Отзыв

ОТЗЫВ

научного руководителя на работу Прокофьева Владимира Александровича

«Формирование и свойства слоев пентоксида тантала»

пришел в лабораторию МФГ на третьем курсе и с этого момента по сегодняшний день принимает активное участие во всех исследованиях, проводимых в лаборатории. Первоначально в рамках выполнения бакалаврской работы им была создано программное обеспечение для реализации в автоматизированном режиме метода полевых циклов на основе емкостных измерений в системах с большой утечкой, которое с успехом было использовано в дальнейшем.

В рамках магистерской работы перед ним была поставлена цель, которая заключалась в совершенствовании технологии формирования диэлектрического материала нового поколения (а именно, пентооксида тантала) для нужд твердотельной электроники с установлением основных закономерностей процессов его формирования и связи с электрофизическими характеристиками синтезируемых слоев и их содержащих структур кремний-диэлектрик. Решение поставленной цели потребовало в первую очередь освоить и модернизировать установку для молекулярного наслаивания, позволяющую синтезировать слои Ta2O5 на кремнии с использованием кристаллического реагента TaCl5. С этой задачей Владимир Александрович, преодолев немало трудностей, с успехом справился. Им были выявлены оптимальные условия синтеза слоев Ta2O5 с приемлемыми свойствами (отсутствие кристаллитов на поверхности слоя, однородная и контролируемая толщина слоя). Получены серии структур Si – Ta2O5 и Si –SiO2-Ta2O5 с различными параметрами синтеза и толщиной слоя пентоксида тантала.

Формируемые структуры Si – Ta2O5 характеризовались весьма малым (0,4 эВ) потенциальным барьером для электронов на границе кремний-диэлектрик, что потребовало дополнительных усилий для реализации корректных измерений их емкостных характеристик и создания соответствующего программного обеспечения. Результатом явилась возможность проведения корректных измерений вольт-емкостных характеристик в таких системах, что и было подтверждено измерениями не только структур Si – Ta2O5, но и структур Si – TiO2, обладающих похожей энергетической диаграммой.

Оценена величина относительной диэлектрической постоянной слоев Ta2O5 в диапазоне толщин 22-100 нм, которая составила ε ≥ 13,5. На полученных структурах были проведены исследования электрофизических свойств и установлены их зависимости от условий синтеза структур. Проведены исследования фотолюминесценции структур, содержащих слои пентоксида тантала, которые в совокупности с результатами электрофизических исследований позволили предложить модель электронной структуры слоев  Ta2O5, синтезируемых на кремниевой подложке методом молекулярного наслаивания.

Оценивая работу в целом, могу заключить, что на сегодняшний день он является квалифицированным физиком-экспериментатором, весьма требовательно и критически относящимся к полученным результатам и способным не только грамотно решать поставленные перед ним задачи, но и самостоятельно планировать ход научных исследований.

Владимир Александрович Прокофьев, несомненно, заслуживает присуждения ему ученой степени – магистр физики, а его диссертационная работа может быть оценена на «отлично».

Доктор физ. мат. наук,

профессор