Ярмарка инновационных проектов

Ставропольского края

г. Ставрополь, 16.12.2008

Ростовые установки нового поколения для производства синтетических

монокристаллов карбида кремния

Проект направлен на разработку ростовой установки нового поколения с интеллектуальным модулем управления технологическим процессом для выращивания высококачественных полупроводниковых монокристаллов карбида кремния (перспективного материала для изделий экстремальной, силовой и высокочастотной электроники)

Предлагаемая в данном инновационном наукоемком проекте разработка имеет финансовую поддержку государственного уровня, проект выполняется на базе “ЭКСИТОН” – крупном научно-производственном предприятии, занятом в выпуске современных материалов электронной техники для нужд полупроводниковой и оптической электроники. Ниже представлены показатели эффективности:

-  ставка дисконтирования, % - ~PE_Get( 49,0,0){24;}

-  период окупаемости, PB, мес. - ~PE_Get( 49,1,0){23;}

-  дисконтированный период окупаемости, DPB, мес. - ~PE_Get( 49,2,0){28;}

-  средняя норма рентабельности, ARR, % - ~PE_Get( 49,3,0){110;}

-  чистый приведенный доход, NPV - ~PE_Get( 49,4,0){17 302 года);}

-  индекс прибыльности, PI - 2~PE_Get( 49,5,0){2222 2,36}

Реализация проекта рассчитана на 3 этапа:

Первый этап - “Выявление методов и способов создания интеллектуальных систем управления процессами выращивания высококачественных оптических и полупроводниковых монокристаллов”;

Второй этап - “Проведение опытно-конструкторских работ по созданию интеллектуальных систем управления процессами выращивания высококачественных оптических и полупроводниковых монокристаллов”;

НЕ нашли? Не то? Что вы ищете?

Третий этап - “Исследование поведения интеллектуальных системы управления при управлении процессами выращивания высококачественных полупроводниковых монокристаллов и выявление влияния интеллектуализации на качество монокристаллов”.

К окончанию третьего этапа планируется: подготовить к серийному выпуску ростовые комплексы для синтеза SiC, оснащенные интеллектуальными системами управления процессом; передать права на интеллектуальную собственность фирмам-производителям.

Результатом проекта является комплекс для производства полупроводниковых низкодефектных объемных монокристаллов карбида кремния диаметром 4 дюйма, который будет удовлетворять следующим требованиям:

- возможность создания и контроля (с точностью до 1°С) двух зон с различной температурой в интервале температур 2100 – 2400 0С;

- максимальная рабочая температура 2500 °С;

- система откачки должна обеспечивает остаточное давление в камере не 10-5 мм. рт. ст;

- работа, как в вакууме, так и в инертной среде (аргон);

- загрузка тигля диаметром 100 мм в и 250 мм в высоту.

Полученная технология синтеза низкодефектных объемных монокристаллов карбида кремния обеспечит получение полупроводниковых монокристаллов и пластин карбида кремния со следующими параметрами:

- диаметр пластин 50,8 (±0,3) мм и 76,2 (±0,3) мм;

- толщина пластин ±20) микрометров;

- политип 4Н и 6Н;

- плотность микропайпов для пластин диаметром 76,2 мм меньше 50 на см2;

- плотность микропайпов для пластин диаметром 50,8 мм меньше 30 на см2;

- количество дислокаций для пластин диаметром 76,2 мм меньше 3*103 на см2;

- количество дислокаций для пластин диаметром 50,8 мм меньше 103 на см2;

- удельное сопротивление для 6Н пластины ≤0,025 Ом·см, для 4Н пластины ≤0,015 Ом·см, для полуизолирующей пластины с высоким удельным сопротивлением ρ>109 Ом·см;

- электропроводность: n-тип ND-NA= см-3.

Авторский коллектив:

Научный руководитель д. х.н., академик , к. х.н., доцент , исполнители - , , Руднев, В. Ю., др.

Степень реализации проекта: проект находится на стадии прототипа, работающая экспериментальная ростовая система. Проводятся серии экспериментов по совершенствованию технологии синтеза полупроводниковых пластин SiC

Требуемые инвестиции: для реализации проекта необходимо 9 млн. руб. Уже привлечено 1,5 млн. руб. бюджетных средств и 400 тыс. внебюджетных средств

Контактные данные:

Северо-Кавказский государственный технический университет (СевКавГТУ),

355029 г. Ставрополь, просп. Кулакова, 2

Научно-технический центр СевКавГТУ.

т/ф: 8 (, т. м7, 8

http://. ru Электронная почта: *****@***ru, *****@***ru