Партнерка на США и Канаду по недвижимости, выплаты в крипто
- 30% recurring commission
- Выплаты в USDT
- Вывод каждую неделю
- Комиссия до 5 лет за каждого referral
НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
«УТВЕРЖДАЮ»
Декан факультета
![]() |
«___ »______________20 г.
РАБОЧАЯ ПРОГРАММА
по дисциплине «Электроника»
Для студентов, обучающихся по специальности (направлению)
230и 090
номер и наименование специальности (направления)
Факультет Автоматики и вычислительной техники
Кафедра Автоматики
Курс 2 Семестр 4
Лекции 34 час. Экзамен 4 сем.
Лабораторные Зачет нет.
работы 17 час.
Практические (семинарские)
занятия час. нет
Контр. работы __
РГР 4 сем. Самостоятельная
Курсовые проекты работа 56 час.
Всего часов 107_
2006 г.
Рабочая программа составлена на основании ГОС ВПО
по направлению 230«Информатика и вычислительная техника»

(наименование)
Индекс регистрационный номер 36 тех/бак от 01.01.2001г.
Рабочая программа обсуждена на заседании кафедры Автоматики №1
«31» августа 2006 г.
Программу составили: к. т.н., доц.
Ст. преподаватель
Заведующий кафедрой автоматики д. т.н., проф.
Ответственный за основную
П Р О Г Р А М М А
дисциплины «Электроника»
для подготовки студентов 2 курса по основной образовательной программе бакалавров по направлению 230«Информатика и вычислительная техника» и дипломированных специалистов по специальности 230«Автоматизированные системы обработки информации и управление», 090«Комплексное обеспечение информационной безопасности автоматизированных систем», 220«Автономные информационные и управляющие системы», 230«Вычислительные машины, комплексы, системы и сети» и 230« Программное обеспечение ВТ и автоматизированных систем»).
1. В соответствии с требованиями ГОС ВПО бакалавра от 01.01.2001г. и ГОС ВПО дипломированного специалиста от 01.01.2001г. задачей дисциплины «Электроника» является формирование умений и навыков по следующим направлениям деятельности:
- разработка и расчет основных электронных схем и устройств аналогового
и цифрового действия в дискретном и интегральном исполнении;
- проектно-конструкторские работы по созданию и внедрению в производство электронных АСОИУ и ВТ;
- наладка, испытания и техническое обслуживание электронных узлов
различных систем;
- экспериментальное исследование свойств и параметров электронных
устройств различного назначения и уровня сложности.
Содержание дисциплины "Электроника" (ОПД. Ф.02) по ГОС ВПО:
Схемы замещения, параметры и характеристики полупроводниковых приборов; усилительные каскады переменного и постоянного тока; частотные и переходные характеристики; обратные связи в усилительных устройствах; операционные и решающие усилители; активные фильтры; компараторы; аналоговые ключи и коммутаторы; вторичные источники питания; источники эталонного напряжения и тока; цифровой ключ; базовые элементы, свойства и сравнительные характеристики интегральных систем элементов; методы и средства автоматизации схемотехнического проектирования электронных схем.
2. Особенности дисциплины.
2.1. Дисциплина входит в циклы естественнонаучных и
общеобразовательных дисциплин;
2.2. Цель дисциплины.
Роль электроники во всех сферах производственной деятельности современного общества трудно переоценить. Средства электроники стали материальной основой для автоматизации одних из самых трудоемких процессов, а именно процессов переработки информации. Общее повышение производительности труда без его повышения в сфере управления не представляется возможным. Самые крупные научно-технические достижения осуществляются в большой степени благодаря широкому использованию электронных средств измерения, обработки, управления. Особенно возросла роль электроники с развитием технологии микросхемотехники, которая позволяет существенно уменьшить габариты, вес, стоимость, энергопотребление электронной аппаратуры, максимально автоматизировать процесс изготовления электронных устройств, значительно повысить надежность электронных систем управления. Микросхемотехника создала основы современной вычислительной и управляющей техники, привела к разработке и
широкому внедрению нового класса электронных устройств – микро-процессоров, сигнальных процессоров и однокристальных микро-ЭВМ. Являясь элементной базой, основой для построения современных средств автоматики и систем управления, электроника и микросхемотехника самым непосредственным образом оказывает влияние на их развитие. Таким образом курс «Электроника» является одной из основных общетехнических дисциплин в процессе схемотехнической подготовки специалистов к производственной и исследовательской работе в области создания средств и систем автоматики, автоматизированного управления технологическими процессами, научными исследованиями, гибкими производствами.
2.3. В соответствии с учебным планом подготовки бакалавра дисциплина
«Электроника» изучается в течение одного семестра:
4 семестр - «Электроника» ( цикл ОПД, федеральный компонент
Объемы различных форм учебной работы ( в часах ) и виды итогового
контроля уровня профессиональной подготовки:
Всего 4 сем.
На дисциплину
Аудиторная работа 51 51
- лекции 34 34
- лабораторные работы 17 17
- практические занятия
Самостоятельная работа 56 56
- семестровые задания 30 30
- самостоят. изучение разделов 26 26
Виды итогового контроля экзамен
3. Цели дисциплины.
- студент должен иметь представление:
1)о новейших разработках элементов и устройств электроники;
2) об областях и основах применения интегральных микросхем (ИМС)
развиваемых серий;
3) о состоянии и перспективах развития элементной базы;
- студент должен знать:
4) физические структуры и модели электронных элементов;
5) принцип действия, основные характеристики и сравнительные
свойства цифровых и аналоговых ИМС;
6) области применения основных электронных узлов;
7) методы расчета электронных схем;
8) серии и конкретные типономиналы ИМС в процессе
проектирования;
- студент должен уметь:
9) решать задачи анализа электронных схем;
10) решать задачи синтеза электронных схем и их экспериментального
исследования;
11) выбирать для расчета показателей схемы конкретный метод,
сравнивать результаты, полученные различными методами,
оценивать их точность;
12) прогнозировать изменение параметров при изменении условий
функционирования;
13) определять показатели устройств в ходе контрольных испытаний;
14) налаживать, испытывать и обслуживать электронные устройства;
15) работать на контрольно-измерительной и регистрирующей
аппаратуре, испытательных стендах;
16) осуществлять самооценку и самоконтроль при расчете схем.
4. Основные исходные профессиональные и интеллектуальные навыки,
умения, знания, необходимые для изучения дисциплины:
- высшая математика - дифференциальное, интегральное,
операционное исчисления;
- физика - физика твердого тела;
- электротехника - анализ цепей постоянного тока, переходные
процессы;
- теоретические основы ВТ - алгебра логики, двоичная арифметика, синтез простейших комбинационных и последовательностных схем.
5. Обеспечение последующих дисциплин образовательной программы:
- организация ЭВМ и систем;
- схемотехника;
- сети ЭВМ и телекоммуникации;
- микропроцессорные системы;
- кодирование и передача информации.
6. Содержание дисциплины.
6.1. Наименование тем, их содержание и объем в часах лекционных
занятий (в скобках указаны номера целей дисциплины).
4 семестр - 34 час.
6.1.1. Полупроводниковые диоды - 1 час.
ВАХ идеального диода. Отличие реальных и идеальных характеристик. Влияние температуры на характеристики и параметры диода. Статические, динамические и предельные параметры диодов. Эквивалентные схемы диода. Емкости диода. Типы пробоев в диоде. Разновидности диодов. Применение диодов.
6.1.2. Биполярные транзисторы – 3 часа.
Основные определения. Процессы в плоскостном транзисторе. Токи во внешних цепях транзистора. Статические характеристики транзистора в различных схемах включения. Различие идеальных и реальных статических характеристик. Статические параметры транзистора. Эквивалентные схемы транзисторов ОЭ, ОБ, ОК. Сравнительный анализ схем включения транзисторов. Транзистор как четырехполюсник. H-параметры транзистора.
6.1.3. Полевые транзисторы - 2 часа.
Принцип действия и конструкция полевого транзистора с управляющим
p-n переходом. Полевые транзисторы с изолированным затвором. Статические характеристики и параметры полевых транзисторов. Эквивалентные схемы и частотные свойства полевых транзисторов. Аналоговые ключи и коммутаторы.
6.1.4. Основные понятия, свойства и элементы усилительных устройств -
1 час.
Определение усилителя. Классификация усилителей. Основные параметры и характеристики усилителя. Частотная, фазовая и переходная характеристики усилителя. Амплитудная характеристика и динамический диапазон. Выходная мощность и к. п.д. Нелинейные искажения. Режимы работы усилительных элементов.
6.1.5. Основные положения теории обратных связей - 1 час.
Основные определения. Виды обратных связей. Влияние вида
обратной связи на характеристики и параметры усилителя - коэффициенты усиления, АЧХ, ФЧХ, переходную характеристику, входное и выходное сопротивления, динамический диапазон, устойчивость.
6.1.6. Предварительные каскады УНЧ – 2 часа.
Принципы построения, работы и анализ каскадов предварительного усиления на биполярных транзисторах в ОСЧ, ОНЧ, ОВЧ. УНЧ как усилитель импульсов. Каскады предварительного усиления на полевых транзисторах.
6.1.7. Каскады с обратной связью - 1 час.
Эмиттернный повторитель. Параметры и характеристики эмиттерного повторителя. Динамический диапазон. Способы повышения входного сопротивления ЭП.
6.1.8. Выходные каскады УНЧ - 1 час.
Режимы работы и особенности мощных каскадов. Энергетические соотношения в режимах А, В. Бестрансформаторные выходные каскады на транзисторах одного и разного типа проводимости.
6.1.9. Структура операционных усилителей - 1 час.
Дифференциальный каскад. Коэффициенты усиления и входные
сопротивления. Выходные каскады ОУ. Частотная коррекция и балансировка ОУ. Основные параметры интегральных ОУ широкого применения.
6.1.10. Анализ линейных звеньев на ОУ - 3 часа.
Масштабирующие ОУ. Повторитель напряжения. Суммирующий ОУ.
Дифференциальный ОУ. Стабилизаторы напряжения на ОУ. Преобразователи "напряжение-ток". Вторичные источники питания. Источники эталонного напряжения и тока.
6.1.11. Анализ нелинейных звеньев на ОУ - 3 часа.
Компараторы. Логарифмирующий и антилогарифмирующий ОУ. Схемы умножения, деления, умножения-деления на ОУ.
6.1.12. Анализ частотнозависимых звеньев на ОУ - 3 часа.
Интеграторы на ОУ. Требования к ОУ в схемах интеграторов.
Дифференцирующий ОУ. Усилитель низкой частоты на ОУ. Активные фильтры на ОУ.
6.1.13. Транзисторные инверторы - 3 часа.
Статические и динамические режимы насыщенного ключа на биполярном транзисторе. Ключ с форсирующей емкостью. Ненасыщенный ключ.
6.1.14. Базовые логические элементы - 3 часа
Принцип действия, характеристики и параметры цифровых ИМС ТТЛ, ТТЛШ, КМОПТЛ. Применение и согласование ИМС различных типов. Понятие об интегральных схемах со средним и большим уровнем интеграции.
6.1.15. Формирователи импульсов - 3 часа.
Формирователи короткого импульса на цифровых ИМС. Одновибраторы на цифровых ИМС. Схемотехника формирователей импульсов.
6.1.16. Генераторы импульсов - 3 часа.
Генераторы прямоугольных импульсов на цифровых ИМС. Схемотехника генераторов импульсов.
6.2. Лабораторные работы, их наименование и объем в часах
4 семестр - 17 часов.
6.2.1. Исследование характеристик и параметров биполярных транзисторов
в схеме ОЭ - 4 часа.
6.2.2. Линейные, нелинейные и частотно-зависимые схемы на ОУ - 4 часа.
6.2.3. Исследование базовых элементов – 4 часа.
6.2.4. Формирователи и генераторы импульсов на ЦИМС - 4 часа.
6.3. Семестровые задания.
4 семестр - Расчетно - графическая работа - 30 часов.
- Определение режима работы транзистора;
- Расчет интегратора на ОУ;
- Расчет транзисторного инвертора
- Расчет формирователей импульсов на ЦИМС.
6.4. Самостоятельное изучение разделов.
4 семестр - 26 часов.
6.4.1. Основные понятия теории электропроводности полупроводников.
6.4.2. Контактные явления в полупроводниках и физические основы
полупроводниковых приборов.
6.4.3. Зависимость параметров диода и транзистора от режима работы и температуры.
6.4.4. Тиристоры
6.4.5. Оптоэлектронные приборы ( Фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, вентильные фотоэлементы, светодиоды, световоды. Принцип работы, ВАХ, параметры).
6.4.6. УПТ с непосредственной связью.
6.4.7. УПТ с каналом МДМ.
6.4.8. Схемотехника дифференциальных каскадов.
6.4.9. Погрешности реализации математических операций на ОУ.
6.4.10. Условные графические обозначения и маркировка цифровых и
аналоговых ИМС.
6.4.9. Методы и средства автоматизации схемотехнического проектирования электронных схем.
7. Учебно-методические материалы.
7.1. Литература
Основная
7.1.1. , Гусев и микропроцессорная техника.-М.: Высшая школа, 2005.
7.1.2. Бойко электронных систем. Аналоговые и импульсные устройства.-СПб.: БХВ-Петербург, 2004.
7.1.3. , Савелов .-Ростов-на-Дону:«Феникс»,
2000.
7.1.4. , , Гуров и цифровая
электроника.-М.:«Горячая линия-Телеком», 2000.
7.1.5. Карлащук лаборатория на IBM PC. Программа
Electronics Workbench и её применение.-Москва: «СОЛОН-Р», 2001.
7.1.5. Прянишников .-Санкт-Петербург:«Корона
принт»,1998.
7.1.6. , Гусев .-М.: В. школа, 1991.
7.1.7. , Луценко и микросхемотехника.- Киев: Вища школа,1989.
Дополнительная
7.1.8. , Новосельцева дискретных
устройств на интегральных микросхемах.-М.: Радио и связь, 1990.
7.1.9.Гутников электроника в измерительных
устройствах.-Л.: Энергоатомиздат, 1988.
7.1.10. Шило цифровые микросхемы.-М.: Радио и
связь, 1987.
7.1.11.Степаненко теории транзисторов и транзисторных
схем.-М.:Энергия, 1977.
7.2. Методические указания.
7.2.1. Электроника. Методические указания к лабораторным работам.- Новосибирск: НГТУ, 2003 (Электронная версия).
7.2.2. Электроника. Методические указания к расчетно-графической работе.-Новосибирск, 2005.
7.2.3. Электронные устройства автоматики и телемеханики: Программа,
методические указания и контрольные задания.-Новосибирск:
НЭТИ, 1987.
7.2.4. Электроника и микроэлектроника: Программы, методические указания и контрольные задания; Новосибирск: НЭТИ,1989 г.
Контролирующие материалы
Пример контрольного задания к экзамену
Фамилия Группа Вариант 1
Задача 1. Рассчитать напряжения на электродах транзистора относительно общей точки. Определить величины и знаки напряжений на переходах транзистора. Определить режим работы транзистора.
![]() |
Тип (p-n-p или n-p-n) | Uэ | Uк | Uб | Uэб | Uкб | Режим |
Задача 2.
На вход схемы поступает синусоидальное напряжение
. Начертить графики входного и выходного напряжений до и после обрыва провода в указанной точке схемы. На временной оси выделить интервалы, на которых операционный усилитель работает в линейном режиме.
Исходные данные:
Амплитуда синусоиды A (В) | R2 (кОм) | R1 (кОм) | Напряжение питания ОУ (В) |
3 | 56 | 10 |
|
Операционный усилитель считать идеальным. ![]()
R2
![]() |
![]()
![]()
![]()

![]()
![]()
![]()
![]()

![]()
U вх R1
U вых
Задача 3. Реализовать заданную временную диаграмму на цифровых ИМС серии 155. Оценить нестабильность выходного импульса. Входной сигнал – меандр частотой 10 кГц. Длительность выходного импульса tи=30 мкс
Привести схему формирователя и временные диаграммы 

![]()
![]()
![]()
Uвх
![]()
![]()
![]()
![]()

t

![]()
![]()
tи. вх tп. вх
![]()
![]()
![]()

![]()
Uвых



![]()
![]()
t
![]()
![]()
![]()
tи. вых tп. вых
DD1 | DD2 | Наличие VD | R1 | R2 | C |
|
|
|
Дополнения и изменения к рабочей программе на 20 /20 учебный год
В рабочую программу вносятся следующие изменения: |
Рабочая программа пересмотрена и одобрена на заседании кафедры «___» _________20 г.
Заведующий кафедрой «___» _________20 г.





