ВАРИАНТ 20

1.16. По семейству анодных характеристик триода 6С1П, изображенному на рис. 1.6, построить семейство его анодно-сеточных характеристик для значений анодного напряжения 160, 220 и 280 В.

Рис. 1.6

Рис. 3.17

2.20. Идеальный диод, имеющий обратный ток насыщения =10 мкА, соединен последовательно с источником напряжения = 10 В и резистором с сопротивлением 1 кОм. Найти прямой ток и прямое напряжение на диоде, если диод работает при Т= 300 К.

3.31. Для транзистора, используемого в схеме (рис. 3.17), найти коэффициент усиления по току .

4.20. Основные параметры и характеристики логических элементов (ЛЭ).

ПРИЛОЖЕНИЕ

Некоторые физические постоянные

Постоянная Больцмана Дж/К.

Заряд электрона Кл.

Диэлектрическая проницаемость свободного пространства Ф/м.

Параметры Германия и кремния

Параметр

Ge

Si

Относительная диэлектрическая проницаемость

16

12

Ширина запрещенной зоны, эВ

при Т= 0 К

при Т= 300 К

0,785

0,72

1,21

1,12

Подвижность электронов, см2/(В×с)

3900

1400

Подвижность дырок, см2/(В×с)

1900

500

Собственная концентрация носителей при 0°С, см-3

Собственное удельное сопротивление, Ом×см (Т= 293 К)

68

Коэффициент диффузии электронов Dn, см2/с

99

34

Коэффициент диффузии дырок Dp, см2/с

47

13