Параметры модулей IGBT фирмы Mitsubishi третьего поколения (стр. 2 )

Тип прибора	Предельные параметры	Электрические характеристики	Обратный диод	Тепловые и механические параметры
UCES, B	IC, A	PC, Вт	UCE(sat), B	Cies, нФ	Cоes, нФ	Cres, нФ	td(on), нс	tr, нс	td(off), нс	tf, нс	Uf, B	trr, нс	Rth(c-f), oC/Вт	IGBT	Диод	Масса, г
типовое	макси- мальное	Rth(j-f), oC/Вт
Модули IGBT на напряжение 1200 В
CM15TF-24H	1200	15	150	2,5	3,4	3	1,1	0,6	100	200	150	350	3,5	250	0,35	0,8	1,4	150
CM20TF-24H	1200	20	250	2,5	3,4	4	1,4	0,8	100	200	150	350	3,5	250	0,35	0,63	1,4	260
CM30TF-24H	1200	30	310	2,5	3,4	6	2,1	1,2	100	200	150	350	3,5	250	0,25	0,5	1,4	390
CM50DY-24H	1200	50	400	2,5	3,4	10	3,5	2	80	200	150	350	3,5	250	0,15	0,31	0,7	190
CM50TF-24H	1200	50	400	2,5	3,4	10	3,5	2	80	200	150	350	3,5	250	0,2	0,31	0,7	540
CM75DY-24H	1200	75	600	2,5	3,4	15	5,3	3	150	350	250	350	3,5	250	0,15	0,21	0,47	190
CM75TF-24H	1200	75	600	2,5	3,4	15	5,3	3	150	350	250	350	3,5	250	0,2	0,21	0,47	830
CM100DY-24H	1200	100	780	2,5	3,4	20	7	4	250	350	300	350	3,5	250	0,13	0,16	0,35	270
CM100TF-24H	1200	100	780	2,5	3,4	20	7	4	250	350	300	350	3,5	250	0,2	0,16	0,35	830
CM150DY-24H	1200	150	1100	2,5	3,4	30	10,5	6	250	350	300	350	3,5	250	0,13	0,11	0,24	270
CM200HA-24H	1200	200	1500	2,5	3,4	40	14	8	250	400	300	350	3,5	250	0,04	0,085	0,18	400
CM200DY-24H	1200	200	1500	2,5	3,4	40	14	8	250	400	300	350	3,5	250	0,09	0,085	0,18	400
CM300HA-24H	1200	300	2100	2,5	3,4	60	21	12	250	500	350	350	3,5	250	0,04	0,06	0,12	400
CM300DY-24H	1200	300	2100	2,5	3,4	60	21	12	250	500	350	350	3,5	250	0,07	0,06	0,12	500
CM400HA-24H	1200	400	2800	2,5	3,4	80	28	16	300	500	350	350	3,5	250	0,04	0,045	0,09	400
CM600HA-24H	1200	600	4100	2.7	3,6	120	42	24	300	700	450	350	3,5	250	0,035	0,03	0,06	560
CM1000HA-24H	1200	1000	5800	2,5	3,4	200	70	40	600	1500	1200	350	3,5	250	0,018	0,022	0,05	1600

Примечание. UCES – максимальное напряжение коллектор-эмиттер; IC – максимальный ток коллектора; PC – максимальная рассеиваемая мощность; UCE(sat) – напряжение коллектор-эмиттер во включенном состоянии; Cies – входная емкость; Cоes – выходная емкость; Cres – емкость обратной связи (проходная); td(on) – время задержки включения; tr – время нарастания; td(off) - время задержки выключения; tf – время спада; Uf – прямое падение напряжения на обратном диоде транзистора; trr – время восстановления обратного диода при выключении; Rth(c-f) – тепловое сопротивление корпус-охладитель; Rth(j-f) – тепловое сопротивление переход-корпус.