Д. В. ИВАНОВ2, В. В. ВАСИЛЬЕВ1, В. Л. ВЕЛИЧАНСКИЙ1,2,
С. А. ЗИБРОВ1
1Физический институт имени РАН, Москва
2Московский инженерно-физический институт (государственный университет),
ПЕРЕСТРАИВАЕМЫЙ ЛАЗЕР
С ВНЕШНЕЙ ДВУСТОРОННЕЙ ОПТИЧЕСКОЙ СВЯЗЬЮ
НА ОСНОВЕ ДИОДНОГО УСИЛИТЕЛЯ С НАКЛОННОЙ
АКТИВНОЙ ОБЛАСТЬЮ
Продемонстрирована возможность использования активных элементов, производимых компанией «Суперлюм», в перестраиваемых лазерах с внешним резонатором с улучшенными характеристиками за счет эффективного подавления собственных резонансных свойств диода.
Для применений диодных лазеров (ДЛ) в спектроскопии необходимы большой диапазон непрерывной перестройки, и (в особенности для атомной внутридоплеровской спектроскопии) – малая ширина линии генерации. Прецизионный контроль этих параметров излучения осуществляется оптической обратной связью. Ее эффективность определяется степенью подавления собственной резонансной обратной связи, то есть уменьшением коэффициентов отражения от граней кристалла ДЛ. Для этого чаще всего ДЛ с частично просветленным покрытием выходного зеркала (5–10 %) дополнительно просветляется. Материал покрытия, как правило, неизвестен, так что процедура оказывается трудоемкой, не всегда обеспечивает высокую степень просветления, а из-за возможного загрязнения поверхности полученные покрытия могут не обладать надежной адгезией.
Компания «Суперлюм» производит диодные гетероструктуры на основе полупроводников А3В5. В режиме усиленного спонтанного излучения при вариации материала они перекрывают диапазоны 650-685; 780-860; ; ; (нм). Важнейшим параметром суперлюминесцентных источников является степень подавления осцилляций мощности с периодом равным области свободной дисперсии. «Суперлюм» систематически работает над уменьшением отражения в активный волновод от граней кристалла, комбинируя просветляющее покрытие и наклонное расположение волновода относительно граней. Представляет интерес использование таких диодов в качестве активных элементов перестраиваемых лазеров.
Схема с двухсторонней более сложна, чем схема с односторонней обратной связью [1], поскольку требуется два объектива со смещенными осями. С другой стороны двусторонняя оптическая связь дает важные преимущества: 1) Вывод излучения и селективная обратная связь осуществляются в разных каналах и могут независимо оптимизироваться. Совмещение этих функций в простейшей схеме Литтрова приводит к изменению направления выходного луча при перестройке частоты, а в схеме Литтмана - к дополнительным потерям мощности из-за нулевого порядка возвратного луча; 2) Возможность использования кольцевого резонатора и реализации режима бегущей волны.
В представленной работе создан такой лазер. В качестве активного элемента использовалась полосковая двойная гетероструктура на основе (Ga, Al)As с раздельным ограничением и гребневидным волноводом, наклоненным под углом 7° по отношению к нормали к выходной грани. Температура лазера стабилизировалась с помощью элемента Пельтье. Дифракционная решётка (1200 шт./мм) установлена в режиме автоколлимации; с противоположной стороны расположено зеркало с пропусканием T. Длина резонатора составляет 10 см. Порог генерации при Т=0,6 в центре линии усиления (≈850 нм) составил 90 мА при температуре 22°С. При токе 160 мА диапазон перестройки в непрерывном режиме одночастотной генерации (по уровню 0,5 от максимальной мощности 32 мВт) составил 40 нм (834-874). В этом диапазоне глубина модуляции мощности при перестройке не превышает 10 %. При том же токе и большем пропускании выходного зеркала (Т=0,8) мощность в центре линии усиления составила 46 мВт. Лазер был настроен на D2 линию Cs и при перестройке частоты смещением зеркала с помощью пьезокерамики был прописан ее внутридоплеровский спектр.
Проведены предварительные эксперименты с кольцевым резонатором с дифракционной решеткой. Получена генерация с активным элементом шириной 3 мкм как в режиме стоячей, так и в режиме бегущей волны (при введении в резонатор оптической развязки). При переходе к активному элементу с большей шириной активной области 10-30 мкм кольцевой резонатор даст возможность проверить предсказание [2] о большей устойчивости одночастотного режима генерации для бегущей волны.
Список литературы
1. Vassiliev V. V. et al. // Rev. of Scientific Instruments 77, 013
2. Bogatov A. P. // Proc. SPIE, Physics and Simulation of Optoelectronics Devices III, 1995, 2399, 456-467.


