Партнерка на США и Канаду по недвижимости, выплаты в крипто

  • 30% recurring commission
  • Выплаты в USDT
  • Вывод каждую неделю
  • Комиссия до 5 лет за каждого referral

В. А. КОЛЧИНСКИЙ, Р. В. РОМАШКО, О. Т. КАМЕНЕВ

Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток

ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСЕЙ НА ФОТОХРОМНЫЕ
СВОЙСТВА GaN

Данная работа посвящена исследованию влияния примесей, вносимых в фоторефрактивный кристалл нитрида галлия, на изменение его фотохромных свойств.

В настоящее время лазерные измерительные технологии находят все более широкое применение в задачах метрологии, в то время как методы оптической интерферометрии рассматриваются как одни из наиболее чувствительных для регистрации сверхмалых физических величин. Вместе с тем, такая высокая чувствительность интерферометрических систем делает их в значительной степени подверженными влиянию внешних неконтролируемых факторов (случайные механические воздействия, дрейф температуры, давления и пр.), что в большинстве случаев делает невозможным или крайне затруднительным практическое применение интерферометрических систем в реальных условиях.

Альтернативой служит измерительная система [1], построенная на основе динамических фоторефрактивных голограмм, приобретающая адаптивные свойства, что обеспечивает высокую помехозащищенность измерительной системы и, как следствие, устойчивое детектирование слабых воздействий в реальных условиях.

Среди фоторефрактивных материалов [2] одним из наиболее перспективных в настоящее время является нитрид галлия, поскольку обладает, с одной стороны, широкой запрещенной зоной (3,4 эВ), а с другой стороны – большой подвижностью зарядов (от 100 до 900 см2/В∙с). Это обеспечивает возможность перехода в синюю область спектра при сохранении быстрого отклика, что открывает перспективы более эффективного применения оптической измерительной системы для исследования микромасштабных объектов за счет возможности обеспечения более плотной фокусировки.

НЕ нашли? Не то? Что вы ищете?

В настоящей работе проводилось исследование фотохромных свойств кристаллов GaN (чистых и допированных кремнием), а также кристалла, сформированного на сапфировой подложке. Спектры пропускания образцов GaN представлены на рис. 1а.

C:\Users\VLADKOLAK\Desktop\GaN\Резервная_копия_Резервная_копия_Безымянный-1.png

а) б)

Рис. 1. Спектры пропускания образцов GaN (а); схема установки
(1 – спектрофотометр, 2 – исследуемый образец, 3 – лазер, 4 – линза,
5 – источник белого света, 6 – оптоволокно) (б)

Схема собранной установки представлена на рис. 1б. Спектры пропускания образцов были померены в условии присутствия накачки различных длин волн (444, 560 и 659 нм). В облученных образцах GaN были обнаружены фотоиндуцированные добавки к спектру пропускания (рис. 2б), что не наблюдалось в чистом образце нитрида галлия без примесей (рис. 2а).

а) б)

Рис. 2. Разность спектров пропускания до и после облучения лазерной накачкой: GaN, 560нм (а); GaN, допированный кремнием, 560 нм (б)

\Полученные результаты будут полезны для реализации адаптивного интерферометра на основе тонких кристаллов GaN, работающего c использованием излучения из синей и/или УФ областей спектра.

Работа выполнена при поддержке ДВО РАН, проект 12-НСС-008.

Список литературы

1. Stepanov S. I. Adaptive interferometry: a new area of applications of photorefractive crystals. International trends in optics, ed. J. W. Goodman. New York, London: Academic Press, 1991. Ch.9.

2. Gunter P., Huignard J-P. Photorefractive materials and their applications. Springer, 2007. Ch.11.