Министерство образования и науки РФ
Федеральное агентство по образованию
НГТУ
Кафедра общей физики
Лабораторная работа №42
ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ФОТОРЕЗИСТОРА
Факультет: АВТФ Преподаватель:
Группа: АВТ-910
Студенты: Афонин Кирилл
Соловьев Никита
Чудимов Константин
Новосибирск 2010
I. Цель работы
Ознакомиться с принципом работы фоторезистора, исследовать его основные характеристики, оценить ширину запрещенной зоны полупроводника, из которого сделан фоторезистор.
II. Таблица измерительных приборов
Название | Система | Номер установки | Класс точности | Предел измерения | Цена деления | Доверительная погрешность |
Амперметр | - | - | - | 20 мкА | 0.01мкА | 0.01 мкА |
Вольтметр | - | - | - | 200 В | 0.1 В | 0.1 В |
 |
III. Исходные данные и рабочие формулы
IV. Электрические схемы
V. Таблица измерений
I, мкА | U, В |
2.2 | 0.6 |
11.3 | 3.0 |
20.0 | 5.0 |
32.3 | 8.0 |
42.4 | 10.0 |
64.9 | 14.0 |
86.7 | 18.0 |
98.6 | 20.0 |
110.5 | 22.0 |
123.9 | 23.8 |
I, мкА | U, В |
1.4 | 0.6 |
7.1 | 3.0 |
11.4 | 5.0 |
20.0 | 8.0 |
25.2 | 10.0 |
38.7 | 14.0 |
58.8 | 18.0 |
72.5 | 20.0 |
83.4 | 22.0 |
96.6 | 23.8 |
J1/J0 = 1.030 J2/J0 = 0.702
U1= 10 В U2= 20 В
I, мкА | J |
18.2 | 0.006 |
19.0 | 0.150 |
23.1 | 0.316 |
28.1 | 0.512 |
35.6 | 0.707 |
44.3 | 0.901 |
52.3 | 1.100 |
51.8 | 1.200 |
68.2 | 1.560 |
I, мкА | J |
46,6 | 0.006 |
39.4 | 0.150 |
45.0 | 0.316 |
58.7 | 0.512 |
77.5 | 0.707 |
97.6 | 0.901 |
112.4 | 1.100 |
116.3 | 1.200 |
157.9 | 1.560 |
U= 10 В
J= 0.708
λ , нм | IНАС(λ) , мкА |
430 | 36.6 |
470 | 80.9 |
565 | 460.0 |
590 | 347 |
660 | 229 |
700 | 186.7 |
880 | 21.7 |
940 | 21.1 |
VI. Расчет
VII. Графики
VIII. Вывод
