Параметры модулей IGBT фирмы Mitsubishi третьего поколения (стр. 1 )

Т

Таблица П4

Параметры модулей IGBT фирмы Mitsubishi третьего поколения

Тип прибора	Предельные параметры	Электрические характеристики											Обратный диод	Тепловые и механические параметры	Мас­са, г
UCE(sat), B	Cies, нФ	Cоes, нФ	Cres, нФ	td(on), нс	tr, нс	td(off), нс	tf, нс
UCES, B	IC, A	PC, Вт	типо­вое	макси­маль­ное	Uf, B	trr, нс	Rth(c-f), oC/Вт	IGBT	Диод
Rth(j-f), oC/Вт
1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12	13	14	15	16	17	18	19
Модули IGBT на напряжение 250 В
CM450HA-SF	250	450	735	1,2	1,7	132	6	4,5	1200	2700	900	500	2,0	300	0,09	0,17	0,23	270
CM600HA-SF	250	600	960	1,2	1,7	165	7,5	5,6	1000	4000	1000	500	2,0	300	0,04	0,13	0,19	400
Модули IGBT на напряжение 600 В
CM15TF-12H	600	15	100	2,1	2,8	1,5	0,5	0,3	120	300	300	300	2,8	110	0,55	1,3	3,5	150
CM20TF-12H	600	20	125	2,1	2,8	2	0,7	0,4	120	300	300	300	2,8	110	0,55	1	3,5	150
CM30TF-12H	600	30	150	2,1	2,8	3	1,1	0,6	120	300	300	300	2,8	110	0,35	0,8	2	260
CM50DY-12H	600	50	250	2,1	2,8	5	1,8	1	200	300	200	300	2,8	110	0,15	0,5	1	190
CM50TF-12H	600	50	250	2,1	2,8	5	1,8	1	200	300	200	300	2,8	110	0,25	0,5	1	390

Продолжение табл. П4