Тестирование и испытания
Этап I. Проверка подлинности
- Позволяет определить подлинность микросхем и их целостность.
- Предоставление результатов на основании визуальной инспекции и химического анализа.
1. Первичная экспертиза микросхем и упаковки:
Защита от электростатического напряжения
Стандарты MSL (IPC/JEDEC J-STD-020, IPC/JEDEC J-STD-033, IPC/JEDEC J-STD-035)
Анализ материалов
Анализ маркировки
Сверка кодов партий и даты выпуска
2. Визуальная экспертиза микросхем:
Состояние выводов (JESD22-B105C)
Векторная диагностика (JESD22-B108A)
Габаритные размеры (JESD22-B100B)
Визуальная экспертиза (JESD22-B101)
3. Тестирование образцов и анализ:
Пригодность к пайке
Химическая декапсуляция и экспертиза интегрированной пластины
Рентгенография и экспертиза внутренних слоёв пластины
Этап II. Тестирование характеристик постоянного тока
Характеристики постоянного тока описываются в технической документации производителя (Data Sheets). Их измеряемое значение должно соответствовать заявленным в технической документации, что непосредственно используется при тестировании характеристик постоянного тока. В то же время данный этап тестирования не даёт 100% гарантии отказоустойчивости, но служит одним из основных методов тестирования.
Измеряемые характеристики:
O/S | Open/Short for each pin |
VOH | High level output voltage |
VOL | Low level output voltage |
IIH | High level input current |
IIL | Low level input current |
IOH | High level output current |
IOL | Output short circuit current |
IOS | Output short circuit current |
ICCL | Low level supply current drain |
ICCH | High level supply current drain |
BV | Breakdown voltage |
ICC | Operation current |
Этап III. Тестирование основных функциональных характеристик
Эффективный метод тестирования при отсутствии эталонного образца. На данном этапе тестирования предполагается разработка программной платформы для измерения параметров отклика различных функциональных элементов устройства, тем самым испытываются различные режимы программирования микропроцессоров, микросхем памяти, ПЛИС.
- Проверка режимов программирования для микропроцессоров, микросхем памяти, ПЛИС
Этап IV. Полное тестирование параметров и характеристик
Наиболее эффективный и полный из всех доступных методов тестирования. Тестирование 100% параметров, указанных в технической документации производителя. Схема тестирования аналогична используемой при выходном контроле на фабрике производителя (тестирование пластины, корпуса)
- Тестирование наиболее критичных параметров (например: максимальное и минимальное значение напряжения питания, скорость чтения/записи памяти и т. п.)
- Тестирование 100% параметров, указанных в технической документации производителя
Этап V. Тестирование характеристик переменного тока
Анализ параметров логики и синхронизации, измерение характеристик переменного тока (время запуска/останова устройства).
- Поиск соответствующего значения функции и анализ электрических характеристик в различных состояниях.
- Анализ параметров логики и синхронизации между системным таймером и другими сигналами ввода-вывода.
- Анализ переходных процессов при включении/выключении устройства.
Этап VI. Тестирование параметров в специальных условиях
Анализ характеристик в условиях изменения окружающей среды (максимальное/минимальное температурные значения, влагостойкость)
Дополнительные испытания
XII. Испытания и анализ на соответствие стандартам ROHS
XIII. Химический анализ материалов на пригодность к пайке
