше, возрастает хроматическая дисперсия. Это в высшей степени нежелательно для систем со скоростями передачи выше 1 Гбит/с. DFB-лазеры имеют самую узкую спектральную линию излучения среди всех известных типов лазеров на рынке. Они практически всегда используются в системах, работающих с длинными и сверхдлинными пролетами секций.

DFB-лазер — очень дорогое устройство, хотя и жизненно важное для ВОСП. Чтобы быть уверенным в оптимальной работе DFB-лазера и мони-торить его, можно добавить несколько компонентов при его сборке. Например, фотодиод (PIN-диодный приемник) для мониторинга его выхода; термоэлектрический охладитель (ТЕС), который управляет температурой интегральной схемы лазера; схему обратной связи, управляющую его выходом и поддерживающую желаемую частоту. Идеальная температура ИС лазера равна 25°С.

Схема DFB-лазера представлена на рис. 5.2.

Рис. 5.2. Схема DFB-лазера.

5.4. DFB-лазеры с внешним модулятором

До сих пор мы изучали, или, по крайней мере, упоминали, оптические источники с непосредственной модуляцией, так называемой модуляцией интенсивности. Принципиально, все, что мы делаем — это включаем и выключаем лазер, где включение соответствует двоичной 1, а выключение двоичному 0. Фактически же лазер никогда не выключается полностью. Эквивалент такого выключения — это точка на рабочей характеристики лазера, чуть выше порога (т. е. при очень малой выходной мощности) или чуть ниже порога. Установка такого порога важна для уменьшения «чирпа» (линейной частотной модуляции — ЛЧМ).

Другой подход в формировании двоичных 1 и 0 — это использовать оптический модулятор. Концепции использования непосредственной модуляции и оптического (внешнего) модулятора представлены на рис. 5.3. Заметьте, что оптический модулятор расположен между лазерным источником несушей волны (CW) и выходным интерфейсом волокна. Источник CW — это источник света, который всегда включен, т. е. находится в рабочем состоянии с определенным заданным уровнем мощности на выходе. Оптические модуляторы являются интегральными устройствами, спроектированными для управления уровнем непрерывной оптической мощности, передаваемой оптическому волноводу. Они работают как затворы; затвор закрыт для двоичного 0 и открыт для двоичной 1. Обычно выделяют три типа модулятора:

1 - Маха-Цендера (M-Z);

2-е использованием электрической рефракции;

3-е использованием электрической абсорбции (полупроводниковые) MQW.

Модулятор Маха—Цендера (М—Z) представляет собой интерферометр, использующий волноводы на основе ниобата лития LiNbO3 или конфигурацию направленного разветвителя. Волноводы М—Z-модулятора имеют конфигурацию Y-разветвителя. Коэффициент преломления такого материала как LiNbO3 может изменяться под действием приложенного внешнего напряжения. В отсутствие внешнего напряжения, оптическое/электромагнитное поле в двух рукавах М—Z-модулятора (на выходе модулятора) имеет одинаковый сдвиг фаз и интерференция синфазна.

Рис. 5.3. Иллюстрации концепций лазерного (DFB) передатчика с непосредственной модуляцией (а) и того же лазера, использующего внешний модулятор (б).

Дополнительный фазовый сдвиг, вносимый в одном из рукавов за счет изменения коэффициента преломления, вызванного приложенным напряжением, нарушает эту синфазность интерференционной картины и уменьшает мощность сигнала передатчика на выходе. В частности, наблюдается полное отсутствие света на выходе, если вносимый фазовый сдвиг между двумя рукавами будет равен р, учитывая противофазный характер интерференции. В результате такого механизма действия, электрический поток бит, поданный на модулятор, создаст оптическую копию потока бит на выходе.

Характеристики внешнего модулятора численно описываются так называемым коэффициентом ослабления сигнала (ER) — отношением уровней сигнала при включенном и выключенном состояниях и модуляционной шириной полосы. Модуляторы на основе ниобата лития обеспечивают ER порядка 20 дБ и могут осуществлять модуляцию потока со скоростями до 75 Гбит/с.

Модуляторы изготавливаются из электрооптических полимеров. На них достигнута модуляция потоков с предельной скоростью порядка 60 Гбит/с. Такие модуляторы часто интегрируются с электронными схемами привода (драйверами) модулятора.

Другой тип модулятора изготавливается на основе полупроводников. К ним относятся модуляторы, использующие электроабсорбцию. Эта технология использует эффект Франца—Келдыша, в соответствии с которым ширина запретной зоны полупроводника уменьшается, если к нему прикладывается поперечное электрическое поле. В этом случае прозрачный полупроводниковый слой начинает абсорбировать (поглощать) свет, когда ширина его запретной зоны уменьшается под действием приложенного внешнего напряжения. Это происходит в тот момент, когда энергия фотона превысит энергетический барьер запрещенной зоны. Учитывая, что эффект электроабсорбции проявляется сильнее в MQW-структурах, они и выбираются для использования в таких модуляторах. Для них коэффициент ослабления сигнала ER составляет 15 дБ и выше при напряжении смещения порядка 2 В, а реализуемая при этом скорость передачи достигает нескольких Гбит/с. Так, при скорости 5 Гбит/с была достигнута передача с низким уровнем «чирпа». Этот тип модуляторов используется в ВОСП при скоростях передачи порядка 20 Гбит/с, а в некоторых экспериментах были продемонстрированы скорости до 60 Гбит/с.

5.5. Лазер с вертикальной резонаторной полостью и излучающей поверхностью (VCSEL)

Для функционирования лазеров типа MLM (Фабри—Перо), SLM и DFB требуется ток порядка нескольких десятков миллиампер. Кроме того, его выходной (расходящийся) луч, подаваемый на стык с круглым оптоволокном, имеет в поперечном сечении эллипс с коэффициентом сжатия 3:1. Такой луч плохо стыкуется с цилиндрической формой луча, который сердцевина оптоволокна способна принять. Нецилиндрический луч часто требует дополнительной оптики, чтобы состыковать его с круглым поперечным сечением сердечника оптоволокна. Лазер типа VCSEL излучает столь желательный круговой луч.

("22") Лазер типа VCSEL представляет собой вертикальную структуру из ряда слоев p-типа, активной области, и ряда слоев n-типа. Число слоев зависит от желаемой длины волны излучения. Указанные наборы слоев охватывают отражатели Брэгга, которые изготавливаются из комбинации In+Ga+As+(A1 или Р). Например, комбинация In+Ga+As+P используется для лазеров в окне длин волн нм. Требуемые слои изготавливаются методом эпитаксиального выращивания на основе пленарной технологии.

Лазеры типа VCSEL работают в одномодовом (продольная мода) режиме, используя резонатор исключительно малой длины (порядка 1 мкм), для которого разнесение мод превышает полосу частот усиления. Они излучают свет в направлении перпендикулярном плоскости активного слоя, аналогично тому, как это делается в СИД с излучающей поверхностью. Работа такого лазера в одномодовом (поперечная мода) режиме может быть реализована путем уменьшения диаметра VCSEL до 2-3 мкм. Выходная мощность и ширина полосы лазеров типа VCSEL, как правило, ниже, чем аналогичные показатели DFB-лазеров, и VCSEL находит применение как в ВОСП, так и в локальных сетях. Их стоимость относительно низка по сравнению с DFB-лазерами, например. Другим применением VCSEL является лазерные массивы, где каждый лазер работает на своей длине волны, что идеально подходит для WDM-систем. Схема структуры VCSEL-лазера приведена на рис. 5.4.

Рис. 5.4. Схема структуры VCSEL-лазера.

Исходя из полученных результатов (Глава 4) мощности источника, выбран полупроводниковый лазер с распределенной обратной связью LFO-14 с рабочим током лазера

ГЛАВА 6. СХЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНЫМ ДИОДОМ

6.1. Описание работы схем управления

Передатчик состоит из параллельно - последовательного преобразователя с синтезатором синхроимпульсов (который зависит от системной установки и скорости передачи информации в битах), драйвера и источника оптического сигнала.

Все полупроводниковые лазерные диоды, используемые для прямой модуляции, обычно имеют потребность в постоянном токе смещения, чтобы установить рабочую точку и ток модуляции для передачи сигнала. Величина тока смещения и тока модуляции зависит от характеристики лазерного диода и может отличаться от типа к типу и друг от друга у одного типа. Диапазон изменения этих характеристик со временем и температурой должен учитываться при проектировании блока передатчика. Особенно это касается экономически более выгодных неохлаждаемых типов полупроводниковых лазеров. Отсюда следует, что драйвер лазера должен выдавать ток смещения и ток модуляции в диапазоне достаточном, чтобы разные оптические передатчики с широким выбором лазерных диодов могли работать в течение длительного времени и при разной температуре.

Для компенсации ухудшающихся характеристик лазерного диода используют устройство автоматического управления энергией (APC). Здесь используется фотодиод, который преобразовывает световую энергию лазера в пропорциональный ток и подает его в драйвер лазера. Исходя из этого сигнала, драйвер выдает ток смещения в лазерный диод, чтобы световая мощность оставалась постоянной и соответствовала первоначально установленной. Так поддерживается амплитуда оптического сигнала. Фотодиод, который находится в схеме APC, также может использоваться при автоматическом управлении модуляцией (АМС).

Дополнительно к указанным функциям система должна быть способной останавливать лазерные передачи, блокируя драйвер, но прием данных на входе при этом не должен прерываться.

Добавив триггер или защелку (как часть лазерного драйвера или параллельно - последовательного преобразователя), эффективность колебания может быть улучшена восстановлением синхронизации этого потока данных прежде, чем он достигнет выхода драйвера лазерного диода. Восстановление синхронизации и преобразование в последовательную форму требуют синхроимпульсы, которые должны синтезироваться. Этот синтезатор также может быть интегрирован в параллельно-последовательный преобразователь и, обычно, включает схему фазовой автоподстройки частоты. Синтезатор должен гарантировать передачу данных при возможно низком колебании. В результате, синтезатор играет ключевую роль в передатчике оптической системы связи.

6.2. Схема передающего оптического модуля

На Рис. 6.1. представлен один из вариантов возможной реализации схемы управления лазерным диодом. Чтобы понять как она работает, рассмотрим её более детально.

Блок 1 с микросхемой D1 отвечает за формирование сигнала прямоугольной формы с амплитудой, достаточной для управления Лазерным диодом (усилитель мощности). Также в этом блоке реализовано питание микросхемы.

Блоки 2 и 3 обеспечивают стабилизацию рабочей точки лазера.

D23 формирует сигнал неисправности лазера.

Рис 6.1. Передающий оптический модуль.

("23")

Данная схема имеет значительные размеры, сложна в изготовлении, и, по всей видимости, потребляет значительную мощность, поэтому были рассмотрены альтернативные варианты систем управления, которые выпускает компания MAXIM. Для управления лазерным диодом целесообразно использовать микросхему MAX 3668.

6.3. Схема передающего оптического модуля на базе микросхемы MAX 3668

Основной задачей (MAX 3668) является подача тока смещения и модулирующего тока для прямого модулирования лазерного диода. Внутреннее, температурно-стабилизированное опорное напряжение гарантирует стабильные токи смещения и модуляции.

Чтобы не повредить MAX 3668, выводы BIASSET, MODSET и APCSET не надо заземлять. Внутренняя цепь защиты ограничивает суммарный выходной ток примерно 150 мA. Для работы MAX 3668 достаточно одного источника питания 3,3В.

Рис 6.2. Микросхема MAX 3668

На Рис.6.2 показано внутреннее устройство микросхемы MAX 3668. Если сравнить Рис.6.1 и Рис.6.2 можно легко увидеть, как реализованы Блок 1,2 и 3, а так же детектор неисправности лазера. Использование микросхемы для управления Лазерным диодом представлено на рис.6.3.

Рис 6.3. Передающий оптический модуль на базе микросхемы MAX 3668.

Резисторы R-1 – R-4 определяют смещение для входного каскада. Резисторы R - - R+ служат для создания необходимого тока через лазерный диод. Резисторы Rd, Rfilt, конденсатор Cfilt предназначены для коррекции параметров лазерного диода. Типовые значения приведены в рекомендации на MAX3668.

6.4. Расчет потребляемых мощностей

Давайте сначала рассчитаем потребляемую мощность для схемы на рисунке 6.1:

Для расчета потребляемой мощности нам потребуется ряд формул:

(6.1)

где,

P – потребляемая мощность,

U – напряжение,

I – суммарный ток.

И закон Ома, для расчета тока:

("24") (6.2)

Известно, что

ток источника равен: ток лазерного диода равен: коэффициент V1 равен:

Рассчитаем входное сопротивление для Блока 1

тогда входной ток равен:

Рассчитаем ток в резисторах R10 и R11,

тогда суммарный ток входного каскада равен

Ток базы V1, можно рассчитать по формуле:

тогда ток всего каскада V1 равен

Теперь можно рассчитать суммарный ток всей схемы:

Тогда по формуле 6.1 можно рассчитать потребляемую мощность всей схемы, и она равна:

("25")

А теперь рассчитаем потребляемую мощность для схемы на рисунке 6.3:

Для расчета потребляемой мощности нам потребуется ряд формул:

(6.1)

где,

P – потребляемая мощность,

U – напряжение,

I – суммарный ток.

И закон Ома, для расчета тока:

(6.2)

Известно, что

ток микросхемы MAX 3668 равен: ток лазерного диода равен:

Рассчитаем входное сопротивление

тогда входной ток равен:

Теперь можно рассчитать суммарный ток всей схемы:

Тогда по формуле 6.1 можно рассчитать потребляемую мощность всей схемы, и она равна:

("26")

6.4. Анализ полученных результатов

В ходе анализа двух схем управления лазерным диодом по их техническим характеристикам, оказалось, что схема на рис 6.1 имеет не только значительные размеры, но и большую потребляемую мощность:

Схема MAX 3668 (рис 6.3) имеет не только компактный размер, но и потребляемую мощность в 1,5 раза меньше:

Поэтому схема управления MAX 3668 наиболее оптимальна.

6.5. Расчет элементов схемы передающего модуля на базе MAX3668

В Главе 4.2. был выбран лазерный диод LFO-14. Его характеристики приведены в таблице 3.

Таблица 3.

Параметр	LFO-14
Длина волны излучения, мкм	1.3
Полуширина спектра излучения, нм	1
Пороговый ток, мА	5
Рабочий ток, мА	45
Управляющий фототок, мкА	500

Исходя из данных, представленных в таблице 3. можно определить сопротивления: RAPCSET, RMODSET, RBIASMAX.

Определение RAPCSET.

Зная управляющий фототок, IMD = 500 мкА, можно из графика (рис 6.4) определить значение RAPCSET. RAPCSET = 2.2 кОм.

("27")

Рис 6.4. График RAPCSET

Определение RMODSET.

Значение рабочего тока: IMOD = 45 мА

По графику (рис 6.5) определяем:

Рис 6.5. График RAMODSET

RMODSET = 7 кОм

Определение RBIASMAX.

Значение порогового тока также известно: IBIAS = 15 мА

По графику (рис 6.6) определяем, что, RBIASMAX = 3.1 кОм

Рис 6.5. График RBIASMAX

ГЛАВА 7. ЭКОНОМИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ

7.1. Схема передающего оптического модуля

Для начала рассчитаем смету затрат на разработку и себестоимость изделия для схемы рис 6.1 (гл. 6.)

7.1.1. Расчет сметы затрат на разработку

В состав сметной стоимости разработки входят следующие статьи затрат:

• материалы, покупные изделия и полуфабрикаты;

• специальное оборудование для проведения разработки;

("28") • основная заработная плата разработчиков;

• дополнительная заработная плата;

• отчисления на социальные нужды;

• затраты на электроэнергию для технологических целей;

• контрагентские работы;

• прочие затраты;

• накладные расходы

Стоимость покупных изделий, полуфабрикатов (CМ) оценивается по действующим рыночным ценам с учетом величины транспортно-заготовительных расходов по формуле

CМ = Nnj Цnj KТЗ (7.1)

где m - номенкларура примененных покупных изделий и полуфабрикатов;

Nnj – количество покупных изделий, полуфабрикатов j-го вида;

Цnj – цена покупного изделия, полуфабриката j-го вида, руб.

KТЗ - величина транспортно-заготовительных расходов, KТЗ =(1,03...1,05)

Затраты занесены в таблицу 4:

Таблица 4.

№	Наименование покупных изделий, полуфабрикатов	Ед. Измер-я	Кол-во	Цена единицы (руб.)	Сумма (руб.)	Коэффициент транспортно-заготовитель-ных расходов	Итого матер. затрат (руб.)
1	Кварц. генератор	Шт.	1	1160	1160	1,05	1218
2	Кварц. резонатор	Шт.	1	58	58	1,05	60,9
3	Резисторы	Шт.	23	0,53	12,34	1,05	12,95
4	Конденсаторы	Шт.	12	3,63	43,62	1,05	45,8
5	Схема управления	Шт.	1	136,3	136,3	1,05	143,1
6	Розетка	Шт.	2	150	300	1,05	315
7	Корпус	Шт.	1	3500	3500	1,05	3675
8	Аккумулятор	Шт.	1	7000	7000	1,05	7350
9	Картридж	Шт.	1	500	500	1,05	525
10	Бумага	пачка	1	100	100	1,05	105
11	Ручка	Шт.	5	8	40	1,05	42
	Итого	Шт.	49				13492

("29") • Амортизационные отчисления наличного оборудования рассчитывается по формуле