А. Г. НИКИТИНА, В. В. ЗУЕВ
Московский инженерно-физический институт (государственный университет)
ОБ ОСОБЕННОСТЯХ ЛОКАЛИЗАЦИИ И ДЕЛОКАЛИЗАЦИИ
НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА НА ДЕФЕКТАХ
С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ КОРРЕЛЯЦИОННОЙ ЭНЕРГИЕЙ,
ПРОЯВЛЯЮЩИХСЯ В ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ
ХАРАКТЕРИСТИКАХ МАТЕРИАЛОВ
Особенности локализации и делокализации носителей на дефектах с отрицательной корреляционной энергией обуславливают их необычные генерационно-рекомбинационные свойства: отдавать и захватывать носители парами. Физическим основанием таких процессов является наличие реакции среды на локализацию носителей. Проведено моделирование влияния подобных микропроцессов на дефектах на макрохарактеристики полупроводниковых материалов для выявления характерных признаков, позволяющих определять особенности локализации электронов на дефекте в полупроводнике (в том числе наличие или отсутствие U–-свойств), что обеспечивает научный и практический интерес к результатам исследований.
