Варианты заданий для самостоятельной работы
Номер варианта задания определяется по номеру обучаемого в списке группы и в соответствии с таблицей 2.
ВАРИАНТЫ ИСХОДНЫХ ДАННЫХ
Таблица 2
№ | xje | xjc | hc | Nes | Nbs | Nc | Nc+ | hc+ | Se | Sc | d | te | tb | tc |
1 | 0,6 | 0,95 | 5 | 3.1020 | 7.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 3´6 | 5´10 | 2 | 20 | 150 | 1000 |
2 | 1 | 2 | 6 | 1.1020 | 6.1018 | 1.1017 | 1019 | 2,5 | 3´6 | 5´10 | 2 | 80 | 200 | 1000 |
3 | 0,9 | 1,8 | 7 | 2.1020 | 6.1018 | 1.1017 | 1019 | 3 | 3´10 | 5´15 | 2 | 30 | 200 | 1000 |
4 | 0,3 | 0,65 | 2 | 3.1020 | 7.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 3´6 | 5´10 | 2 | 30 | 200 | 1000 |
5 | 0,5 | 0,9 | 3 | 1.1020 | 7.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 3´6 | 5´10 | 2 | 40 | 200 | 1000 |
6 | 0,35 | 0,6 | 2 | 1.1020 | 8.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 4´4 | 6´10 | 2 | 40 | 400 | 1000 |
7 | 0,2 | 0,45 | 2 | 3.1020 | 6.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 3´6 | 5´10 | 1 | 40 | 200 | 1000 |
8 | 0,5 | 1,0 | 3 | 2.1020 | 6.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 3´10 | 5´15 | 2 | 20 | 200 | 1000 |
9 | 0,4 | 0,75 | 2,5 | 3.1020 | 7.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 3´10 | 5´15 | 2 | 30 | 150 | 1000 |
10 | 0,35 | 0,7 | 2 | 1.1020 | 6.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 4´4 | 6´10 | 2 | 40 | 400 | 1000 |
11 | 0,4 | 0,75 | 3 | 2.1020 | 6.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 4´4 | 6´10 | 2 | 30 | 300 | 1000 |
12 | 0,4 | 0,7 | 2 | 1.1020 | 8.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 4´4 | 6´10 | 2 | 20 | 200 | 1000 |
13 | 0,2 | 0,5 | 2 | 2.1020 | 6.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 4´4 | 6´10 | 2 | 20 | 150 | 1000 |
14 | 0,4 | 0,65 | 2 | 3.1020 | 7.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 3´10 | 5´15 | 2 | 30 | 200 | 1000 |
15 | 0,25 | 0,5 | 3 | 3.1020 | 8.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 4´4 | 6´10 | 2 | 15 | 200 | 1000 |
16 | 0,3 | 0,55 | 3 | 3.1020 | 7.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 3´6 | 5´10 | 2 | 35 | 200 | 1000 |
17 | 0,35 | 0,65 | 2 | 1.1020 | 7.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 3´6 | 5´10 | 2 | 40 | 300 | 1000 |
18 | 0,3 | 0,6 | 2 | 2.1020 | 7.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 4´4 | 6´10 | 2 | 40 | 300 | 1000 |
19 | 0,2 | 0,45 | 2 | 3.1020 | 6.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 3´6 | 5´10 | 1 | 20 | 200 | 1000 |
20 | 0,5 | 0,9 | 5 | 3.1020 | 6.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 3´10 | 5´15 | 2 | 20 | 400 | 1000 |
21 | 0,25 | 0,5 | 2 | 1.1020 | 7.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 4´4 | 6´10 | 2 | 30 | 200 | 1000 |
22 | 0,3 | 0,6 | 2 | 1.1020 | 6.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 4´4 | 6´10 | 2 | 40 | 300 | 1000 |
23 | 0,4 | 0,7 | 2 | 2.1020 | 6.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 4´4 | 6´10 | 2 | 20 | 200 | 1000 |
24 | 0,5 | 0,8 | 2,5 | 3.1020 | 7.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 3´10 | 5´15 | 2 | 20 | 200 | 1000 |
25 | 0,5 | 0,8 | 3 | 1.1020 | 7.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 3´6 | 5´10 | 1 | 30 | 300 | 1000 |
26 | 0,3 | 0,6 | 2,5 | 2.1020 | 6.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 3´10 | 5´15 | 1 | 20 | 250 | 1000 |
27 | 0,5 | 0,8 | 3 | 1.1020 | 7.1018 | 1.1017 | 1019 | 2 | 3´6 | 5´10 | 1 | 30 | 300 | 1000 |
Общее для всех вариантов задание:
1. Разработать топологический чертеж транзисторной структуры.
2. Привести малосигнальную эквивалентную схему и объяснить смысл ее элементов.
3. При заданных исходных данных для
В,
мА (
0,8 В) рассчитать следующие параметры эквивалентной схемы:
- коэффициент передачи эмиттерного тока;
- барьерные емкости переходов Э — Б и К — Б;
- диффузионную емкость перехода Э — Б.
4. Привести маршрутную карту изготовления транзистора.
Факультативно:
5. Рассчитать параметры эквивалентной схемы п. 2.
6. Рассчитать граничные частоту в схемах ОБ, ОЭ и предельную частоту для режима:
В,
мА.
7. Рассчитать параметры эквивалентной схемы Эберса-Молла для большого сигнала.
8. Рассчитать напряжение Эрли.
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ
1. Технология изготовления: с боковой диэлектрической изоляцией.
2. Глубина технологического перехода эмиттер-база, мкм xje = 0.25
3. Глубина технологического перехода коллектор-база, мкм xjc = 0,55
4. Толщина эпитаксиального коллектора, мкм hc = 2
5. Поверхностная концентрация эмиттерной примеси, см-3 Nes = 1020
6. Поверхностная концентрация базовой примеси, см-3 Nbs = 5.1018
7. Концентрация примеси в эпитаксиальном коллекторе, см-3 Nc = 1017
8. Максимальная концентрация примеси в n+- коллекторе, см-3 Nc+ = 1019
9. Толщина n+- коллектора, см hc+ = 2
10. Площадь эмиттерного перехода Se, мкм ´ мкм ae ´ be = 4 ´ 4 = 16
11. Площадь коллекторного перехода Sc, мкм ´ мкм aс´ bс = 6 ´ 10 = 60
12. Время жизни неосновных носителей в эмиттере, мкс t e:= 20
13. Время жизни неосновных носителей в базе, мкс t b = 200
14. Время жизни неосновных носителей в коллекторе, мкс t c = 1000
Во всех вариантах: Nc+ = 1019 , t c = 1000;.
Диффузанты: эмиттер, коллектор — Р; база — В; n+- коллектор — As.
Концентрация примеси в подложке Ns = 1015см-3


