Исследование свойств фоторезистора

Министерство образования и науки РФ

Федеральное агентство по образованию

НГТУ

Кафедра общей физики

Лабораторная работа №43

ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ФОТОРЕЗИСТОРА

Факультет: АВТФ Преподаватель:

Группа: АВТ-910

Студенты: Афонин Кирилл

Соловьев Никита

Чудимов Константин

Новосибирск 2011

  I.  Цель работы

Изучение физических свойств и определение параметров полупроводникового и металлического терморезисторов.

  II.  Таблица измерительных приборов

Название	Система	Номер установки	Класс точности	Предел измерения	Цена деления	Доверительная погрешность
Амперметр	-	-	-	20 мкА	0.01мкА	0.01 мкА
Вольтметр	-	-	-	200 В	0.1 В	0.1 В

  III.  Исходные данные и рабочие формулы

Т=300К

  IV.  Электрические схемы

  V.  Таблица измерений

T = 300 K

Полупроводник Металл

I, мА	U, В
0.6	0.35
1.28	0.75
1.90	1.13
2.11	1.24
2.42	1.44
2.90	1.72
3.02	1.78
3.30	1.95

I, мА	U, В
0.30	0.32
0.82	0.89
1.15	1.19
1.51	1.62
1.81	1.99
2.05	2.21
2.31	2.48
2.58	2.87

R, Ом	U, В	Т, К
1110	2.22	300
1165	2.33	310
1210	2.42	320
1260	2.52	330
1290	2.58	340
1330	2.66	350
1370	2.74	360
1415	2.83	370
1450	2.90	380
1490	2.98	390

I = 2 mA

  VI.  Расчет

  VII.  Графики

  VIII.  Вывод

Мы изучили физические свойства полупроводникового и металлического терморезисторов и определили их параметры.