Наименование дисциплины: Фотоэлектрические свойства полупроводников
Направление подготовки: 210100 Электроника и наноэлектроника
Профиль подготовки: Интегральная электроника и наноэлектроника
Квалификация (степень) выпускника: бакалавр
Форма обучения: очная
Автор: к. ф-м. н., доцент, доцент кафедры микроэлектроники .
1. Дисциплина «Фотоэлектрические свойства полупроводников» обеспечивает приобретение знаний и умений в соответствии с государственным образовательным стандартом, содействует получению фундаментального образования, формированию мировоззрения.
Целью преподавания дисциплины является ознакомление студентов с основными фотоэлектрическими явлениями в полупроводниках и структурах на их основе, а также с основными применениями этих эффектов в практике.
2. Дисциплина «Фотоэлектрические свойства полупроводников» относится к вариативной части профессионального цикла подготовки, является дисциплиной по выбору студента. Знания, умения и владения, приобретенные при изучении дисциплины, способствуют более глубокому пониманию преподаваемой параллельно дисциплины базовой части профессионального цикла: «Физические основы электроники», а также ряда дисциплин вариативной части и дисциплин по выбору профессионального цикла. Дисциплина «Оптические свойства полупроводников» основывается на знаниях, полученных студентами при изучении курса «Оптика» и предшествующих курсов базовой и вариативной части профессионального цикла: «Физика конденсированного состояния», «Материалы электронной техники», «Основы технологии электронной компонентной базы», «Физика полупроводников и низкоразмерных систем».
3. В результате освоения дисциплины обучающийся должен:
Знать:
основы физики, определяющие фотоэлектрические явления в полупроводниках;
основные фотоэлектрические явления и эффекты в полупроводниках;
практическое использование фотоэлектрических явлений и эффектов в полупроводниках.
Уметь:
проводить информационный поиск в рамках поставленной научно-исследовательской задачи;
планировать и осуществлять экспериментальные и теоретические исследования в области фотоэлектрических свойств полупроводников и структур на их основе;
Владеть:
навыками работы на спектральных приборах;
навыками проведения исследования характеристик преобразователей световой энергии.
4. Общая трудоемкость дисциплины составляет 2 зачетные единицы, 72 часа.
5. Содержание дисциплины:
№ п/п | Раздел дисциплины |
1 | Введение. |
2 | Фотоэлектрические явления в полупроводниках. |
3 | Полупроводниковые приемники излучения |
4 | Солнечные батареи |
6. Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины:
а) основная литература:
1. Ансельм в теорию полупроводников. М., Наука, 1978, 616 с.
б) дополнительная литература:
1. Физика полупроводников. М., Мир, 1977, 616 с.
2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах, Кн. 2. М., Мир, 1984, 456 с.
3. Лебедев оптической спектроскопии. М., МГУ, 1986.
4. Оптические свойства полупроводников. М., Мир, 1961.
5. Полупроводниковая оптоэлектроника. М., Мир, 1976, 432 с.
6. Оптические свойства полупроводников. М., Мир, 1973.
7. Полупроводниковые фотоприемники: Ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра/ , , ; Под ред. . – М.: Радио и связь, 1984, 216 с.
8. Раков тонкопленочных полупроводниковых структур. М., Советское радио, 1975.
9. , Снитко в приповерхностных слоях полупроводников. Киев: Наук. Думка, 1984, 232 с.
в) программное обеспечение и Интернет-ресурсы:
электронная библиотека.
