- Теоретическое обучение, научно-исследовательская работа | |
Э | - Экзаменационная сессия |
К | - Каникулы |
П | - Научно-исследовательская и педагогическая практика |
A | - Итоговая аттестация |
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Национальный исследовательский
ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
УТВЕРЖДАЮ:
Ректор ТГУ
_________________
"_____"__________________2011 г
УЧЕБНЫЙ ПЛАН | |||||||||
«Физика полупроводников. Микроэлектроника» | |||||||||
Направление подготовки 011200 – "Физика" | |||||||||
Квалификация выпускника - магистр | |||||||||
Нормативный срок обучения 2 года | |||||||||
№ п/п | Наименование дисциплин (в том числе практик) | Зачетные единицы | Академические часы | Примерное распределение по семестрам | |||||
Трудоемкость по ФГОС | Трудоемкость | 1-й семестр | 2-й семестр | 3-й семестр | 4-й семестр | Форма промежуточной аттестации | Компетенции | ||
Количество недель | |||||||||
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 |
М.1 Общенаучный цикл | 30 | 1080 | |||||||
Базовая часть | 8 | 280 | ОК-1 ОК-2 ОК-3 ОК-4 ОК-6 ОК-7 ОК-8 ОК-9 ПК-5 ПК-11 | ||||||
1.1 | Философские вопросы естествознания | 3 | 120 | х | Э | ||||
1.2 | Специальный физический практикум | 5 | 160 | х | х | ЗЗ | |||
Вариативная часть | 22 | 250 | |||||||
1.3 | Иностранный язык в сфере профессиональной коммуникации | 7 | 250 | х | х | ЗЭ | |||
Курсы по выбору студента | 15 | 540 | |||||||
1.4 | Исследования поверхности твердых тел | 2 | 72 | х | Э | ||||
1.5 | Кристаллофизика | 3 | 108 | х | Э | ||||
1.6 | Дополнительные главы физики твердого тела | 2 | 72 | х | Э | ||||
1.7 | Физика низкоразмерных структур | 2 | 72 | х | З | ||||
1.8 | Компьютерные технологии в физике твердого тела | 4 | 144 | х | х | ЗЗ | |||
1.9 | Электронная микроскопия | 2 | 72 | х | З | ||||
М.2 Профессиональный цикл | 28 | 1008 | |||||||
Базовая (общепрофессиональная) часть | 6 | 230 | ОК-1 ОК-5 ОК-7 ОК-10 ПК-1 ПК-2 ПК-5 ПК-6 ПК-7 ПК-8 ПК-9 ПК-10 | ||||||
2.1 | Современные проблемы физики | 4 | 150 | х | х | ЗЭ | |||
2.2 | История и методология физики | 2 | 80 | х | З | ||||
Вариативная часть | 12 | 432 | |||||||
2.3 | Физическое материаловедение полупроводников-2 | 3 | 108 | х | Э | ||||
2.4 | Дополнительные главы физического материаловедения полупроводников | 2 | 72 | х | Э | ||||
2.5 | Физические основы полупроводниковой микро - и оптоэлектроники | 2 | 72 | х | Э | ||||
2.6 | Дополнительные главы физики полупроводников | 3 | 108 | х | З | ||||
2.7 | Дополнительные главы теории роста кристаллов | 2 | 72 | х | Э | ||||
2.8 | Физика неупорядоченных полупроводников | 2 | 72 | х | Э | ||||
Курсы по выбору студента | 10 | 360 | |||||||
2.10 | Современные структурные методы в физике твердого тела | 4 | 144 | х | х | Зз | |||
2.11 | Оптоэлектронные методы в полупроводниках | 2 | 72 | х | З | ||||
2.12 | Дефекты в полупроводниках | 1 | 36 | х | Э | ||||
2.13 | Физика полупроводниковых приборов. Дополнительные главы | 2 | 72 | х | х | ЗЭ | |||
2.14 | Студенческий научный семинар | 4 | 144 | х | х | х | х | ЗЗЗ | |
2.15 | Учебно-исследовательская работа студентов | 2 | 72 | х | х | З | |||
М.3 Практика и научно-исследовательская работа | 42 | 1512 | |||||||
3.1 | Научно исследовательская практика | 28 | 1008 | ОК-1 | |||||
3.2 | Педагогическая практика | 2 | 72 | ||||||
3.3 | Научно-исследовательская работа | 12 | 432 | ||||||
М.4 Итоговая государственная аттестация | 20 | 720 | + | ||||||
Итого | 120 | 4320 | |||||||
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 |


