г. Калуга, Калужский филиал
МГТУ им.
http://www. *****/
http://nanotech. *****
30 сентября – 2 октября 2009 г.
Вторая Всероссийская Школа-семинар
студентов, аспирантов и молодых ученых
по направлению
«НАНОИНЖЕНЕРИЯ»
Заявка участника
Личные данные | ||
Ф. И.О. участника (полностью) |
| |
Дата рождения (ЧЧ/ММ/ГГГГ) | 15.07.1985 | |
Должность (для студентов – студент) | аспирант | |
Ученая степень (если есть) | нет | |
Ученое звание (если есть) | нет | |
Кафедра (номер студенческой группы) | МТ-8 | |
Контактные реквизиты | ||
Адрес электронной почты (E-mail) | ivanov@***** | |
Телефон (домашний, мобильный, факс) | 8-920-1111111 | |
Почтовый адрес | Калуга, ул. Ленина, | |
Участие в конференции | ||
Предполагаемая секция | Секция 2: Наноэлектроника | |
Название доклада | Полевая деградация диэлектрика наноразмерных транзисторов | |
Форма участия в конференции (очная/заочная) | Очная | |
Потребность в общежитии (да/нет) | Нет | |
Реквизиты организации | ||
Полное название | Московский Государственный Технический Университет имени | |
Сокращенное название | МГТУ им. | |
Почтовый адрес организации | Москва, 2-я Бауманская ул., д.5 | |
Адрес электронной почты организации | *****@***ru | |
Телефон/Факс | Тел.: (4 / Факс: (4 | |
Ф. И.О. руководителя организации |
| |
Научный руководитель работы | ||
Ф. И.О. научного руководителя, ученая степень, ученое звание | , д. т.н., профессор | |
Кафедра, должность | МТ-8, зав. каф., профессор | |
Область научных интересов | Кристаллография, деградация диэлектрика | |
Перечень разрабатываемых проектов | ||
1) Деградация диэлектрика наноразмерных транзисторов | ||
2) Исследование электронной и магнитной структуры нанокластеров в аморфных алюминиевых сплавах | ||
3) | ||
Список ранее опубликованных работ (название, печатное издание, год), если имеется | ||
1) Деградация диэлектрика наноразмерных транзисторов | Труды Первой Всероссийской Школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «НАНОИНЖЕНЕРИЯ», Калуга, с. 10-12 | 2008 |
2) Автоматизированная установка контроля наноразмерных транзисторов | Перспективные материалы, №2, с. 5-8. | 2007 |
3) Nanotransistors degradation in high-fields | Thin Solid Films, V.3. P. 23-28. | 2005 |
4) | ||
5) |
Подтверждаю, что указанная информация является достоверной ____________________ / /
(подпись, расшифровка подписи)
Все поля заявки являются обязательными для заполнения. Заполненные и подписанные заявки направлять по адресу: Россия, , с пометкой «Наноинженерия»; или передать уч. секретарю секции во время проведения конференции. Электронные копии заявок должны быть отосланы по адресу *****@***ru с темой «Наноинженерия-2009»
