Партнерка на США и Канаду по недвижимости, выплаты в крипто
- 30% recurring commission
- Выплаты в USDT
- Вывод каждую неделю
- Комиссия до 5 лет за каждого referral
Министерство здравоохранения Российской Федерации
Ярославская государственная медицинская академия
Медицинская физика
“ Фотоэффект. Виды фотоэффекта”
Составил: студент 5й группы
первого курса
лечебного факультета
2003 г.
Фотоэффект и его виды.
В 1887 году обнаружил явление, впоследствии названное фотоэффектом. Его суть он определил в следующем:
Если свет от ртутной лампы направить на металл натрий, то с его поверхности будут вылетать электроны.
Современная формулировка фотоэффекта иная:
При падении световых квантов на вещество и при их последующем поглощении в веществе будут частично или полностью освобождаться заряженные частицы.
Другими словами при поглощении световых фотонов наблюдается:
1. Эмиссия электронов из вещества
2. Изменение электропроводности вещества
3. Возникновение фото-ЭДС на границе сред с различной проводимостью (например, металл-полупроводник)
В настоящее время существует три вида фотоэффекта:
1. Внутренний фотоэффект. Заключается в изменении проводимости полупроводников. Он используется в фоторезисторах, которые применяются в дозиметрах рентгеновского и ультрафиолетового излучения, также используется в медицинских приборах (оксигемометр) и в пожарной сигнализации.
2. Вентильный фотоэффект. Заключается в возникновении фото-ЭДС на границе веществ с разным типом проводимости, в результате разделения носителей электрического заряда электрическим полем. Он используется в солнечных батареях, в селеновых фотоэлементах и датчиках, регистрирующих уровень освещенности.
3. Внешний фотоэффект. Как уже говорилось ранее, это процесс выхода электронов из вещества в вакуум под действием квантов электромагнитного излучения.
Законы внешнего фотоэффекта.
Они были установлены Филиппом Ленардом и Александром Григорьевичем Столетовым на рубеже 20 века. Эти ученые измеряли число выбитых электронов и их скорость в зависимости от интенсивности и частоты подающего излучения.
Первый закон (закон Столетова):
Сила фототока насыщения прямо пропорциональна световому потоку, т. е. падающему излучению на вещество.
|
|
|
Iф нас ~ Ф, Iф нас = k·Ф
k – коэффициент пропорциональности. Чувствительность зависит от природы металла. Чувствительность металла к фотоэффекту увеличивается с увеличением частоты света (при уменьшении длины волны).
Эта формулировка закона является технической. Она справедлива для вакуумных фотоэлектрических приборов.
Теоретическая формулировка:
Количество испускаемых электронов прямопропорционально плотности падающего потока при его постоянном спектральном составе.
Второй закон (закон Эйнштейна):
Максимальная начальная кинетическая энергия фотоэлектрона промопропорциональна частоте падающего лучистого потока и не зависит от его интенсивности.
Ekē ~ EФ
Ekē =
=>
~ hυ
EФ = hυ
Третий закон (закон “красной границы”):
Для каждого вещества существует минимальная частота или максимальная длина волны, за пределами которой фотоэффект отсутствует.
Эта частота (длина волны) называется “красной границей” фотоэффекта.
Таким образом, он устанавливает условия фотоэффекта для данного вещества в зависимости от работы выхода электрона из вещества и от энергии падающих фотонов.
Если энергия фотона меньше работы выхода электрона из вещества, то фотоэффект отсутствует. Если же энергия фотона превышает работу выхода, то ее избыток после поглощения фотона идет на начальную кинетическую энергию фотоэлектрона.
![]() |
Авых = hυ - Ekē
Ekē = 0 => Авых = ![]()
υ = ![]()
Уравнение Эйнштейна для фотоэффекта.
Применение его для объяснения законов фотоэффекта.
Уравнение Эйнштейна для фотоэффекта является частным случаем закона сохранения и превращения энергии. Свою теорию он основал на законах еще зарождающейся квантовой физики.
Эйнштейн сформулировал три положения:
1. При воздействии с электронами вещества падающие фотоны поглощаются полностью.
2. Один фотон взаимодействует только с одним электроном.
3. Один поглощенный фотон способствует выходу только одного фотоэлектрона с некоторой Ekē.
Энергия фотона расходуется на работу выхода (Авых) электрона из вещества и на его начальную кинетическую энергию, которая будет максимальна, если электрон выходит с поверхности вещества.
Ekē = hυ - Авых
Чем больше частота падающего излучения, тем больше энергия фотонов и тем больше (за вычетом работы выхода) остается на начальную кинетическую энергию фотоэлектронов.
Чем интенсивнее падающее излучение, тем больше фотонов входит в световой поток и тем больше электронов смогут выйти из вещества и участвовать в создании фототока. Именно поэтому сила фототока насыщения промопропорциональна световому потоку (Iф нас ~ Ф). Однако начальная кинетическая энергия от интенсивности не зависит, т. к. один электрон поглощает энергию только одного фотона.



