Попов Владимир Павлович

e-mail: *****@

Образование

-- Доктор физико-математических наук; специальность: физика полупроводников и диэлектриков; диссертация защищена в июне 2005 г. в Институте физики полупроводников им. СО РАН, г. Новосибирск, Российская федерация.

-- Кандидат физико-математических наук; специальность: физика полупроводников и диэлектриков; диссертация защищена в октябре 1986 г. в Институте физики полупроводников СО АН СССР, г. Новосибирск, Российская федерация.

- Стажер-исследователь в Институте физики полупроводников СО АН, август 1977 – ноябрь 1979 г., г. Новосибирск, Российская федерация

-- Аспирант, очная аспирантура в Институте физики полупроводников СО АН, ноябрь 1979 – июль 1981 г., г. Новосибирск, Российская федерация.

Научные интересы

Пластическая деформация металлов, сплавов и керамик, материаловедение высокотемпературных сверхпроводящих керамик, электрические и магнитные свойства наноматериалов, сварка разнородных материалов.

Научная карьера

- Стажер-исследователь в Институте физики полупроводников СО АН, август 1977 – ноябрь 1979 г., г. Новосибирск, Российская федерация

-- Старший лаборант, в Институте физики полупроводников СО АН, июль 1981 - июнь 1983 г., г. Новосибирск, Российская федерация.

-- младший, научный, старший научный сотрудник в Институте физики полупроводников СО АН, июль 1983 – ноябрь 1992 г., г. Новосибирск, Российская федерация.

-- заведующий лабораторией в Институте физики полупроводников СО АН, ноябрь 1992 –по настоящее время., г. Новосибирск, Российская федерация.

НЕ нашли? Не то? Что вы ищете?

Научный опыт

Научная работа в течение многих лет выполняется в соответствии с «Основными заданиями» Института физики полупроводников СО РАН по темам «Рост кристаллов и эпитаксиальных полупроводниковых гетероструктур», «Фундаментальные основы твердотельных устройств микро - и наноэлектроники», «Физические явления и квантовые эффекты в полупроводниковых наноструктурах», входящей в ФНТП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники гражданского назначения» (№ государственной регистрации 01.960.006590). Главным направлением его научной деятельности являются физические механизмы формирования и свойства ультра тонких полупроводниковых гетероструктур на изоляторе (ГНИ) на основе полупроводников IV группы и соединений элементов III-V групп, границ раздела и дефектов; электронные и оптические свойства гетероструктур и микрорезонаторов, свойства приборных структур с квантоворазмерными эффектами, а также методы разработки и создания радиационно-стойкой элементной базы на основе структур кремний-на-изоляторе (КНИ) и кремний-на-сапфире (КНС), осваиваемые по его технологиям в промышленном производстве в ГК «Росатом» и . Под его руководством в рамках Госконтрактов и Федеральных целевых программ созданы электронные биохимические нанопроволочные сенсоры на КНИ структурах, на которых совместно с биологами и медиками получены результаты мирового уровня, позволяющие проводить диагностику социально-значимых и опасных заболеваний на самых ранних стадиях. Значительный цикл работ по алмазной электронике и квантовой оптике, выполняемых под руководством , соответствует мировому уровню, о чем свидетельствуют приглашенные доклады и публикации в высоко рейтинговых журналах по этой тематике.

Опыт работы со следующими материалами: алмаз, кремний, германий, соединения А3В5, А2В6, гетероструктуры на основе кремния, кремния на изоляторе, кремний-германий-на-изоляторе, алмаз-графит-алмаз, графит-алмаз-графит и другие. Опыт работы с полупроводниковыми приборами на снове кремния и гетероструктур:солнечные элементы, фотоприемники, высоковольтные и СВЧ диоды, транзисторы и тиристоры, лавинные диоды, детекторы ядерных частиц, нанотранзисторы и элементы логических схем, включая квантовые, электронные биохимические сенсоры, микрожидкостные ячейки, микрорезонаторы и другие приборы МЭМС и НЭМС. .

Владение следующими экспериментальными методами:

--Приготовление и обработка поверхности полупроводниковых пластин;

-- Проведение различных технологических операций: химическое и плазменное травление, напыление и газофазное осаждение пленок, эпитаксия, включая жидкостную, высокотемпературные обработки в вакууме, атмосфере, включая высокие гидростатические давления до 100 кбар, ионная имплантация, импульсные термообработки и другие;

--Фазовый и структурный анализ с использованием рентгеновской дифракции;

--Просвечивающая электронная микроскопия, включая высокоразрешающую;

--Оптическая и сканирующая электронная дифракция и микроскопия;

--Спектральная эллипсометрия;

--Измерение холловской и эффективной подвижности;

--Измерение удельного электросопротивления;

--Измерение вольтамперной характеристики четырехконтактным методом;

-- Измерения электрофизических характеристик полупроводниковых приборов

-- Тестирование логических элементов, включая квантовые.

Педагогический опыт

Член диссертационного Совета Д 003.037.01 Института физики полупроводников по специальностям: 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" и 01.04.10 "Физика полупроводников". Он является руководителем аспирантов и соискателей, подготовил двух кандидатов и одного доктора наук.

Награды

Награжден Почетной грамотой Российской академии наук за большой вклад в развитие академической науки и производительных сил Сибири (Постановление Президиума РАН № 09/01 от 01.01.2001 г.).

Конференции

Участие во множестве Всесоюзных, Всероссийских и Международных конференций и совещаний по физике и материаловедению полупроводников, взаимодействию заряженных частиц с кристаллами, ионной имплантации, физике полупроводниковых приборов, физике наноструктур и нанотехнологиям, в том числе с более чем 30 приглашенными докладами.