Портфолио И

ПОРТФОЛИО

(Приложение 2 к приказу N 224 о. в. от 01.01.2001)

ФИО, фото, контакты (телефон, факс, e-mail)

8-495-, <*****@***ru>

Дата рождения:

Занимаемая должность: Старший преподаватель

Образование: высшее

Окончил:_____ ФГОУ ВПО ГТУ “МИСиС”____ _______________________

Когда окончил:____2005____________________________________________________

Специальность и квалификация: __Степень магистра «Техники и технологии по направлению “Электроника и микроэлектроника”»_____________________

Учёная степень, звание: ___канд. физ.-мат. наук___________________________

1. Область научных интересов: Оптоэлектронные приборы (излучающие диоды) и материалы для данных устройств.

2. Учебные курсы, читаемые в университете (название курса, аннотация):

a) Вакуумная техника

Аннотация: специальный курс, формирующий представление о физических основах и принципах работы вакуумной техники, рассматриваются основные типы вакуумных насосов

б) Моделирование технологических процессов

Аннотация: специальный курс, формирующий представление об основах и принципах технологических процессов полупроводникового производство с использованием компьютерного моделирования.

в) Диагностика многокомпонентных гетерокомпозиций

Аннотация: специальный курс, формирующий представление о физических основах и принципах работы основных методов исследования полупроводниковых материалов

3. Публикации:

№	Название	Год	Название журнала/издательства	Количество страниц в публикации	Соавторы
1	Динамически-ёмкостной метод измерения концентрации неподвижных зарядовых центров в полупроводниковых материалах типа АIIIВV, подвергаемых ультразвуковому воздействию	2006	Заводская лаборатория. Диагностика материалов.	6	.
2	Деградация светоизлучающих диодов на основе гетероструктур AlGaInN под действием ультразвука	2006	Известия Высших учебных заведений. Материалы Электронной Техники	3	,
3	Компьютерное моделирование AlGaInN светодиодов	2007	Электроника и электрооборудование транспорта	5
4	Studies of InGaN LEDs degradation	2007	Proc. of SPIE vol. 6486, Light-emitting diodes: Research, Manufacturing and Application XI	12	F. I. Manyakhin, E. K. Naimi, S. G. Nikiforov, V. P. Sushkov, I. G. Ermoshin, A. V. Sishov
5	New results of InGaN LED simulation	2007	Proc. of SPIE vol. 6468, Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XV,	10	S. G. Nikiforov, V. P. Sushkov, A. V. Sishov
6	Компьютерное моделирование InGaN светодиодов	2007	5-я Всероссийская конференция “Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы	2	, ,
7	Метод исследования полупроводниковых материалов и гетероструктур на основе компьютерного моделирования	2008	Заводская лаборатория. Диагностика материалов.	5
8	Особенности поведения вольт-амперных характеристик многокомпонентных гетероструктур AlInGaN для излучающих диодов	2008	Электронная техника серия 2. Полупроводниковые приборы	7
9	Определение оптимального строения гетероструктуры InGaN	2008	Инженерная физика	2
10	Исследование поведения вольт-амперных характеристик AlGaInN излучающих диодов	2008	Международный форум по Нанотехнологиям-РОСНАНО	3	.
11	Исследование особенностей рабочих характеристик многокомпонентных гетероструктур и светоизлучающих диодов на основе AlInGaN	2009	Физика и техника полупроводников	4
12	The study of specific features of working characteristics of multicomponent heterostructures and AlGaInN – based light-emitting diodes	2009	Semiconductors	4	V. P. Sushkov

4. Основная учебная литература, автором или соавтором которой является преподаватель:

Учебно-методическое пособие № 000. Микроэлектроника. “Компьютерное моделирование параметров полупроводниковых компонентов микроэлектроники” ,

, . стр. 105, М: Учёба, 2005.

5. Участие в НИР, грантах, разработках и т. д. (тема, год):

5.1 Хозрасчетные НИР непрерывно с 2008 по н. в. Основная тематика - разработка, исследование и совершенствование полупроводниковых материалов и приборов для оптоэлектроники

5.2 Гранты

Research Excellent Award от Newport&Spectra-Physics&SPIE, USA

6. Награды, почетные звания, другие достижения:

Медаль министерства образования РФ за лучшую научную работу

Памятный знак МИСиС

1) Диплом за лучший доклад на V Международной конференции (при поддержке ЮНЕСКО) “Молодые ученые – промышленности, науке, технологиям и профессиональному образованию: проблемы и новые решения”

2) Диплом 1-ой степени за разработку в области материаловедения и новых материалов на

“V Всероссийской выставке научно-технического творчества молодежи”

3) Диплом за новаторский подход в создании проекта и демонстрации его на выставке

НТТМ.

4) Диплом лауреата конкурса квалификационных работ выпускников учреждений высшего профессионального образования Москвы и Московской области за лучшую работу в номинации “Энергосберегающие технологии в городском хозяйстве и на транспорте”.

5) Диплом за I-е место во Всероссийской студенческой олимпиаде (конкурсе), с международным участием, дипломных проектов, дипломных работ и магистерских диссертаций в области материаловедения.

7. Все научные и учебные публикации за последние 5 лет:

Публикации:

1) “Влияние ультразвукового воздействия на характеристики светодиодов зелёного свечения на основе GaP”, , Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, стр. 61-63, № 4, 2004.

2) “Проблема деградации промышленных светодиодов под воздействием ультразвуковых колебаний”, О. И Рабинович Юбилейные 60-е Дни науки студентов МИСиС. Сборник тезисов докладов, cтр. 29-30, Мультипринт, М.,2005;

3) “Деградация промышленных светодиодов под воздействием ультразвуковых колебаний”, V Международная конференция “Молодые ученые – промышленности, науке, технологиям и профессиональному образованию: проблемы и новые решения”. О. И Рабинович Сборник научных докладов, стр. 92-98, МГИУ, 2005;

4), “Degradation of AlGaInN LED performance characteristics under the ultrasonic action”,

E. K. Naimi, O. I. Rabinovich, V. P. Sushkov Technical digest “Compound Semiconductor Manufacturing Expo (CS-MAX) – 2005”, p. 123-125, USA, CA, Palm Springs.

5) “Ultrasonics action upon performance LED’s characteristics” стр. 221-224, F. I. Manyakhin, E. E. Naimi, O. I. Rabinovich, V. P. Sushkov. Труды IV российско-японского семинара “Перспективные технологии и оборудование для материаловедения, микро - и наноэлектроники”. МИСиС-ULVAC Inc.-АГУ. (Материалы семинара). 22-23 мая 2006 года, Астрахань-АГУ. Изд-во МГИУ, Москва. Под ред. Проф. МИСиС и проф. АГУ . cтр 741.

6) “Компьютерное моделирование излучающих свойств светодиодов на основе гетероструктур InGaN и AlGaInP”, , стр. 311-317. Труды IV российско-японского семинара “Перспективные технологии и оборудование для материаловедения, микро - и наноэлектроники”. МИСиС-ULVAC Inc.-АГУ. (Материалы семинара). 22-23 мая 2006 года, Астрахань-АГУ. Изд-во МГИУ, Москва. Под ред. Проф. МИСиС и проф. АГУ . cтр 741.

7) “Деградация светоизлучающих диодов при создании в них ультразвуковых упругих волн”, VII Международная конференция “Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы”, раздел Микро - и нанотехнологии, , 162 стр., Ульяновск, 2005, УлГУ, 240 стр.

8) “Динамически-ёмкостной метод измерения концентрации неподвижных зарядовых центров в полупроводниковых материалах типа АIIIВV, подвергаемых ультразвуковому воздействию.” , , Сушков лаборатория. Диагностика материалов. № 5, т. 72, 2006, стр. 20-25.

9) “Деградация светоизлучающих диодов на основе гетероструктур AlGaInN под действием ультразвука”, , Известия Высших учебных заведений. Материалы Электронной Техники, № 3, 2006, стр. 58-60

10) “К вопросу о деградации светодиодов под действием высокочастотных колебаний”, , стр. 125-126, 6-я Международная светотехническая конференция (тезисы докладов), Калининград, Светлогорск, 2006.

11) “Компьютерное моделирование InGaN светодиодов”, , 5-я Всероссийская конференция “Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы”, стр. 81-82, Санкт-Петербург, изд-во Политехнического университета, 170 стр. 2007

12) “Результаты исследования деградации InGaN светодиодов”, ,

, , 145-146 стр., “62-дни науки студентов МИСиС: международные, межвузовские и институтские научно-технические конференции”, изд-во “Типография Наука”, 408 стр., 2007.

13) “Моделирование InGaN светодиодов”, , 810-818 стр., Труды V российско-японского семинара “Оборудование, технологии и аналитические системы для материаловедения, микро - и наноэлектроники”, т. II, МИСиС-Interactive Corp.-СГУ, изд-во МИСиС, 2007, 18-19 июня 2007 Саратов, под ред. Проф. .

14) “Надёжность и стабильность параметров светодиодов закладываются на производстве”, , МЭИ, 2007.

15) “Компьютерное моделирование AlGaInN светодиодов”, , Электроника и электрооборудование транспорта, № 6, 2007, С. 28-32.

16) “Способ исследования полупроводниковых материалов на основе компьютерного моделирования”, , 63-и Дни науки студентов МИСиС: международные, межвузовские и институтские научно-технические конференции. М.: издательский дом МИСиС., С. 4

17) “Результаты исследования деградации InGaN\GaN светодиодов”, O. И. Рабинович,

, 63-и Дни науки студентов МИСиС: международные, межвузовские и институтские научно-технические конференции. М.: издательский дом МИСиС., С. 4

18) “Влияние ультразвукового воздействия на деградацию InGaN светодиодов” , , . Материалы I международной казахстанско-российско-японской научной конференции и VI российско-японского семинара – Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов. МИСиС-Interactive Corp.-ВКГТУ. 24-25 июня 2008 г. под ред. проф. . изд-во МГИУ

19) “Результаты моделирования InGaN светоизлучающих диодов” ,

. Материалы I международной казахстанско-российско-японской научной конференции и VI российско-японского семинара – Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов. МИСиС-Interactive Corp.-ВКГТУ. 24-25 июня 2008 г. под ред. проф. . изд-во МГИУ

20). Метод исследования полупроводниковых материалов и гетероструктур на основе компьютерного моделирования Рабинович, О. И., П // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - № 8. – С. 37-41. – 2008.

21). Особенности поведения вольт-амперных характеристик многокомпонентных гетероструктур AlInGaN для излучающих диодов , В. П Сушков // Электронная техника серия 2. Полупроводниковые приборы. - № 2 . – С. 45-51. – 2008.

22) Определение оптимального строения гетероструктуры InGaN Т. Г., Самхарадзе,

, // Инженерная физика.- № 5 . – С. 20-21 . – 2008.

23) Исследование зависимости внешнего квантового выхода излучающих диодов от плотности тока , // Инженерная физика.- № 5 . – С. 22-23 . – 2008.

24) “Исследования деградации структуры полупроводниковых кристаллов и излучающих диодов на их основе” , // секция Наноэлектроника. Сборник тезисов докладов участников Международного конкурса научных работ молодых учёных в области нанотехнологий. стр. 29-31, Международный форум по Нанотехнологиям, Москва, 2008.

25) “Исследование поведения вольт-амперных характеристик AlGaInN излучающих диодов” , // секция Наноматериалы для электроники, магнитных систем и оптики. т. 1, стр. 742-744, Сборник тезисов докладов научно-технологических секций. Международный форум по Нанотехнологиям, Москва, 2008.

26) “LEDs current-voltage characteristics investigation” O. I. Rabinovich, V. P. Sushkov // section: Nanomaterials for Electronics, magnetic Systems. Abstracts Scientific and Technological Sections. vol. 1. P. 556-558, Nanotechnology International Forum, Moscow, 2008.

27) “Some fields of LEDs application” O. I. Rabinovich // Proceedings of the Topical Meeting on Optoinformatics, P. 347-349. в рамках V Международного конгресса “Оптика XXI век” С-Пб, 2008.

28) “Simulation results of AlGaInN LEDs” O. I. Rabinovich, M. V. Romanov, N. V. Romanov,

S. S. Sizov, E. K. Naimi, V. P. Sushkov // Международная конференция “Young Optical Scientists Conference”, Technical digest, 2-7 February 2009.

29) “Некоторые аспекты поведения рабочих характеристик AlGaInN излучающих диодов ” , , Труды Российской Светотехнической интернет-конференции. секция Источники света, пускорегулирующие аппараты, облучательная техника, метрология, Стр. 227-231, Москва, 2009

30) “Исследование особенностей рабочих характеристик многокомпонентных гетероструктур и светоизлучающих диодов на основе AlInGaN” , // Физика и техника полупроводников, т. 43, № 4, стр. 548-551, 2009.

31) “The study of specific features of working characteristics of multicomponent heterostructures and AlGaInN – based light-emitting diodes” O. I. Rabinovich, V. P. Sushkov // Semiconductors, № 4, vol. 43, P. 524-527, 2009.

32) “Влияние ультразвуковой вибрации на деградацию светоизлучающих диодов на основе InGaN” , , // Известия ВУЗов. серия Материалы электронной техники, № 1, стр. 86-92, 2009.

33) “Изучение аспектов поведения рабочих характеристик AlGaInN излучающих диодов” , // Инженерная физика, № 4, стр. 24-26, 2009.

34) “Применение излучающих диодов” , ,

А. Vembris Труды VII международной Российско-казахстанско-японской научной конференции – “Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов”. Стр. 582-592, под ред. проф. , 2009. (Волгоград М: МГИУ, 2009)

35) “Влияние примеси в AlGaInN многокомпонентных гетероструктурах на рабочие характеристики светоизлучающих диодов” // Инженерная физика. № 6, стр. 12-14, 2009.

8. Сведения о повышении квалификации за последние 5 лет:

“Национально-политическая культура Китая и особенности межкультурных коммуникаций России и КНР”. РУДН - ФГОУ ВПО ГТУ “МИСиС”, Удостоверение № КУ, 72 ч., 2008.

“Light-emitting diodes” (by E. F. Schubert), SPIE - The International Society for Optical Engineering (San Jose, USA). Сертификат № 1 2007

“Principles of GaN-based devices” (by J. Piprek), SPIE - The International Society for Optical Engineering (San Jose, USA). Сертификат № 1 2007

Курсы повышения квалификации владения компьютером по программе “Технология использования и разработки учебного курса с применением средств мультимедиа”. ФГОУ ВПО ГТУ “МИСиС”. 72 ч., Удостоверение № 000.

Семинар-тренинг: Информационные технологии для преподавателей вузов. ФГОУ ВПО ГТУ “МИСиС”., 2008. Сертификат №

Курсы повышения квалификации – референт-переводчик 308 ч, свидетельство № 000/01-И, 2001.

9. Темы НИР и дипломных, квалификационных выпускных работ бакалавров и диссертаций магистров за последние 3 года:

«Исследование влияния конструктивных особенностей строения активной квантовой области на рабочие характеристики светоизлучающих диодов синего цвета свечения», квалификационная работа (бакалавр) 2009 г.

13. Объявления для студентов

14. Дополнительные сведения (на усмотрение преподавателя).