Варианты заданий для самостоятельной работы

Номер варианта задания определяется по номеру обучаемого в списке группы и в соответствии с таблицей 2.

ВАРИАНТЫ ИСХОДНЫХ ДАННЫХ

Таблица 2

xje

xjc

hc

Nes

Nbs

Nc

Nc+

hc+

Se

Sc

d

te

tb

tc

1

0,6

0,95

5

3.1020

7.1018

1.1017

1019

2

3´6

5´10

2

20

150

1000

2

1

2

6

1.1020

6.1018

1.1017

1019

2,5

3´6

5´10

2

80

200

1000

3

0,9

1,8

7

2.1020

6.1018

1.1017

1019

3

3´10

5´15

2

30

200

1000

4

0,3

0,65

2

3.1020

7.1018

1.1017

1019

2

3´6

5´10

2

30

200

1000

5

0,5

0,9

3

1.1020

7.1018

1.1017

1019

2

3´6

5´10

2

40

200

1000

6

0,35

0,6

2

1.1020

8.1018

1.1017

1019

2

4´4

6´10

2

40

400

1000

7

0,2

0,45

2

3.1020

6.1018

1.1017

1019

2

3´6

5´10

1

40

200

1000

8

0,5

1,0

3

2.1020

6.1018

1.1017

1019

2

3´10

5´15

2

20

200

1000

9

0,4

0,75

2,5

3.1020

7.1018

1.1017

1019

2

3´10

5´15

2

30

150

1000

10

0,35

0,7

2

1.1020

6.1018

1.1017

1019

2

4´4

6´10

2

40

400

1000

11

0,4

0,75

3

2.1020

6.1018

1.1017

1019

2

4´4

6´10

2

30

300

1000

12

0,4

0,7

2

1.1020

8.1018

1.1017

1019

2

4´4

6´10

2

20

200

1000

13

0,2

0,5

2

2.1020

6.1018

1.1017

1019

2

4´4

6´10

2

20

150

1000

14

0,4

0,65

2

3.1020

7.1018

1.1017

1019

2

3´10

5´15

2

30

200

1000

15

0,25

0,5

3

3.1020

8.1018

1.1017

1019

2

4´4

6´10

2

15

200

1000

16

0,3

0,55

3

3.1020

7.1018

1.1017

1019

2

3´6

5´10

2

35

200

1000

17

0,35

0,65

2

1.1020

7.1018

1.1017

1019

2

3´6

5´10

2

40

300

1000

18

0,3

0,6

2

2.1020

7.1018

1.1017

1019

2

4´4

6´10

2

40

300

1000

19

0,2

0,45

2

3.1020

6.1018

1.1017

1019

2

3´6

5´10

1

20

200

1000

20

0,5

0,9

5

3.1020

6.1018

1.1017

1019

2

3´10

5´15

2

20

400

1000

21

0,25

0,5

2

1.1020

7.1018

1.1017

1019

2

4´4

6´10

2

30

200

1000

22

0,3

0,6

2

1.1020

6.1018

1.1017

1019

2

4´4

6´10

2

40

300

1000

23

0,4

0,7

2

2.1020

6.1018

1.1017

1019

2

4´4

6´10

2

20

200

1000

24

0,5

0,8

2,5

3.1020

7.1018

1.1017

1019

2

3´10

5´15

2

20

200

1000

25

0,5

0,8

3

1.1020

7.1018

1.1017

1019

2

3´6

5´10

1

30

300

1000

26

0,3

0,6

2,5

2.1020

6.1018

1.1017

1019

2

3´10

5´15

1

20

250

1000

27

0,5

0,8

3

1.1020

7.1018

1.1017

1019

2

3´6

5´10

1

30

300

1000

НЕ нашли? Не то? Что вы ищете?

Общее для всех вариантов задание:

1. Разработать топологический чертеж транзисторной структуры.

2. Привести малосигнальную эквивалентную схему и объяснить смысл ее элементов.

3. При заданных исходных данных для В, мА (0,8 В) рассчитать следующие параметры эквивалентной схемы:

- коэффициент передачи эмиттерного тока;

- барьерные емкости переходов Э — Б и К — Б;

- диффузионную емкость перехода Э — Б.

4. Привести маршрутную карту изготовления транзистора.

Факультативно:

5. Рассчитать параметры эквивалентной схемы п. 2.

6. Рассчитать граничные частоту в схемах ОБ, ОЭ и предельную частоту для режима: В, мА.

7. Рассчитать параметры эквивалентной схемы Эберса-Молла для большого сигнала.

8. Рассчитать напряжение Эрли.

ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ

1. Технология изготовления: с боковой диэлектрической изоляцией.

2. Глубина технологического перехода эмиттер-база, мкм xje = 0.25

3. Глубина технологического перехода коллектор-база, мкм xjc = 0,55

4. Толщина эпитаксиального коллектора, мкм hc = 2

5. Поверхностная концентрация эмиттерной примеси, см-3 Nes = 1020

6. Поверхностная концентрация базовой примеси, см-3 Nbs = 5.1018

7. Концентрация примеси в эпитаксиальном коллекторе, см-3 Nc = 1017

8. Максимальная концентрация примеси в n+- коллекторе, см-3 Nc+ = 1019

9. Толщина n+- коллектора, см hc+ = 2

10. Площадь эмиттерного перехода Se, мкм ´ мкм ae ´ be = 4 ´ 4 = 16

11. Площадь коллекторного перехода Sc, мкм ´ мкм ´ = 6 ´ 10 = 60

12. Время жизни неосновных носителей в эмиттере, мкс t e:= 20

13. Время жизни неосновных носителей в базе, мкс t b = 200

14. Время жизни неосновных носителей в коллекторе, мкс t c = 1000

Во всех вариантах: Nc+ = 1019 , t c = 1000;.

Диффузанты: эмиттер, коллектор — Р; база — В; n+- коллектор — As.

Концентрация примеси в подложке Ns = 1015см-3