Регулярные IEEE-Российские научно-технические конференции по данной тематике организуются Новосибирским государственным техническим университетом (НГТУ), Новосибирск; Новосибирской группой IEEE MTT/ED/CPMT/ COM/SSC при поддержке отделений IEEE MTT-S, CPMT-S, ComSoc, SSC-S (США); Сибирской секцией IEEE и Российским обществом радиотехники, электроники и связи им. , Россия.
Пятая IEEE-Российская конференция
«Микроволновая Электроника: Измерения, Идентификация, Применения» (МЭИИП'2005)
состоитсядекабря 2005 г.,
Новосибирский Государственный Технический Университет,
г. Новосибирск, Россия.
Тематика конференции
Принимаются доклады по следующим основным направлениям:
1. Микроволновые электронные компоненты и материалы, интегральные схемы и устройства, HTS-материалы, кремниевые датчики давления.
2. Активные и пассивные, линейные и нелинейные функциональные устройства микроволновой техники: анализ, оптимизация, измерения, идентификация, имитационное моделирование.
3. Телекоммуникационные системы, сети и устройства
4. Применение микроволновой техники в промышленности, науке, медицине
Доклады будут опубликованы в Трудах конференции ’2005 Microwave Electronics: Measurements, Identification, Applications’. Труды конференции имеют международный статус, закупаются и распространяются IEEE (включены в IEEE Book Broker Program) и, конечно, в России в том числе по списку обязательной рассылки.
Обзорные (пленарные) доклады, краткие курсы
Принимаются предложения от лиц, заинтересованных в организации обзорных (пленарных) докладов и кратких курсов по актуальным проблемам микроволновой техники. Заинтересованные лица должны представить свои заявки в Комитет Конференции до 30 сентября 2005.
Адрес оргкомитета
Доклады и заявки на семинары посылайте Россия, г. Новосибирск, пр. К.Маркса 20, НГТУ, тел./Факс +98, e-mail: *****@.
Информация для авторов
Содержание доклада должно быть оригинальным и ранее не публиковавшимся. Доклады, содержащие только результаты моделирования электронных схем и устройств без подтверждения экспериментальными данными и доклады методического характера не принимаются. Доклад (объемом не более 6 стр.) представляются подготовленными в редакторе Word for Windows, используя Times New Roman 12pt font. Доклады должны быть написаны на английском языке и посланы по электронной почте в формате PDF или DOC . На отдельном листе должны быть указаны: название доклада (in bold), инициалы и фамилии авторов (фамилию докладчика необходимо подчеркнуть), наименование и местонахождение организации и адрес (email, tel.) для связи.
Структура доклада-статьи, формат, шрифты, подписи к рисункам, сноски в тексте приведены в прилагаемым образце.
Крайние сроки предоставления материалов
Доклады, заявки кратких курсов: 30 сентября 2005.
Уведомление о принятии доклада: 20 октября 2005.
Программа конференции: 30 ноября 2005.
Все доклады должны быть представлены в формате DOC или PDF в Оргкомитет конференции по электронной почте.
Information for authors (EXAMPLE)
Manuscripts should be submitted in doc or pdf format as an email attachment to the Conference Committee (*****@). The maximum file size is 1MB. The manuscript should be formatted so that is easy to read on either a computer screen. Our template (below) must be used.
A NEW PARAMETER EXTRACTION APPROACH
FOR the CIRCUIT-BASED MODELS OF FETs
A. G. Vikhorev*, A. B. Pashkovsky**, V. R. Snournitsin*, Member, IEEE,
and G. I. Sudeiko***, Member, IEEE
*Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, Russia
**Federal State Unitary Enterprise NPP? Istok¦, Friazino, Russia
***Joint Stock Co. ?Oktava¦, Novosibirsk, Russia
Abstract v A new parameter extraction approach for identification of FET in the class of circuit-based models is proposed. Except smoothing and analytical expressions for calculation of parameters it gives the solution of poorly conditional problem of adequate use of this class of circuit-based models. The elements of FET model are extracted by Eagleware Genesys simulator with the developed optimization procedure.
Index Terms - Parameter extraction, analytical smoothing, circuit-based model, FET.
I. Introduction
There are many approaches for extraction of FET equivalent circuit elements based on measurements of small signal S-parameters at different bias points, see, e. g., [1] and [2].
<text>
Fig. 1. The measured and smoothed S-parameters.
<text>
IV. Conclusion
New parameter extraction approach is proposed for identification of FET into the class of circuit-based models solves the extraction task as a good conditional problem and gives the possibilities to use the analytical smoothing expressions for Z and Y parameters in the methods of the direct and the optimization extraction.
References
[1] Fyung-Whan Weom, Tue-Suk Ha and Jung-Woong Ra, ?Frequency Dependence of GaAs FET Equivalent Circuit Elements Extracted from the measured Two-Port S Parameters,¦ Proc. of the IEEE, vol. 76, Num. 7, July 1988, pp. 843-845.
[2] Antony Davies and Adam K. Jastrzebski, ?Parameter Extraction Technique for Non-Linear MESFET Models,¦ IEEE MTT-S Digest, 1990, pp. 747-750.
