А. Л. АНДРЕЕВ1, И. А. ЩЕГЛОВИТОВ
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
1Физический институт им. РАН, Москва
УПРАВЛЯЕМОЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЕМ РАССЕЯНИЕ
СВЕТА В ГЕЛИКОИДАЛЬНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
ЖИДКИХ КРИСТАЛЛАХ
В работе рассматривается процесс рассеяния на динамической доменной структуре, которая возникает при нелинейной деформации геликоида СЖК в переменном электрическом поле. Для рассеяния такого типа характерно не только высокое быстродействие, но и возможность работать в бистабильном режиме, когда переключение электрооптического модулятора из пропускающего в рассеивающее состояние, и наоборот, осуществляется при изменении полярности импульса управляющего напряжения. При этом оба оптических состояния сохраняются без уменьшения светопропускания и контрастного отношения до прихода импульса противоположной полярности или в течение нескольких секунд после выключения электрического поля. Приводятся конкретные параметры светорассеяния при различных режимах возбуждения ячеек СЖК.
