Партнерка на США и Канаду по недвижимости, выплаты в крипто
- 30% recurring commission
- Выплаты в USDT
- Вывод каждую неделю
- Комиссия до 5 лет за каждого referral
РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ
Государственное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
ТЮМЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
«УТВЕРЖДАЮ»:
Проректор по учебной работе
_______________________ //
__________ _____________ 2011г.
полупроводниковая электроника
Учебно-методический комплекс.
Рабочая программа
для студентов направления 011800.62 «Радиофизика»
Форма обучения очная
«ПОДГОТОВЛЕНО К ИЗДАНИЮ»:
Автор работы ________________________//
«______»___________2011г.
Рассмотрено на заседании кафедры радиофизики 19.04.2011года. Протокол № 9. Соответствует требованиям к содержанию, структуре и оформлению.
«РЕКОМЕНДОВАНО К ЭЛЕКТРОННОМУ ИЗДАНИЮ»:
Объем 16 стр.
Зав. кафедрой ____________________//
«____»___________ 2011 г.
Рассмотрено на заседании УМК ИМЕНИТ «_27___»__мая____________ 2011 г., протокол №_3___.
Соответствует ФГОС ВПО и учебному плану образовательной программы.
«СОГЛАСОВАНО»:
Председатель УМК _________________//
«____»_____________2011 г.
«СОГЛАСОВАНО»:
Зав. методическим отделом УМУ_____________//
«______»_____________2011 г.
Российская Федерация
Министерство образования и науки
Государственное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
ТЮМЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
Институт математики, естественных наук и информационных технологий
Кафедра радиофизики
ТАБАРИН В. А.
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Учебно-методический комплекс.
Рабочая программа
для студентов направления 011800.62 «Радиофизика»
Форма обучения очная
Тюменский государственный университет
2011
Табарин электроника. Учебно-методический комплекс. Рабочая программа для студентов направления 011800.62 «Радиофизика», форма обучения очная. Тюмень, 2011, 16 стр.
Рабочая программа составлена в соответствии с требованиями ФГОС ВПО с учетом рекомендаций и ПрООП ВПО по направлению и профилю подготовки.
Рабочая программа дисциплины опубликована на сайте ТюмГУ: «Полупроводниковая электроника» [электронный ресурс] / Режим доступа: http://www. *****., свободный.
Рекомендовано к изданию кафедрой радиофизики. Утверждено проректором по учебной работе Тюменского государственного университета.
ОТВЕТСТВЕННЫЙ РЕДАКТОР: заведующий кафедрой радиофизики
© Тюменский государственный университет, 2011
.© 2011.
1. Пояснительная записка.
Дисциплина «Полупроводниковая электроника» в соответствии с ФГОС ВПО по направлению подготовки 011800.62 «Радиофизика» является дисциплиной профессионального цикла ООП подготовки бакалавра модуля «Электроника». Современная электроника в большей степени является твердотельной, основой которой являются полупроводниковые материалы. Поэтому в данном курсе достаточно подробно рассматривается зонная теория твердого тела, изучаются физические свойства полупроводников, а также принципы работы наиболее распространенных элементов и устройств полупроводниковой электроники, таких как полупроводниковые диоды, биполярные и полевые транзисторы, тиристоры, светодиоды, полупроводниковые лазеры, приборы с зарядовой связью и т. д. Указанные виды элементов входят в состав аналоговых и цифровых электронных приборов, использующихся при передаче, приеме, а также при обработке информации.
1.1. Цели и задачи дисциплины.
Целью преподавания дисциплины «Полупроводниковая электроника» является изучение физики полупроводников, а также физических основ работы полупроводниковых элементов и устройств, достаточное для понимания, изготовления и анализа работы функциональных узлов радиоэлектронной аппаратуры.
Задачами изучения дисциплины являются формирование теоретических представлений о физических процессах, лежащих в основе работы полупроводниковых активных и пассивных элементов электронной техники, с помощью которых осуществляется прием, передача, обработка, преобразование и хранение информации, представленной в виде электрических сигналов различной формы, приобретение навыков работы с основными элементами полупроводниковой схемотехники, экспериментального определения их основных параметров и характеристик.
1.2. Место дисциплины в структуре ООП бакалавриата
«Полупроводниковая электроника» является дисциплиной базовой части профессионального цикла для направления 011800.62 «Радиофизика».
Содержание курса «Полупроводниковая электроника» базируется на знаниях, приобретённых при изучении следующих дисциплин: разделов «Электричество и магнетизм», «Атомная и ядерная физика» курса общей физики, разделов «Электродинамика», «Квантовая механика», «Термодинамика и статистическая физика» теоретической физики. Математической основой курса являются разделы «Математический анализ», «Дифференциальные уравнения», «Теория вероятностей и математическая статистика» математики.
1.3. Компетенции выпускника ООП бакалавриата, формируемые в результате освоения данной дисциплины
В соответствии с ФГОС ВПО данная дисциплина направлена на формирование следующих компетенций
общекультурных:
ОК-8 – способность к овладению базовыми знаниями в области математики и естественных наук, их использованию в профессиональной деятельности;
ОК-10 – способность самостоятельно приобретать новые знания по твердотельной электронике, используя современные образовательные и информационные технологии;
ОК-12- способность к правильному использованию общенаучной и специальной терминологии;
ОК-14- способность к овладению базовыми знаниями в области информатики и современных информационных технологий, программными средствами и навыками работы в компьютерных сетях, использованию баз данных и ресурсов Интернет;
ОК-18- способность использовать нормативные правовые документы в своей деятельности;
ОК-19- способность понимать сущность и значение информации в развитии современного информационного общества, сознавать опасности и угрозы, возникающие в этом процессе, соблюдать основные требования информационной безопасности, в том числе защиты государственной тайны.
профессиональных:
ПК-1 – способность использовать базовые теоретические знания (в том числе по дисциплинам профилизации) для решения профессиональных задач;
ПК-2 –способность применять на практике базовые профессиональные навыки;
ПК-3 – способность понимать принципы работы и методы эксплуатации современной радиоэлектронной и оптической аппаратуры и оборудования;
ПК-4- способность использовать основные методы радиофизических измерений;
ПК-5- способность к владению компьютером на уровне опытного пользователя, применению информационных технологий для решения задач в области радиотехники, радиоэлектроники и радиофизики (в соответствии с профилизацией);
ПК-6 – способность к профессиональному развитию и саморазвитию в области радиофизики и электроники;
ПК-7- способность к овладению методами защиты интеллектуальной собственности4
ПК-8- способность внедрять готовые научные разработки.
В области воспитания личности целью подготовки является формирование социально-личностных качеств студентов: целеустремленности, организованности, коммуникативности.
В результате освоения дисциплины обучающийся должен:
· Знать: физику полупроводников, их характеристики и параметры;
· свойства и назначение элементной базы радиоэлектронной аппаратуры;
· методы анализа и синтеза электронных схем;
· физические и информационные характеристики электрических сигналов, методы их преобразования с помощью линейных и нелинейных электрических цепей;
· принципы построения узлов и блоков аналоговой и цифровой радиоэлектроники;
· методы работы с измерительной аппаратурой.
· Уметь: представлять физику работы различных полупроводниковых элементов и устройств;
· читать и анализировать принципиальные электрические схемы различных приборов;
· рассчитывать параметры электронных схем и подбирать соответствующие этим параметрам элементы;
· выполнять электрические измерения, экспериментально определять параметры и характеристики различных элементов электронных устройств;
· использовать справочную литературу и прикладное программное обеспечение при расчете и синтезе электронных схем.
· Владеть: приемами и навыками решения конкретных задач из разных областей полупроводниковой электроники, помогающих в дальнейшем решать инженерные задачи, основами знаний в области разработки и анализа электронных схем, создания различных практических устройств для научных исследований и инженерной практики.
2. Структура и трудоемкость дисциплины.
Дисциплина «Полупроводниковая электроника» читается в седьмом семестре. Форма итоговой аттестации - экзамен. Общая трудоемкость дисциплины составляет 4 зачетные единицы (з. е.), 144 часа.
Таблица 1
Вид учебной работы | Всего часов | Семестр |
7 | ||
Аудиторные занятия (всего) | 72 | 72 |
В том числе: | ||
Лекции | 36 | 36 |
Практические занятия (ПЗ) | 36 | 36 |
Лабораторные работы (ЛР) | 0 | 0 |
Самостоятельная работа (всего) | 72 | 72 |
экзамен | ||
Общая трудоёмкость час Зач. ед. | 144 | 144 |
4 | 4 |
3. Тематический план
Таблица 2.
3. Тематический план
№ | Тема | недели семестра | Виды учебной работы и самостоятельная работа, в час. | Итого часов по теме | Из них в интерактивной форме | Итого количество баллов | |||
Лекции* | Семинар.(практ) занятия | Лабораторные занятия* | Самостоятельная работа* | ||||||
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 |
Модуль 1 | 1-5 | ||||||||
1. | 1.1. Введение. Элементы зонной теории твердого тела. | 2 | 4 | 4 | 8 | 4 | 0-5 | ||
2. | 1.2. Собственные и примесные полупроводники. | 4 | 4 | 12 | 14 | 4 | 0-5 | ||
3. | 1.3. Равновесная и неравновесная концентрации носителей заряда. | 4 | 2 | 8 | 10 | 2 | 0-5 | ||
Всего | 10 | 10 | 24 | 32 | 10 | 0-15 | |||
Модуль 2 | 6-12 | ||||||||
1. | 2.1. Электронно-дырочный переход. | 4 | 4 | 8 | 12 | 4 | 0-5 | ||
2. | 2.2. Контакт металл-полупроводник. Диоды Шоттки. | 2 | 2 | 4 | 6 | 2 | 0-5 | ||
3. | 2.3. Гетеропереходы. Односторонняя и суперинжекция. | 2 | 2 | 6 | 7 | 2 | 0-5 | ||
4. | 2.4. Полупроводниковые диоды. | 2 | 2 | 4 | 6 | 2 | 0-5 | ||
5. | 2.5. Туннельные диоды. | 1 | 1 | 2 | 3 | 1 | 0-5 | ||
Всего | 11 | 11 | 24 | 34 | 11 | 0-25 | |||
Модуль 3 | 13-18 | ||||||||
1. | 3.1. Биполярные транзисторы. | 2 | 2 | 4 | 6 | 2 | 0-5 | ||
2. | 3.2. Полевые транзисторы. | 2 | 3 | 4 | 7 | 3 | 0-5 | ||
3. | 3.3. Тиристоры. | 1 | 1 | 2 | 1 | 0-5 | |||
4. | 3.4. Полупроводниковые СВЧ приборы. | 2 | 1 | 2 | 4 | 1 | 0-5 | ||
5. | 3.5. Светоизлучающие диоды. | 2 | 1 | 2 | 4 | 1 | 0-10 | ||
6. | 3.6. Полупроводниковые лазеры. | 2 | 3 | 4 | 7 | 3 | 0-10 | ||
7. | 3.7. Полупроводниковые фотоприемники. | 3 | 2 | 6 | 8 | 2 | 0-10 | ||
8. | 3.8. Интегральные микросхемы. | 1 | 2 | 2 | 4 | 2 | 0-10 | ||
9 | Всего | 15 | 15 | 24 | 42 | 15 | 0-60 | ||
Итого (часов, баллов): | 36 | 36 | 72 | 144 | 36 | 0-100 | |||
Из них в интерактивной форме | 10 | 26 | 36 |
Таблица 3.
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 |


